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公开(公告)号：CN105305209B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510740645.3
申请日：2015-11-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种高重复频率的极紫外超快时间分辨光电能谱系统，包括基于光纤啁啾脉冲放大的高重复频率超短脉冲激光系统，极紫外超短脉冲转换系统，光学参量转换系统及超短脉冲泵浦‑探测光电能谱系统；超短脉冲激光系统，通过光纤啁啾脉冲放大技术实现高重复频率超短脉冲激光的输出，高重复频率的超短脉冲激光输出通过分束片一分为二，其中一部分作为泵浦光；另一部分通过光学参量转换系统产生可见‑红外超短脉冲激光作为探测光；泵浦光和探测光共同进入超短脉冲泵浦‑探测光电子能谱系统，通过探测光电子能谱系统中合束器入射至探测光电能谱系统的光能能谱测量仪；泵浦光和探测光合束器及光电子能谱仪均位于真空系统中。本发明能谱信号信噪比好，稳定性高。
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公开(公告)号：CN106769889A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201710004428.7
申请日：2017-01-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 集成生长与测量的分子束外延生长系统，包括分子束外延生长腔室、样品操纵杆、可倾斜的样品台、入射光、反射光、一对电磁铁、偏振片、检偏器、激光二极管、光电探测器、分子束外延的生长源；分子束外延生长腔室上设有一对视窗，这对视窗是分子束外延生长系统上激光入射光和出射光的高透明、对光低散射的视窗；原位磁光表征系统安装在分子束外延生长系统的腔室上；原位磁光表征系统包含产生S型线偏振光的激光二极管、调节线偏振光的起偏偏振片；所述起偏偏振片产生激光入射光射至样品表面，所述检偏器对出射光检偏；原位磁光表征系统包含光电探测器，探测器将出射光的信号输入到锁相放大器；样品台侧设有电磁铁。样品操纵杆与可倾斜的样品台固定。
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公开(公告)号：CN106048726A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610522649.9
申请日：2016-07-04
Applicant: 南京大学
Abstract: 钇铁石榴石薄膜的外延生长方法，将装有处理好的钆镓石榴石基片的置真空腔室，并将钆镓石榴石基片加热到恒定温度736℃；加热过程中，加热到250℃的时候通入臭氧；加热至736℃之后，保持真空腔气压，将臭氧的质量分数调节至40％，同时保温半小时，打开反射式高能电子衍射仪RHEED调节出衬底的衍射斑点；全程保持RHEED的实时和原位监控，采用波长248nm的KrF准分子激光器将激光通过透镜聚焦到YIG靶材上；完成薄膜生长后，基片温度保持不变，原位退火约15min，然后将薄膜自然冷却至约250℃，停止保护气体再冷却至室温。本发明所得到的YIG薄膜组分均匀、厚度可控工艺重复性好，具有较高的制备效率。
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公开(公告)号：CN105490146A
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201610019501.3
申请日：2016-01-12
Applicant: 南京大学
CPC classification number: H01S3/113 , G02F1/355 , H01S3/1118
Abstract: 本发明公开了一种三维狄拉克半金属材料红外可饱和吸收器件，使用零带隙、线性能量色散关系的三维狄拉克半金属材料作为可饱和吸收层，工作波长覆盖红外区域，并且多种参数具有高度可调控性；器件包括由三维狄拉克半金属材料构成的可饱和吸收层和承载该可饱和吸收层所需的光学元件。其中反射型可饱和吸收器件由上至下的如下材料分布：功能层(1)、光学衬底(2)、可饱和吸收层(3)和反射层(4)构成；透射型可饱和吸收器由功能层(1)、光学衬底(2)和可饱和吸收层(3)组成；工作波长覆盖红外区域，基于这种三维狄拉克半金属材料可饱和吸收器件的红外调Q和锁模激光器具有稳定性高、工作波长可调谐、输出功率大等优点。
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公开(公告)号：CN108493335B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201810578258.8
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种微波辅助的磁电阻增强器件及其制备方法，包括由保护层、第一铁磁层、半导体层、第二铁磁层、保护层组成的层状薄膜，其材料依次为Cr、Fe、GaAs、NiFe、Cr；通过上下两侧电极通入高频微波后，沿平行于层状薄膜的磁场方向施加大于Fe、NiFe矫顽力的外加磁场，使得两个铁磁层的磁矩方向一致，此时层状薄膜处于低电阻状态；接着反向施加大于NiFe矫顽力、小于Fe矫顽力的外加磁场，使得两个铁磁层的磁矩方向相反，此时层状薄膜处于高电阻状态。本发明在器件两端制备电极并通入高频微波加以辅助，通过改变外加磁场实现整个器件的高电阻、低电阻状态转换，其电阻变化率可达到40％，且制备工艺简单，成本较低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111613722B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010390886.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 一种集磁随机存储器、微波振荡器和微波探测器一体的纳米自旋电子器件，所述自旋电子器件基本单元即高磁电阻效应的磁性隧道结MTJ，所述纳米自旋电子器件为圆柱型或椭圆柱型垂直磁化多层结构单元，从上至下依次为磁隧道结上电极层，垂直磁化的自由铁磁层，非磁势垒层，垂直磁化的铁磁极化层，用于钉扎的反铁磁层或人工反铁磁；下电极层；实现随机信息存储、微波产生和微波探测这三方面功能；作为非冯若依曼架构的新一类模拟信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。纳米微波振荡器和探测器工作频率依赖于磁性材料磁矩的进动频率，可根据器件结构和外加磁场、电流或电压参数进行可控调制。
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公开(公告)号：CN114221203B
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202111160845.3
申请日：2021-09-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种输出长时间稳定的极紫外脉冲光源装置，包括高功率飞秒激光器、差分气体作用装置和激光阻断装置；其中，高功率飞秒激光器发出飞秒级别的超短脉冲激光，经过平面反射镜和激光聚焦镜，聚焦于差分气体作用装置内；反应气体经过压力控制后连续注入到长度可调的气体盒子内并与激光相互作用产生高次谐波，辐射出EUV光；气体盒子被安装在差分腔室中，与外真空腔形成差分，有效维持了真空腔内的真空度；反应产生的EUV光和未转换的入射激光进入激光阻断装置，入射激光被衰减阻断，得到纯净的EUV光。
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公开(公告)号：CN116234419A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310513606.4
申请日：2023-05-09
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种自旋轨道矩器件的制备方法，通过磁控溅射手段，通以氩气、氧气混合气体溅射高纯金属靶材，形成金属氧化物绝缘插层、强自旋轨道耦合层、铁磁性垂直自由层及非磁性氧化物层，并通过光刻、离子束刻蚀、套刻、去胶、光电子束蒸发镀膜等微纳加工工艺，通过电学输运测试及XPS刻蚀深度测量得到，底层绝缘氧化物的氧原子扩散影响重金属层及重金属/铁磁层界面，从而显著降低临界翻转电流及开关辅助磁场大小，临界翻转电流密度低至4×106A/cm2。类阻尼转矩和类场转矩这两种类型的自旋轨道转矩都明显增强，分别增至9.18Oe/mA和20.18Oe/mA，相比于无底层氧化层结构提高了85%。
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公开(公告)号：CN114509924A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210167231.6
申请日：2022-02-23
Applicant: 南京大学
Abstract: 一种激光等离子体方式的极紫外光源发生及表征装置，包含高功率纳秒激光器、极紫外光源发生器、掠入射平场光谱仪、极紫外能量探测器和离子碎屑探测器；其中，高功率纳秒激光器发出高能量短脉冲激光，短脉冲激光经过平面反射镜和真空窗片进入极紫外光源发生器，随后短脉冲激光在发生器真空腔内被透镜聚焦并打到靶材上；靶材在短脉冲激光的作用下被加热、蒸发和电离，最终形成高温致密的等离子体，等离子体持续吸收激光能量并向外辐射极紫外光；掠入射平场光谱仪和极紫外能量探测器都与极紫外光源发生器输出窗口相连，分别实现对光源光谱的探测和对光源带内功率的定量测量。
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公开(公告)号：CN109728157B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201811531677.2
申请日：2018-12-14
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半金属外延磁隧道结的生长方法，包括：采用MBE技术在GaAs衬底上外延生长Co2FeAl层、MgO层、Co2FeAl层形成半金属磁性隧道结构，且生长过程中Co、Fe、Al均由热蒸发束源炉进行蒸发，通过分别控制三个热蒸发束源炉的蒸发温度来控制三种元素的沉积速率；在生长前对GaAs衬底进行退火，在生长每层Co2FeAl层后对其进行退火，在生长Mg层后向MBE腔体内通入氧气，使其氧化为MgO薄膜，最后生长3nm的Al层进行覆盖。本发明利用MBE技术对束流的精确控制实现合金薄膜组分的调制，利用RHEED和原位热处理使得样品表面平整并形成单晶结构，从而得到高质量的半金属外延磁隧道结。
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