公开(公告)号：CN101224877A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810063928.9

申请日：2008-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  温广武 ,  邢双颖 ,  黄小萧 ,  白宏伟 ,  钟博

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/584

Abstract: 一种氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将含碳质量为20～60％的碳/二氧化硅纳米复合粉体装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线。本发明一种氮化硅纳米线的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。

公开(公告)号：CN101224877B

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN200810063928.9

申请日：2008-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  温广武 ,  邢双颖 ,  黄小萧 ,  白宏伟 ,  钟博

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/584

Abstract: 一种氮化硅纳米线的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将含碳质量为20～60％的碳/二氧化硅纳米复合粉体装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线。本发明一种氮化硅纳米线的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。

公开(公告)号：CN101224876A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810063927.4

申请日：2008-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  温广武 ,  黄小萧 ,  钟博 ,  白宏伟 ,  邢双颖

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/584

Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。

公开(公告)号：CN101224876B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200810063927.4

申请日：2008-01-28

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 张晓东 ,  温广武 ,  黄小萧 ,  钟博 ,  白宏伟 ,  邢双颖

IPC: C01B21/068 ,  C04B35/584

Abstract: 一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，它涉及一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法。它解决了现有技术中氮化硅纳米线和纳米带的制备工艺复杂、成本较高、污染环境的问题。制备方法：将工业硅粉装入坩埚后，在氮气氛下烧结，随炉冷却至室温，得氮化硅纳米线和氮化硅纳米带。本发明一种氮化硅纳米线和纳米带的制备方法，工艺简单、成本较低、不产生污染环境的有害气体。

公开(公告)号：CN101302613A

公开(公告)日：2008-11-12

申请号：CN200810063859.1

申请日：2008-01-16

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 温广武 ,  张涛 ,  黄小萧 ,  邢双颖

IPC: C23C18/32 ,  C04B35/628 ,  C23C4/10

Abstract: 无机氧化物粉体的镀镍液及镀镍方法，它涉及一种镀镍液及镀镍方法。本发明解决了现有镀镍液寿命短、使用周期短、施镀温度高的问题。本发明的每升无机氧化物粉体的镀镍液中有20～25g的NiSO4·6H2O，10～18g的EDTANa2，15～20g的柠檬酸钠，100～120ml的N2H4·H2O，其余为去离子水，镀镍液的PH值为12.5～12.8。镀镍方法如下：将无机氧化物粉体经除油、粗化、敏化、活化处理后，在50～85℃的条件下，在镀镍液中施镀10～20min。本发明的镀镍液可重复利用7～8次。经测试，在90℃恒温2h镀镍液仍呈蓝色透明溶液，本发明使用温度宽，可在50～85℃下施镀。本发明方法具有成本低的优点。