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公开(公告)号：CN111613722A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN202010390886.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 一种集磁随机存储器、微波振荡器和微波探测器一体的纳米自旋电子器件，所述自旋电子器件基本单元即高磁电阻效应的磁性隧道结MTJ，所述纳米自旋电子器件为圆柱型或椭圆柱型垂直磁化多层结构单元，从上至下依次为磁隧道结上电极层，垂直磁化的自由铁磁层，非磁势垒层，垂直磁化的铁磁极化层，用于钉扎的反铁磁层或人工反铁磁；下电极层；实现随机信息存储、微波产生和微波探测这三方面功能；作为非冯若依曼架构的新一类模拟信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。纳米微波振荡器和探测器工作频率依赖于磁性材料磁矩的进动频率，可根据器件结构和外加磁场、电流或电压参数进行可控调制。
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公开(公告)号：CN111613722B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010390886.0
申请日：2020-05-11
Applicant: 南京大学 , 浙江驰拓科技有限公司
Abstract: 一种集磁随机存储器、微波振荡器和微波探测器一体的纳米自旋电子器件，所述自旋电子器件基本单元即高磁电阻效应的磁性隧道结MTJ，所述纳米自旋电子器件为圆柱型或椭圆柱型垂直磁化多层结构单元，从上至下依次为磁隧道结上电极层，垂直磁化的自由铁磁层，非磁势垒层，垂直磁化的铁磁极化层，用于钉扎的反铁磁层或人工反铁磁；下电极层；实现随机信息存储、微波产生和微波探测这三方面功能；作为非冯若依曼架构的新一类模拟信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。纳米微波振荡器和探测器工作频率依赖于磁性材料磁矩的进动频率，可根据器件结构和外加磁场、电流或电压参数进行可控调制。
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公开(公告)号：CN110175674B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201910447153.3
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了自旋电子类脑信息处理芯片，对历史数据具有学习能力，能应用于大数据分类和模拟信号的识别。该自旋类脑神经网络是基于两类纳米尺寸自旋力矩自旋电子器件构建的，可以COMS工艺相结合，能模仿人脑神经元和突触处理和传输信息的功能。本发明所提出的自旋力矩纳米磁振荡器和电流驱动磁畴壁移动忆阻器是新一类信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。自旋力矩纳米磁振荡器是基于电流导致自旋力矩效应，利用电流产生的自旋力矩激发和稳定磁性层中磁矩在纳米尺度下绕外磁场或总有效磁场作高频进动，其进动频率在0.1GHz～50GHz范围内可根据器件结构和外加磁场、电流或电压等参数进行可控调制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112831762B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202011313333.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种Halbach永磁体结构的磁控溅射靶枪，包括水冷部件、磁靶基座、绝缘陶瓷板、磁靶和靶罩；所述基座安装在水冷头上，所述磁靶放置在所述基座上，所述绝缘板安装在所述基座与所述磁靶之间，所述靶罩套在磁靶外面，作为溅射高压阴极，并起到防止靶材和磁靶污染的作用；所述磁靶基座由高导热率的无氧铜加工而成，在所述磁靶基座内设有容纳磁铁组的凹槽，起到固定和冷却磁靶的作用；磁靶是由一个轴向磁化的环状永磁体、一个径向磁化环状或组合环状永磁体和一个轴向磁化圆柱型永磁体按照哈尔巴赫阵列结构排列的永磁体组；所述哈尔巴赫永磁铁组放置在所述磁靶基座的凹槽内，所述靶材置于所述永磁体组上方。
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公开(公告)号：CN109763101A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201910091846.3
申请日：2019-01-30
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种制备超薄无针孔介电薄膜的方法，步骤(1)、通过物理气相沉积法沉积得到0.5～1nm超薄薄膜；步骤(2)、通过具有氧化特性的气体等离子体对所述步骤(1)得到的0.5～1nm超薄金属薄膜或超薄非金属薄膜进行氧化还原反应；步骤(3)、根据所要制备的超薄无针孔介电薄膜的目标厚度，重复步骤(1)和步骤(2)，得到目标厚度的超薄无针孔介电薄膜。本发明的方法无化学腐蚀性、能同腔原位和成膜速度快，且制备的介电薄膜粘附性强，致密度高，无针孔缺陷，且厚度和均匀性可大面积可控。
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公开(公告)号：CN112831762A
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN202011313333.1
申请日：2020-11-20
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种Halbach永磁体结构的磁控溅射靶枪，包括水冷部件、磁靶基座、绝缘陶瓷板、磁靶和靶罩；所述基座安装在水冷头上，所述磁靶放置在所述基座上，所述绝缘板安装在所述基座与所述磁靶之间，所述靶罩套在磁靶外面，作为溅射高压阴极，并起到防止靶材和磁靶污染的作用；所述磁靶基座由高导热率的无氧铜加工而成，在所述磁靶基座内设有容纳磁铁组的凹槽，起到固定和冷却磁靶的作用；磁靶是由一个轴向磁化的环状永磁体、一个径向磁化环状或组合环状永磁体和一个轴向磁化圆柱型永磁体按照哈尔巴赫阵列结构排列的永磁体组；所述哈尔巴赫永磁铁组放置在所述磁靶基座的凹槽内，所述靶材置于所述永磁体组上方。
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公开(公告)号：CN110175674A
公开(公告)日：2019-08-27
申请号：CN201910447153.3
申请日：2019-05-27
Applicant: 南京大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了自旋电子类脑信息处理芯片，对历史数据具有学习能力，能应用于大数据分类和模拟信号的识别。该自旋类脑神经网络是基于两类纳米尺寸自旋力矩自旋电子器件构建的，可以COMS工艺相结合，能模仿人脑神经元和突触处理和传输信息的功能。本发明所提出的自旋力矩纳米磁振荡器和电流驱动磁畴壁移动忆阻器是新一类信息处理和存储为一体逻辑自旋器件。自旋力矩纳米磁振荡器是基于电流导致自旋力矩效应，利用电流产生的自旋力矩激发和稳定磁性层中磁矩在纳米尺度下绕外磁场或总有效磁场作高频进动，其进动频率在0.1GHz～50GHz范围内可根据器件结构和外加磁场、电流或电压等参数进行可控调制。
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