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公开(公告)号：CN104362224B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201410483424.8
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明提供了一种LED薄膜芯片基板的制备方法及其结构，通过在基板支撑材料表面制备合金准备层，并使之通过合金与基板支撑材料形成二元共混层，从而可获得具有高可靠性的半导体材料与金属的界面；通过在基板支撑材料的下方形成应力调制层并调整该层的热膨胀系数来平衡位于基板上方的LED薄膜带给基板的应力，以解决基板弯曲问题，并通过调整应力调制层的结构强度和厚度来增强基板的抗弯曲能力。
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公开(公告)号：CN105742450A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610210910.1
申请日：2016-04-07
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种照射出特定平面几何图形光斑的LED芯片的制备方法及结构，其结构包括：基板层，生长衬底上的LED薄膜被转移至基板层之上；基板层与LED薄膜之间由上至下依次有互补电极层、反射金属接触层和粘结保护层；n电极位于LED薄膜之上。通过互补电极层、n电极的形状设计，结合金属反射率的差异，实现具有高反射率且能与LED薄膜形成欧姆接触的反射金属接触层所对应的芯片区域(或无互补电极区域)发光亮度高，具有低反射率且不易与LED薄膜形成欧姆接触的粘结保护层所对应的区域(或有互补电极区域)发光亮度低，使LED芯片可以照射出特定设计的平面几何图形光斑。平面几何图形为特定的图形或特定的“字”型。
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公开(公告)号：CN105428486A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510978891.2
申请日：2015-12-24
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
CPC classification number: H01L33/24 , H01L33/007
Abstract: 本发明公开了一种具有三维P-N结的半导体发光二极管芯片及其制备方法，包含：一个支撑基板；层叠于所述支撑基板上的半导体叠层，该半导体叠层至少包含一层N型半导体层、一层P型半导体层和一层夹于N、P层之间的发光有源层；两个欧姆电极，特征是：半导体叠层中的发光有源层及P-N结具有非平面的三维结构。本发明的发光有源层有效发光面积较常规LED的二维平面有源区大，可降低有源区内载流子浓度，因此具有抑制俄歇复合、降低载流子泄漏等优点，可大幅改善效率骤降现象。另外，芯片内部存在三维结构可减少全反射的形成，有利于提高光的提取效率。
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公开(公告)号：CN103952685B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201410147401.X
申请日：2014-04-14
Applicant: 南昌大学
IPC: C23C16/455
Abstract: 本发明公开了一种铟镓铝氮材料组分及掺杂能自由组合的MOCVD生长气路及方法，该生长气路包括：第一管路，第二管路，第三管路及与这三路管路相连的A、B双腔室垂直气流型MOCVD反应管喷头装置；生长方法是通过将铟、镓、铝、镁分开输运到不同生长区域的气路设置，克服了传统生长方法中将它们合并输运到衬底表面所带来的诸多不足，用全新的生长机理实现全系列x,y值的InxGa(1-x-y)AlyN材料体系的快速生长，且生长的温度与气压参数窗口变大，尤其能实现镁的快速δ掺杂。
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公开(公告)号：CN104347762A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410483425.2
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L33/00
Abstract: 本发明公开了一种具有回熔层的LED薄膜芯片的制备方法及结构，其特征是通过在LED薄膜的下方设计有由低熔点金属形成的回熔层，并在去除原生长衬底之后通过退火处理使回熔层熔化，使得LED薄膜在回熔层熔化过程中能够自平坦化，从而达到了充分释放LED薄膜中残余应力的效果，提高了LED芯片可靠性、稳定性和寿命。同时，本发明公开了由上述制备方法得到的结构，包括衬底，在所述衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层、稀释保护层、合金层，在所述合金层上设有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104269470A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410483423.3
申请日：2014-09-22
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本发明公开了一种能够释放应力的垂直结构LED薄膜芯片的制作方法及结构，在科学选择设计阻挡层，特别是第一键合层、中间层和第二键合层材料及结构的基础之上，设计LED薄膜和基板之间的金属或合金在去除衬底后通过低温退火处理熔化或部分熔化，从而使得LED薄膜在此熔化过程中可以自由伸展、自平坦化，达到了有效释放LED薄膜中的残余应力的效果，且又不会因退火熔化的温度过高而破坏LED芯片的光电性能。其结构包括：衬底，在衬底上设置有包括缓冲层、n型层、发光层和P型层在内的LED薄膜，在LED薄膜上依次沉积有反射接触层、阻挡层，特征是在阻挡层下方形成有混合层，在混合层下方有基板正面保护层、基板、基板反面保护层和接触层。
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公开(公告)号：CN209169167U
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201821718205.3
申请日：2018-10-23
Applicant: 南昌大学 , 南昌硅基半导体科技有限公司
Abstract: 本实用新型公开了一种垂直结构LED芯片，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本实用新型还公开了该LED芯片的反射电极，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本实用新型有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN206401317U
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201621441475.5
申请日：2016-12-26
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48
Abstract: 本实用新型公开了一种无荧光粉的全光谱LED封装结构，该LED封装结构不使用荧光粉，通过多基色LED芯片直接合成白光。LED芯片包含AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构黄光LED芯片、高光效垂直结构绿光LED芯片、高光效垂直结构青光LED芯片和高光效垂直结构蓝光LED芯片，AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构红光LED芯片和高光效垂直结构橙光LED芯片。全光谱出光具有更理想的光色品质，避免了荧光粉的使用，简化封装工艺，同时提高封装模块的可靠性，同时解决传统封装方法出光蓝光过多、青光缺失和红光不足的缺陷。
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公开(公告)号：CN208538852U
公开(公告)日：2019-02-22
申请号：CN201821327076.5
申请日：2018-08-16
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
IPC: H01L25/075 , H01L33/48 , H01L33/58
Abstract: 本实用新型公开了一种LED芯片的封装产品，包括若干颗LED芯片、基板、固晶层、引线和光学透镜；若干颗LED芯片通过固晶层分别键合在基板上，引线的两端分别与LED芯片的上电极和基板上的电路固定连接，光学透镜安装在基板上，并将若干颗LED芯片、基板、固晶层、引线密封在基板上；所述LED芯片为AlInGaN材料体系制备的高光效垂直结构的黄绿光LED芯片和AlGaInP材料体系制备的高光效垂直结构的红光LED芯片。通过本实用新型，解决了荧光粉使用带来的色温和光效难以协调发展的问题，实现了高光效超低色温的金黄光，避免当前LED芯片的封装产品中蓝光成分对用户的潜在危害。
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公开(公告)号：CN208315587U
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201820323961.X
申请日：2018-03-09
Applicant: 南昌大学 , 南昌黄绿照明有限公司
Abstract: 本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本实用新型通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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