-
公开(公告)号：CN104499270A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201410809082.4
申请日：2014-12-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: D06M11/79 , D06M11/64 , D06M13/144 , D06M101/40
Abstract: 一种纳米二氧化硅表面改性碳纤维的方法，涉及一种表面改性碳纤维的方法。本发明是要解决目前碳纤维的力学和热学性能较差的问题。方法：一、对纳米二氧化硅进行表面卤化，得到产物；二、纳米二氧化硅表面叠氮化处理；三、碳纤维的氧化处理；四、碳纤维表面修饰炔基化处理；五、碳纤维表面接枝纳米二氧化硅。修饰二氧化硅之后，碳纤维表面的浸润性有显著提高，粗糙度明显增加，有利于增强复合材料中基体和界面之间的传递效应，可以有效的缓解应力集中，阻止材料的破坏，进而提高复合材料的力学性能。经过纳米二氧化硅的表面改性，碳纤维的热稳定性得到了显著提高。本发明用于改性碳纤维。
-
公开(公告)号：CN104437154A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410631871.3
申请日：2014-11-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米SiC粉体的方法，涉及一种纳米SiC粉体的分散方法。本发明是要解决现有纳米SiC粉体在水中容易团聚的问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为12的溶剂；二、称取SiC粉体和分散剂，将SiC粉体和分散剂先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米SiC粉体的分散。本发明方法的分散效果好、分散均匀、浆料可24h不发生明显沉淀。纳米SiC粉体的团聚尺寸较小，SiC粉体的团聚尺寸小于100nm，Zeta电位约为40mv。本发明应用于纳米材料领域。
-
公开(公告)号：CN104191319A
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201410443022.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
CPC classification number: B24B1/00
Abstract: 一种硼化物陶瓷材料表面磨削的方法，它涉及一种硼化物陶瓷材料的磨削方法。本发明目的是要解决传统的硼化物陶瓷材料的磨削方法存在磨削效率低的问题，方法：一、超声清洗，得到清洗后硼化物陶瓷材料；二、表面加热氧化，得到表面氧化后硼化物陶瓷材料；三、将表面氧化后硼化物陶瓷材料在抛光机上进行磨削处理，即实现硼化物陶瓷材料表面磨削。优点：磨削加工速率提高了50％～300％，减少磨料用量20％～60％。本发明主要用于硼化物陶瓷材料表面磨削。
-
公开(公告)号：CN103819227A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
-
公开(公告)号：CN103757603A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410005289.6
申请日：2014-01-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种二硼化锆涂层的制备方法，它涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决现有化学气相沉积法制备ZrB2过程中，采用先将ZrCl4加热到升华温度以上，然后再经过流量计通入反应室的方法需要对气路进行保温处理，而且对气体流量计要求很高的问题。制备方法：使用双温区加热方式，以ZrCl4、BCl3和H2作为源气体、Ar气或N2作为载气和保护性气体，采用化学气相沉积法制备二硼化锆涂层。采用本发明的方法不需要对气路进行专门保温处理，ZrCl4流量的控制可以通过控制温度的方法来实现。本发明可用于制备二硼化锆涂层。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102584241A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210044115.1
申请日：2012-02-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种硼化锆基复相陶瓷材料热电偶及其制备方法，它涉及一种陶瓷材料热电偶及其制备方法。本发明要解决现有热电偶在高温氧化环境和其他恶劣环境中难以应用的问题。本发明的硼化锆基复相陶瓷材料热电偶是由正极和负极组成，本发明的制备方法为：一、称取ZrB2、SiC和添加剂，通过热压烧结制备正极；二、称取ZrB2、SiC和添加剂，通过热压烧结制备负极；三、将正极和负极组装成热电偶。本发明的的电偶具有高的灵敏度，其灵敏度在1～100μV/℃范围内，可以在500～2000℃的温度进行测量，同时减少了稀有资源的使用，也降低了成本。本发明应用于高温测量的领域。
-
公开(公告)号：CN101550004B
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN200910071943.2
申请日：2009-05-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/52 , C04B35/622
Abstract: 一种石墨-碳化锆抗氧化烧蚀型材料及其制备方法，它涉及一种石墨材料及其制备方法。它解决了现有石墨材料高温下易氧化以及经过浸渍和喷涂处理后的石墨材料致密低的问题。石墨-碳化锆抗氧化烧蚀型材料由氧化锆粉末和石墨粉末制成。方法：一、称取原料，球磨湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨，得混合粉料；三、混合粉料在真空条件下热压烧结，随炉冷却后取出，即得石墨-碳化锆抗氧化烧蚀型材料。本发明中石墨-碳化锆抗氧化烧蚀型材料的质量损失率小于现有石墨材料，耐高温性能好，高温下不易氧化，突破了现有石墨材料在450℃以下使用的温度限制，其使用温度显著地提高到了1200～2200℃，致密度大于90％，且力学性能也提高了。
-
公开(公告)号：CN101318833B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810064952.4
申请日：2008-07-18
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法，它涉及一种陶瓷材料的表面预氧化方法。它解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料的力学性能低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料的表面预氧化方法按以下步骤实施：一、用砂纸对硼化物基陶瓷材料进行表面抛光处理；二、将抛光处理后的材料放入烧结炉中，升温至300～1500℃并保温20～200min，然后随炉冷却至室温；即得硼化物基陶瓷材料的氧化表面。本发明成本低，工艺简单，易于操作。采用本发明方法处理后的硼化物基陶瓷复合材料，其抗弯强度值为751～901MPa，与未经过预氧化处理的同体系硼化物基陶瓷材料相比，抗弯强度增加了2.9％～17.5％。
-
公开(公告)号：CN101560103B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200910072136.2
申请日：2009-05-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/622 , C04B35/58 , C04B35/565 , C04B41/85
Abstract: 一种在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法，它涉及了一种在陶瓷复合材料表面原位生成的高抗氧化性能膜的方法。本发明解决了现有硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能差、使用过程中质量损失大，无法将微弧氧化法应用到陶瓷表面的处理上。本发明在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成高抗氧化性能膜的方法按如下步骤进行：一、混合，研磨；二、烧结；三、微弧氧化反应；即在硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料表面原位生成了高抗氧化性能膜。本发明成功应用微弧氧化法在陶瓷材料表面制备了高抗氧化涂层，制备出涂层大大提高了硼化锆-碳化硅陶瓷复合材料的抗氧化性能，降低了材料使用过程中的质量损失。
-
公开(公告)号：CN102060554A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010565353.8
申请日：2010-11-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/80 , C04B35/58 , C04B35/622
Abstract: 一种高强高韧性的二硼化锆-碳化硅-氧化锆陶瓷基复合材料及其制备方法，它涉及一种陶瓷基复合材料及其制备方法。它解决了现有方法制备的ZrB2陶瓷基复合材料存在断裂韧性低和难烧结的问题。材料由二硼化锆粉末、碳化硅粉末和二氧化锆纤维制成。方法：一、称取原料湿混后得浆料；二、浆料烘干后研磨得混合粉料；三、混合粉料烧结后冷却取出即得。本发明将ZrO2纤维引入到二硼化锆-碳化硅超高温陶瓷材料体系中，以改善超高温陶瓷材料的脆性及抗热震性能，提高材料使用的可靠性。本发明制备的陶瓷复合材料，易烧结，其断裂韧性为5.69～6.82MPa·m1/2，抗弯强度为700.86～723.15MPa。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
82
records
(took 0.025 seconds)
