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公开(公告)号：CN101708828A
公开(公告)日：2010-05-19
申请号：CN200910310297.0
申请日：2009-11-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/064 , B82B3/00
Abstract: 氮化硼纳米管的提纯方法，它涉及一种纳米管的提纯方法。本发明解决了套娃状氮化硼纳米管中金属催化剂粒子通常被包覆在氮化硼管的内部，不容易被除去的问题。本发明方法如下：将氮化硼纳米管超声处理、过滤，然后将滤渣氧化0.5小时～6小时，得到氧化物，再将氧化物在去离子水中水洗0.5小时～10小时，然后酸洗1小时～50小时，最后再用去离子水洗3次、醇洗1次，然后过滤、烘干，即得纯净的氮化硼纳米管。经过本发明方法提纯后的氮化硼纳米管的质量百分含量可达到95％以上。
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公开(公告)号：CN101224876A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：CN200810063927.4
申请日：2008-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , C04B35/584
Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。
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公开(公告)号：CN101104518A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710072702.0
申请日：2007-08-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B35/08 , C01B21/082 , C04B35/5835 , C04B35/14
Abstract: 一种纳米SiBON陶瓷粉体的制备方法，它涉及纳米陶瓷粉体的制备方法。它解决了现有SiBON陶瓷粉体制备存在的合成周期较长、工艺繁杂等问题。本发明的方法为：一、将硼酸乙酯、乙醇和苯按照配制混合液，放入三口瓶中；二、向混合液中添加四氯化硅液体；三、维持磁力搅拌，向三口瓶中通氮气流，采用油浴加热方式控制反应温度；四、提高反应温度；五、将凝胶粉末放入管式炉内进行热处理，然后随炉冷却至室温取出经热处理的凝胶粉末；六、将经热处理后的凝胶粉末放入气氛烧结炉内，充入高纯氮气，冷却至室温，即制得SiBON纳米陶瓷粉体。本发明选用的原料容易获取，工艺周期短、操作简便，产物颗粒度在20～50纳米，产物为具有分散性好和非晶态的SiBON纳米陶瓷粉体。
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公开(公告)号：CN1962433A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610151102.9
申请日：2006-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线及其制备方法，它涉及一种带有伴生结构的纳米线及其制备方法。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线由6～24％的碳、53～68％的硅和11～40％的氧制成。一种含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线的制备方法通过以下步骤实现：(一)配制混合溶胶；(二)搅拌；(三)凝胶化处理；(四)将得到的凝胶放入坩埚内并置于管式加热炉中，抽真空；(五)向管式加热炉中通入氩气；(六)进行气氛烧结；(七)冷却到室温，即得到含有伴生非晶态球状结构的碳化硅纳米线。
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公开(公告)号：CN1217162C
公开(公告)日：2005-08-31
申请号：CN02132939.7
申请日：2002-09-14
Applicant: 哈尔滨工业大学科技发展有限责任公司
IPC: G01F15/04
Abstract: 补偿式热式气体质量流量计，它涉及一种测量气体流量的仪表。它包含了被测管道(2)，它还包含了被测管道的参比室(3)和信号采集电路(1)，参比室(3)安装在被测管道(2)的一侧上，并留有一个边隙(3-1)、另一个边隙(3-2)，使参比室(3)与被测管道(2)相通；铂电阻Rt1安装在被测管道(2)中，铂电阻Rt2、铂电阻Rt3安装在被测管道的参比室(3)中；信号采集电路(1)由主电桥(1-1)、副电桥(1-2)、信号比较电路(1-3)组成。本发明具有测量准确，稳定；不会因为气体的温度、压力、成分的变化而使测量的准确性下降；它还具有在不同条件下零点稳定的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118387907A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410452327.6
申请日：2024-04-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01F7/025
Abstract: 本发明公开了一种具有核壳结构的纳米结构氧化铝喂料粉体及其制备方法，所述喂料粉体具有核壳结构，表层为经过高温熔化后快速凝固形成的致密氧化铝壳，芯部为团聚的纳米尺寸氧化铝粉体，其中：所述表层的厚度为1～5μm；所述纳米尺寸氧化铝粉体的粒径尺寸为10～80nm。本发明采用核壳结构构造的方式可以保证粉体具有良好的球形度，对于提升喂料粉体的流动性具有相应的优势，同时由于表面熔化后在快速凝固过程中存在较大收缩，在壳收缩的过程中可以将芯部的粒子进一步致密化，从而对于粉体密度的提升具有明显的作用。
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公开(公告)号：CN117736629A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311762155.4
申请日：2023-12-20
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09D163/00 , C09D7/63
Abstract: 本发明公开了一种适用于纳米结构绝缘陶瓷涂层的封孔剂及其应用，所述封孔剂包括环氧树脂、D230固化剂、γ‑氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂和溶剂型分散剂，其中：D230固化剂与环氧树脂的质量比为30：100～120，γ‑氨丙基三乙氧基硅烷偶联剂与环氧树脂的质量比为0.1～2：100；溶剂型分散剂与环氧树脂的质量比为0.1～2：100。该封孔剂固含量高，黏度低，固化时间长，渗透性好，操作简单，解决了传统环氧树脂作为封孔剂时出现的黏度大、固化时间短、渗透深度低的问题，在满足封孔需求的同时，还可以大幅提升涂层的绝缘性能，而且不受环境湿度的影响。
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公开(公告)号：CN111777413B
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202010689194.6
申请日：2020-07-16
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/48 , C04B35/50 , C04B35/626 , C04B35/66 , C04B35/622
Abstract: 一种等离子喷涂用纳米锆酸钆粉体的制备方法及应用，它涉及一种纳米锆酸钆粉体的制备方法及应用。本发明的目的是要解决现有热障涂层使用的微米级粉体制备的涂层致密度不高、涂层易产生气孔、裂纹缺陷，影响使用寿命的问题。方法：一、球磨；二、喷雾造粒；三、高温烧结；四、等离子处理。本发明制备的等离子喷涂用纳米锆酸钆粉体作为基材的耐高温、耐CMAS腐蚀的涂层材料使用，作为航空发动机或燃气轮机高温部件的热障涂层使用。本发明制备的等离子喷涂用纳米锆酸钆粉体粒度分布较均匀、均为实心球形颗粒，适合于等离子喷涂工艺，可提高涂层结合强度。本发明可获得一种等离子喷涂用纳米锆酸钆粉体。
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公开(公告)号：CN114262216A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111662235.3
申请日：2021-12-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/185 , C04B35/622 , C04B35/626
Abstract: 一种利用TiC改性莫来石制备环境障涂层中间层的方法，涉及一种环境障涂层的中间层的方法。为了解决环境障涂层涂层存在孔隙和裂纹等缺陷、涂层结合强度过低的问题。方法：制备纳米TiC粉体、纳米SiO2粉体和纳米Al2O3粉体浆料，喷雾干燥造粒得到混合粉体；混合粉体松装烧结得到纳米TiC改性的纳米结构莫来石粉体，再造粒得到纳米TiC改性的纳米结构莫来石颗粒；进行等离子球化；或在混合粉体松装烧结之后再与纳米TiC粉体混合。本发明采用纳米级TiC制备的环境障涂层中间层不仅具有裂纹自愈合功能，还有明显的界面增强效果。能够提高环境障涂层的结合强度。本发明适用于制备环境障涂层中间层。
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公开(公告)号：CN113189640A
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN202110474710.8
申请日：2021-04-29
Abstract: 本发明涉及一种用于快中子成像的探测器及其校正方法，该探测器从上至下依次包括：第一光电转换器件、第一耦合层、有机闪烁体阵列、第二耦合层和第二光电转换器件；所述有机闪烁体阵列为柱体结构；所述第一耦合层和第二耦合层用于将所述第一光电转换器件、有机闪烁体阵列和第二光电转换器件耦合在一起，所述第一光电转换器件、第二光电转换器件和有机闪烁体阵列的横截面积相同。本发明提供的探测器对快中子具有深度识别能力，解决了快中子探测中轴向位置定位不准确的问题，从而在伴随粒子成像系统中，提高系统的时间分辨率。
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