-
公开(公告)号：CN220628484U
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202321904269.3
申请日：2023-07-19
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型关于一种单横模半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域。包括衬底、下波导盖层、有源层、上波导盖层和欧姆接触层；衬底、下波导盖层、有源层、上波导盖层和欧姆接触层由下至上依次设置，衬底的下方以及欧姆接触层的上方均设置有电极；上波导盖层为p型掺杂，下波导盖层为n型掺杂，上波导盖层、有源层、下波导盖层共同构成P‑I‑N结构。本实用新型提出的半导体激光器可实现宽波导下的单横模工作。
-
公开(公告)号：CN219245883U
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202320043564.8
申请日：2023-01-06
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02F1/035
Abstract: 本实用新型公开一种薄膜铌酸锂调制器，涉及光通信器件领域。该薄膜铌酸锂调制器包括光学结构和电学结构。光学结构基于X切薄膜铌酸锂材料，包括：输入波导、分束器、波导臂、合束器、输出波导；波导臂包含常规波导区和调制波导区。电学结构包括地‑信号‑信号‑地电极组成的行波电极结构，包含信号输入区、调制电极区、匹配电阻区，采用差分驱动。本实用新型的薄膜铌酸锂调制器利用差分驱动，提高了调制效率，减小了电压‑长度积，为调制器的小型化和高度集成化提供了解决方案。
-
公开(公告)号：CN217934572U
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202222018336.3
申请日：2022-08-02
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型属于半导体激光器领域，公开了一种可调谐窄线宽半导体激光器，包括激光器和微环外腔，单模激光器的后端面输出的激光通过微环外腔直波导耦合进入微环外腔中，进入微环外腔的激光在微环外腔内谐振然后通过相同直波导注入到激光器中，在注入锁定范围内，激光器的输出频率由微环外腔的谐振频率决定，从而实现激光器的自注入锁定，通过调谐微环外腔的谐振频率，使得调谐过程中始终保持注入锁定，从而实现可调谐的窄线宽的激光输出。本实用新型的可调谐的窄线宽激光器能够实现连续频率的调制，具有输出激光线宽窄以及满足连续波调谐的优点，可应用于相干探测领域。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN222146829U
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202420936465.7
申请日：2024-04-30
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型关于一种半导体激光器温度控制系统，涉及温度控制技术领域。包括：半导体激光器内部封装有两组热电制冷器以及温度传感器，所述温度采集信号处理模块用于实时采集温度传感器的信号；双通道模数转换器用于将电压模拟信号转换为电压数字信号；单片机用于将采集的电压数字信号转换为驱动信号；集成数字PID计算单元对半导体激光器温度进行调节；双通道数模转换器用于将模拟电压信号发送给两组TEC驱动器；TEC驱动器用于施加驱动电流至热电制冷器。本实用新型采用双通道模数转换器和双通道数模转换器的集成化温控系统，能够在单一设备内实现多路温度控制，显著降低了设备成本，同时提高了系统的精度和可靠性。
-
公开(公告)号：CN220492414U
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202321823782.X
申请日：2023-07-11
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型具体公开一种多通道干涉大范围可调谐激光器的集成光电组件，包括：TOSA封装元件，所述TOSA封装元件包括TOSA封装主体、偏振保持输出光纤、FC/APC光纤连接器以及与PCB电路板连接的电气接口；激光器，由所述TOSA封装元件进行封装；PCB电路板；紧固散热装置，所述紧固散热装置包括底板和上压板，所述上压板和所述底板上设有位置对应的装配螺孔，所述底板和所述PCB电路板上制作有位置对应的装配螺孔。本实用新型大大推进了该高端国产化光通信芯片的商用进程。
-
公开(公告)号：CN219799913U
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202321270219.4
申请日：2023-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B27/28
Abstract: 本实用新型关于一种偏振旋转分束器，涉及无源光学元器件技术领域。包括第一偏振旋转区、绝热耦合器和滤波区；偏振旋转区和绝热耦合器的直通波导连接；滤波区与绝热耦合器的直通波导连接；第一偏振旋转区将入射的TM基模旋转为TE高阶模，入射的TE基模偏振态不发生变化；绝热耦合器将TE高阶模耦合到交叉波导的TE基模，入射的TE基模从直通波导输出；滤波区滤除直通波导输出的TE高阶模和TM基模。本实用新型输入的TM基模演化为TE高阶模，该TE高阶模经过绝热耦合器耦合到交叉波导的TE基模输出；输入的TE基模从直通波导输出。本实用新型无源片上偏振旋转分束器具有大的制作容差和工作带宽，表现出优异的偏振消光性能。
-
公开(公告)号：CN219591829U
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202321406363.6
申请日：2023-06-05
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型关于一种单横模半导体激光器，涉及半导体激光器技术领域。包括自下而上依次设置的衬底、下波导盖层、有源层和上波导盖层；衬底的底部与上波导盖层的顶部均设置有电极；上波导盖层包括未刻蚀层以及设置在未刻蚀层上的脊波导的脊区，脊波导的脊区两侧均设置有一段伴随波导。本实用新型在脊波导的脊区的两侧各添加了一段伴随波导，伴随波导能够将脊波导中的高阶模式耦合到伴随波导中并损耗掉，因此脊波导相比于传统的单模脊波导分布反馈激光器更宽，可以得到更高的输出功率、更高的亮度和更好的光束质量。
-
公开(公告)号：CN219266720U
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202320058432.2
申请日：2023-01-06
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开一种新型薄膜铌酸锂调制器，涉及光通信器件技术领域。本实用新型包括光学结构和电学结构。光学结构基于X切薄膜铌酸锂材料，包括：输入波导、分束器、波导臂、合束器、输出波导；波导臂包含常规波导区和调制波导区，调制波导区铌酸锂材料的铁电畴的极化方向相反。电学结构包括信号‑地‑信号电极组成的行波电极结构，包含信号输入区、调制电极区、匹配电阻区，采用差分驱动。本实用新型的薄膜铌酸锂调制器在采用差分驱动的同时降低了行波电极的电损耗，同时利用折叠结构，实现了低调制电压、高调制带宽和低插入损耗，为调制器的小型化和高度集成化提供了解决方案。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
78
records
(took 0.036 seconds)
