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公开(公告)号：CN116449493A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310590612.X
申请日：2023-05-24
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明关于一种大容差偏振旋转分束器，涉及无源光学元器件技术领域。包括第一偏振旋转区、绝热耦合器和滤波区；偏振旋转区和绝热耦合器的直通波导连接；滤波区与绝热耦合器的直通波导连接；第一偏振旋转区将入射的TM基模旋转为TE高阶模，入射的TE基模偏振态不发生变化；绝热耦合器将TE高阶模耦合到交叉波导的TE基模，入射的TE基模从直通波导输出；滤波区滤除直通波导输出的TE高阶模和TM基模。本发明输入的TM基模演化为TE高阶模，该TE高阶模经过绝热耦合器耦合到交叉波导的TE基模输出；输入的TE基模从直通波导输出。本发明无源片上偏振旋转分束器具有大的制作容差和工作带宽，表现出优异的偏振消光性能。
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公开(公告)号：CN114624815A
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN202210221580.1
申请日：2022-03-08
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本申请公开了一种大制作容差高偏振消光比无源波导型偏振旋转分束器，其中的波导芯层包括输入波导、第一模式转化器、锥形波导连接器、非对称耦合器、模式滤波器、输出波导；其中非对称耦合器包含宽度不同的上下耦合波导，模式滤波器包含第二模式转化器和1×1多模干涉耦合器。第一模式转化器把输入波导的TM偏振光旋转成高阶TE模式，非对称耦合器将该高阶TE模式耦合到上波导中，成为TE基模。输入波导的TE偏振光直接通过第一模式转化器、非对称耦合器下波导和模式滤波器，输出TE基模。本申请的无源波导型偏振旋转分束器具有高偏振消光比和大的制作容差。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110646884A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910614234.8
申请日：2019-07-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大制作容差高偏振消光比的偏振分束器，偏振分束器在传播方向上，包括输入波导、多模干涉耦合器、两条相移波导、2×2多模干涉耦合器、输出波导；多模干涉耦合器把输入波导的光强等分，分别进入上下两条相移波导，然后通过2×2多模干涉耦合器干涉输出。波导的朝向与晶体的 方向的具有45～135度的夹角。通过在两条相移波导上施加电压，分别改变TE和TM偏振光的有效折射率，使TE和TM偏振光的相位分别满足2×2MMI的干涉相长相消条件，实现偏振分束。本发明通过改变TE和TM偏振光的有效折射率来补偿制作工艺偏差造成的偏振光额外的相位差，因此具有大的制作容差；另外由于2×2MMI能实现很高的消光比,因此本发明的偏振分束器具有高的偏振消光比。
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公开(公告)号：CN113885129A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202111313111.4
申请日：2021-11-08
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本发明公开一种混合集成新方法，包括组装母板芯片；组装子板芯片；组装集成芯片；母板芯片包括母板芯片本体，母板芯片本体上设置有母板芯片金属区，母板芯片垂直支撑组件和母板芯片波导区，母板芯片波导区包含有用于垂直耦合的耦合波导区；子板芯片包括子板芯片本体，子板芯片本体上设置有子板芯片金属区，子板芯片垂直支撑组件和子板芯片波导区，子板芯片波导区包含有耦合波导区；子板芯片倒置贴合在母板芯片的顶端，母板芯片垂直支撑组件与子板芯片垂直支撑组件贴合，母板芯片耦合波导区与子板芯片耦合波导区贴合或靠近，母板芯片金属区与子板芯片金属区固接。本发明的混合集成方法增大了光芯片之间的对准容差，降低了光损耗和光反射。
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公开(公告)号：CN110646884B
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN201910614234.8
申请日：2019-07-09
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明公开了一种具有大制作容差高偏振消光比的偏振分束器，偏振分束器在传播方向上，包括输入波导、多模干涉耦合器、两条相移波导、2×2多模干涉耦合器、输出波导；多模干涉耦合器把输入波导的光强等分，分别进入上下两条相移波导，然后通过2×2多模干涉耦合器干涉输出。波导的朝向与晶体的方向的具有45～135度的夹角。通过在两条相移波导上施加电压，分别改变TE和TM偏振光的有效折射率，使TE和TM偏振光的相位分别满足2×2MMI的干涉相长相消条件，实现偏振分束。本发明通过改变TE和TM偏振光的有效折射率来补偿制作工艺偏差造成的偏振光额外的相位差，因此具有大的制作容差；另外由于2×2MMI能实现很高的消光比,因此本发明的偏振分束器具有高的偏振消光比。
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公开(公告)号：CN219799913U
公开(公告)日：2023-10-03
申请号：CN202321270219.4
申请日：2023-05-24
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B27/28
Abstract: 本实用新型关于一种偏振旋转分束器，涉及无源光学元器件技术领域。包括第一偏振旋转区、绝热耦合器和滤波区；偏振旋转区和绝热耦合器的直通波导连接；滤波区与绝热耦合器的直通波导连接；第一偏振旋转区将入射的TM基模旋转为TE高阶模，入射的TE基模偏振态不发生变化；绝热耦合器将TE高阶模耦合到交叉波导的TE基模，入射的TE基模从直通波导输出；滤波区滤除直通波导输出的TE高阶模和TM基模。本实用新型输入的TM基模演化为TE高阶模，该TE高阶模经过绝热耦合器耦合到交叉波导的TE基模输出；输入的TE基模从直通波导输出。本实用新型无源片上偏振旋转分束器具有大的制作容差和工作带宽，表现出优异的偏振消光性能。
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公开(公告)号：CN217981913U
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202221829868.9
申请日：2022-07-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: G02B6/12
Abstract: 本实用新型公开一种混合集成器件，子板芯片位于母板芯片上方，且子板芯片倒置在母板芯片上，或母板芯片位于子板芯片上方，且母板芯片倒置在子板芯片上，母板芯片和子板芯片贴合或靠近构成垂直波导耦合器；母板芯片的母板芯片本体上设置有母板芯片金属区、母板芯片垂直支撑组件和母板芯片波导区，母板芯片波导区包括母板芯片耦合波导区和母板芯片常规波导区；子板芯片的子板芯片本体上设置有子板芯片金属区、子板芯片垂直支撑组件和子板芯片波导区，子板芯片波导区包括子板芯片常规波导区和子板芯片耦合波导区，子板芯片常规波导区和子板芯片耦合波导区固接；本实用新型公开的混合集成器件增大了光芯片之间的对准容差，降低了光损耗和光反射。
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