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公开(公告)号：CN104681639A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201310638195.8
申请日：2013-12-02
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/202 , H01L31/03926 , H01L31/0747
Abstract: 本发明提供一种基于柔性基底的多晶硅薄膜太阳能电池及其制备方法，该太阳能电池包括依次制备在柔性基底上的电极一、p型或n型多晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、n型或p型非晶硅薄膜和电极二；其中，电极一和电极二分别为正极或负极。其制备方法包括：选择柔性基底并进行表面清洗处理；制备电极一；采用PECVD或HWCVD技术制备p型或n型非晶硅层，然后采用闪光灯退火法使其晶化为多晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备本征非晶硅薄膜；采用PECVD或HWCVD技术制备n型或p型非晶硅薄膜；制备电极二。本发明采用独特的薄膜制备及退火工艺，克服柔性基底耐高温性能差、热膨胀系数大的困难，成功地在柔性基底上制备出一种多晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN104609738A
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201310535108.6
申请日：2013-11-01
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C03C17/25
Abstract: 本发明涉及一种提高二氧化硅增透膜孔洞稳定性的方法，属于光学薄膜制备技术领域。采用溶胶-凝胶法制备二氧化硅增透膜，包括首先制备溶胶，然后进行高硼硅玻璃清洗及表面处理，再提拉制膜，最后进行薄膜热处理和薄膜表面疏水处理，其中，1)在溶胶中加入有机硅氧烷R’xSi(OR)4-x，对溶胶进行改性；2)在薄膜热处理中，对凝胶薄膜在90℃～350℃内进行阶梯保温热处理。本发明能有效提高多孔二氧化硅薄膜成膜率，并保证带有增透膜工件的透过率。
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公开(公告)号：CN103183513B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110451635.X
申请日：2011-12-29
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: H01M8/10
CPC classification number: Y02P70/56
Abstract: 本发明提供了一种在电极支撑体上制备质子导电陶瓷电解质薄膜的方法，所述陶瓷电解质薄膜的制备步骤包括：(1)配制电解质前驱体溶胶或电解质浆料，将该电解质前驱体溶胶或电解质浆料沉积在电极支撑体上，干燥、煅烧处理后获得通孔结构的电解质多孔骨架层；(2)配制低粘度电解质前驱体溶胶，将低粘度电解质前驱体溶胶沉积在电解质多孔骨架层上，煅烧处理后实现多孔骨架层孔洞的填充；(3)填充后的电解质多孔骨架层经过900-1200℃烧结处理，最后获得致密的质子导电陶瓷电解质薄膜。本方法制备陶瓷电解质薄膜具有工艺简易、成本低、成膜温度低等优点，制备的陶瓷电解质薄膜厚度在1-50微米范围内可控，薄膜均匀致密。
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公开(公告)号：CN102121757B
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201010103152.6
申请日：2010-01-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E10/40
Abstract: 一种非真空太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法，步骤为：(1)选取具低红外发射率铜或不锈钢作为基底材料；(2)选择耐高温氧化的氧化物、氮化物及复合或掺杂氧化物作为膜层材料，其中金属或合金为增加结合力层，金属氮化物或者纯金属为高红外反射层，吸收层由两层不同金属氮化物导电粒子体积分数的导电粒子陶瓷层组成，Al的氮化物和氧化物为减反射层；(3)针对不同的膜层材料通过控制气体流量和溅射功率控制其成分和含量；(4)置入真空室前将基底材料清洗；溅射前对其表面进行氩离子轰击。(5)获得具有多层结构的涂层，涂层的厚度在500纳米以下，在太阳能光谱范围(0.3～2.5微米)具有高的吸收率α(0.9～0.97)，在红外区域(2.5～50微米)有很低的发射率ε(0.02～0.18)。
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公开(公告)号：CN101876618B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200910241834.0
申请日：2009-12-11
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G01N7/04
Abstract: 本发明涉及等容法测试系统的系统误差测量和修正方法。通过固定空样品室和蓄压室体积大小，在多个温度下样品室的等温吸氢过程测量，获得测试系统氢容量测量误差随压力变化关系曲线，并对其进行数值回归，获得系统氢容量测量误差随压力和温度变化的数值方程。利用该方程对该系统实际储氢材料储氢性能测量结果进行修正，从而准确获得储氢材料的储氢容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101733155B
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN200910241818.1
申请日：2009-12-09
Applicant: 北京有色金属研究总院
CPC classification number: Y02E60/362
Abstract: 本发明涉及一种无副反应产物，高效催化Li-Mg-B-N-H储氢材料进行可逆储放氢的MCoHx(M＝Ti或Zr，1≤x≤3)催化剂及其制备方法，以及具有高储氢容量，同时可在较低的温度下快速吸放氢的MCoHx催化剂/Li-Mg-B-N-H可逆储氢材料及其制备方法。具体地，通过感应熔炼、氢化和脱氢循环，获得粒径小于100目的MCoHx催化剂，其中M＝Ti或Zr，1≤x≤3。将MCoHx催化剂与Mg粉在高压氢气气氛中进行氢化反应球磨得到催化MgH2粉，随后将催化MgH2粉与LiNH2和LiBH4按摩尔比(1.0～1.1)∶2∶(0.1～0.3)混合，在氩气或氮气气氛中进行球磨复合化处理，制成Li-Mg-B-N-H催化可逆储氢材料，实现在150℃，0.1MPa可逆放氢量4.6wt％以上。
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公开(公告)号：CN102530860A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010609500.7
申请日：2010-12-28
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: C01B3/04
CPC classification number: Y02E60/364
Abstract: 本发明涉及一种自带热源的金属氢化物氢压缩装置及其制作方法，其特征在于：可在无外加热源的条件下，实现金属氢化物氢压缩装置的自我升温，使其在室温吸氢，并在高温下放出高压氢气。该装置包括装有金属氢化物的氢压缩部分和热源部分，热源部分中的相变储能材料在加热条件下，升温相变，储存热量，为氢压缩部分中的金属氢化物提供热量，使其在大于2小时的时间内保持在50～300℃之间的某一温度范围内进行放氢操作，放氢压力在10～100MPa之间。
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公开(公告)号：CN101876617B
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：CN200910241833.6
申请日：2009-12-11
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G01N7/04
Abstract: 本发明涉及等容法测试系统进行储氢材料储氢性能测试过程中测量误差的减小方法，在不改变系统结构的情况下，根据测试系统的温度分布特点，将样品室体积分段处理，计算样品室中气体的量，减小了因样品所处温度与室温环境温度存在的巨大温差而导致的系统测量误差，提高了测试系统的测量精度。
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公开(公告)号：CN101876618A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200910241834.0
申请日：2009-12-11
Applicant: 北京有色金属研究总院
IPC: G01N7/04
Abstract: 本发明涉及等容法测试系统的系统误差测量和修正方法。通过固定空样品室和蓄压室体积大小，在多个温度下样品室的等温吸氢过程测量，获得测试系统氢容量测量误差随压力变化关系曲线，并对其进行数值回归，获得系统氢容量测量误差随压力和温度变化的数值方程。利用该方程对该系统实际储氢材料储氢性能测量结果进行修正，从而准确获得储氢材料的储氢容量。
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公开(公告)号：CN101624674A
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200810116326.5
申请日：2008-07-08
Applicant: 北京有色金属研究总院
Abstract: 本发明涉及使用商用钒铁合金作为廉价的钒源，并添加微量的稀土元素Ce，所获得钛铬钒铁固溶体储氢合金，该合金的化学式为Ti x -Cr y -V z -Fe m -Ce w ，其中x+y+z+m＝100，0.8≤x/y≤1.1，35≤(z+m)≤55，5.0≤z/m，0.6≤w≤2.0。该合金具有室温储氢容量大于3.3wt％，443K有效的放氢容量大于2.10wt％的储氢性能。其制备工艺简单，易于大量生产。
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