一种非真空太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN102121757A

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN201010103152.6

    申请日:2010-01-28

    CPC classification number: Y02E10/40

    Abstract: 一种非真空太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法,步骤为:(1)选取具低红外发射率铜或不锈钢作为基底材料;(2)选择耐高温氧化的氧化物、氮化物及复合或掺杂氧化物作为膜层材料,其中金属或合金为增加结合力层,金属氮化物或者纯金属为高红外反射层,吸收层由两层不同金属氮化物导电粒子体积分数的导电粒子陶瓷层组成,Al的氮化物和氧化物为减反射层;(3)针对不同的膜层材料通过控制气体流量和溅射功率控制其成分和含量;(4)置入真空室前将基底材料清洗;溅射前对其表面进行氩离子轰击。(5)获得具有多层结构的涂层,涂层的厚度在500纳米以下,在太阳能光谱范围(0.3~2.5微米)具有高的吸收率α(0.9~0.97),在红外区域(2.5~50微米)有很低的发射率ε(0.02~0.18)。

    一种Li-Mg-B-N-H催化可逆储氢材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101733155A

    公开(公告)日:2010-06-16

    申请号:CN200910241818.1

    申请日:2009-12-09

    CPC classification number: Y02E60/362

    Abstract: 本发明涉及一种无副反应产物,高效催化Li-Mg-B-N-H储氢材料进行可逆储放氢的MCoHx(M=Ti或Zr,1≤x≤3)催化剂及其制备方法,以及具有高储氢容量,同时可在较低的温度下快速吸放氢的MCoHx催化剂/Li-Mg-B-N-H可逆储氢材料及其制备方法。具体地,通过感应熔炼、氢化和脱氢循环,获得粒径小于100目的MCoHx催化剂,其中M=Ti或Zr,1≤x≤3。将MCoHx催化剂与Mg粉在高压氢气气氛中进行氢化反应球磨得到催化MgH2粉,随后将催化MgH2粉与LiNH2和LiBH4按摩尔比(1.0~1.1)∶2∶(0.1~0.3)混合,在氩气或氮气气氛中进行球磨复合化处理,制成Li-Mg-B-N-H催化可逆储氢材料,实现在150℃,0.1MPa可逆放氢量4.6wt%以上。

    一种非真空太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法

    公开(公告)号:CN102121757B

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201010103152.6

    申请日:2010-01-28

    CPC classification number: Y02E10/40

    Abstract: 一种非真空太阳光谱选择性吸收涂层及其制备方法,步骤为:(1)选取具低红外发射率铜或不锈钢作为基底材料;(2)选择耐高温氧化的氧化物、氮化物及复合或掺杂氧化物作为膜层材料,其中金属或合金为增加结合力层,金属氮化物或者纯金属为高红外反射层,吸收层由两层不同金属氮化物导电粒子体积分数的导电粒子陶瓷层组成,Al的氮化物和氧化物为减反射层;(3)针对不同的膜层材料通过控制气体流量和溅射功率控制其成分和含量;(4)置入真空室前将基底材料清洗;溅射前对其表面进行氩离子轰击。(5)获得具有多层结构的涂层,涂层的厚度在500纳米以下,在太阳能光谱范围(0.3~2.5微米)具有高的吸收率α(0.9~0.97),在红外区域(2.5~50微米)有很低的发射率ε(0.02~0.18)。

    一种Li-Mg-B-N-H催化可逆储氢材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101733155B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN200910241818.1

    申请日:2009-12-09

    CPC classification number: Y02E60/362

    Abstract: 本发明涉及一种无副反应产物,高效催化Li-Mg-B-N-H储氢材料进行可逆储放氢的MCoHx(M=Ti或Zr,1≤x≤3)催化剂及其制备方法,以及具有高储氢容量,同时可在较低的温度下快速吸放氢的MCoHx催化剂/Li-Mg-B-N-H可逆储氢材料及其制备方法。具体地,通过感应熔炼、氢化和脱氢循环,获得粒径小于100目的MCoHx催化剂,其中M=Ti或Zr,1≤x≤3。将MCoHx催化剂与Mg粉在高压氢气气氛中进行氢化反应球磨得到催化MgH2粉,随后将催化MgH2粉与LiNH2和LiBH4按摩尔比(1.0~1.1)∶2∶(0.1~0.3)混合,在氩气或氮气气氛中进行球磨复合化处理,制成Li-Mg-B-N-H催化可逆储氢材料,实现在150℃,0.1MPa可逆放氢量4.6wt%以上。

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