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公开(公告)号：CN119476173A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202411717732.2
申请日：2024-11-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: G06F30/39 , G06F115/08
Abstract: 本公开涉及芯片IP核及EDA技术领域，具体涉及一种带上电控制的定制IO IP核、定制POC IP核的生成方法和生成装置及芯片。本公开通过定制EDA工具获取用户需求，并通过定制EDA工具获取可配置POC IP核和IO IP核，对可配置POC IP核的POC输入阈值电压可调模块进行配置，生成配置后的POC输入阈值电压可调模块，连接POC核心电路模块和配置后的POC输入阈值电压可调模块生成定制POC IP核，再连接定制POC IP核和IO IP核，生成带上电控制的定制IO IP核，所述带上电控制的定制IO IP核可以及时检测不完全上电情况，由此提高了在电源突然断电等不完全上电情况下的稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN119180924A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411115503.3
申请日：2024-08-14
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网江苏省电力有限公司营销服务中心 , 国网江苏省电力有限公司 , 国家电网有限公司
IPC: G06T17/20
Abstract: 本发明提供一种模型转化方法、装置和电子设备，属于计算机技术领域。方法包括：获取2D器件几何模型；基于网格种类转化工具将2D器件几何模型的三角形网格转化为四边形网格，确定对四边形网格的网格密度检测结果；在网格密度检测结果表征网格密度满足要求的情况下，基于网格种类转化工具将四边形网格转化成六面体网格，删除六面体网格中游离的几何数据；响应于拉伸参数配置指令，获取拉伸参数，通过拉伸工具基于拉伸参数将六面体网格拉伸成3D器件几何模型。本发明通过将2D器件几何模型的三角形网格转化成四边形网格，将四边形网格转化成六面体网格，再将六面体网格拉伸为3D器件几何模型，实现建模时间以及降低开发成本。
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公开(公告)号：CN118610266B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411082427.0
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。
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公开(公告)号：CN118610266A
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN202411082427.0
申请日：2024-08-08
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底、第一阱区、体区、漂移区、源极、漏极和栅极，场板凹槽，形成于漂移区；夹层结构，形成于场板凹槽内，夹层结构由下至上依次包括：第一氧化层、氮化硅层和第二氧化层；第一氧化层为中间薄两边厚的构型，包括：垫底氧化层和两个氧化侧墙，氧化侧墙突出于衬底；多晶硅层，形成于夹层结构上表面；多晶硅层和夹层结构共同构成场板结构，在多晶硅层施加电压之后，夹层结构能存储电荷，控制载流子在漂移区内的流通路径。本发明能够存储电荷，改善表面的自热效应，提高击穿电压，提高器件的可靠性，增强场板的作用，提高击穿电压，节省工艺流程。
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公开(公告)号：CN118315291B
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410706029.5
申请日：2024-06-03
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 浙江大学
Abstract: 本发明提供一种电容隔离器及其制备方法，属于半导体制造技术领域。该电容隔离器制备方法包括：分别制备隔离电容芯片、发射机芯片和接收机芯片，发射机芯片和/或接收机芯片设置有硅通孔；将发射机芯片和接收机芯片分别与隔离电容芯片进行键合，得到电容隔离器。使电容器的耐压性能不再受制于集成电路后端金属互联层的厚度，提高了电容器耐压，可以避免在金属间绝缘层的沉积过程中对硅衬底产生较大的机械应力，降低了衬底弯曲或碎裂和器件失效的风险，从而提高了器件的可靠性。通过将传统的二维集成电路转变为三维集成电路，提高芯片面积率用率，提供了更优的电路连接，降低应力引发器件失效的风险，提高器件可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116930594B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311178015.2
申请日：2023-09-13
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网山西省电力公司 , 国网山西省电力公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件原位微区电流分布检测方法及系统，属于半导体器件检测领域，该方法包括：搭建NV色心检测平台；对半导体器件检测样品施加电流，使其导通；利用NV色心检测平台检测半导体器件检测样品正面的磁场强度；利用傅里叶变换、毕奥‑萨伐尔定律、电流密度连续性方程和半导体器件检测样品正面的磁场强度计算半导体器件检测样品正面的原位微区电流密度，以确定半导体器件原位微区电流分布。通过本发明提供的方法，能够探测半导体器件的磁场信号，从而反演获得半导体器件内部微区电流信息，实现半导体器件原位微区电流分布检测，获得半导体器件中载流子实际的输运过程，指导半导体器件设计。
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公开(公告)号：CN116191048A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310464495.2
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京航空航天大学
Abstract: 本发明提供一种电磁环境测量天线，属于无线电监测工作领域。所述电磁环境测量天线包括：介质基板、馈电结构和多个超表面单元；多个超表面单元呈阵列式布置在所述介质基板的上表面形成超表面单元阵列；所述馈电结构设置在所述介质基板的下表面；所述馈电结构包括T型金属贴片和开设在所述T型金属贴片上的T型环缝；所述T型环缝由横向第一开口和纵向第二开口构成；所述超表面单元阵列的中心点与第一开口的中心点重合。本发明提供的电磁环境测量天线有异于传统的喇叭天线和抛面天线，不仅具有双频带特性，具有较宽的带宽，更重要的是其馈电结构小，传输效率高，且天线整体结构呈现出规则的立体状态，低剖面，整体尺寸小，节省了机箱的空间。
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公开(公告)号：CN115863397A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202310056857.4
申请日：2023-01-19
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L29/16 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种横向双扩散场效应晶体管、制作方法、芯片及电路，涉及半导体技术领域。晶体管包括：衬底；阱区，形成于衬底；体区和漂移区，形成于阱区；异质结延伸区，形成于漂移区的上表面，异质结延伸区包括漂移延伸层和层叠设置于漂移延伸层之上的碳化硅延伸层，漂移延伸层与碳化硅延伸层具有不同的导电类型，漂移延伸层与漂移区具有相同的导电类型；氧化介质层，形成于漂移区的上表面，位于异质结延伸区的两侧；栅极，形成于体区之上；源极，形成于体区；漏极，形成于漂移区。通过本发明提供的晶体管，能够减轻漂移区表面电子的聚集，改善自热效应，避免载流子迁移率下降，降低热载流子效应，提高击穿电压，提高器件性能和可靠性。
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公开(公告)号：CN114722882A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202210561341.0
申请日：2022-05-23
Applicant: 北京智芯微电子科技有限公司 , 北京芯可鉴科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电磁技术领域，公开了一种脉冲电场数据的处理方法与系统。所述处理方法包括：获取脉冲电场波形中的多个极大值点；对所述多个极大值点进行拟合，以获取所述脉冲电场波形的包络线；以及根据所述脉冲电场波形的包络线，获取所述脉冲电场波形的特征参数值。本发明可简单且有效地对开关设备等操作所产生的脉冲电场数据进行处理，以准确地获取相应的特征参数值，从而可及时监测二次设备周围的电磁环境的突变情况。
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公开(公告)号：CN114268310A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111331236.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 北京芯可鉴科技有限公司 , 北京智芯微电子科技有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 芯创智(北京)微电子有限公司
IPC: H03K19/0185
Abstract: 本发明提供一种电平移位器和数字隔离器，该电平移位器还包括偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述输入信号端连接电平移位主体单元、偏置电流瞬态增强单元和边沿快速响应单元；所述偏置电流瞬态增强单元的输出端与边沿快速响应单元的输入端连接，所述边沿快速响应单元的输出端与所述电平移位主体单元的输入端连接，所述电平移位主体单元的输出端作为所述输出信号端；所述偏置电流瞬态增强单元用于在输入信号跳变过程中为边沿快速响应单元提供瞬态增强后的偏置电流，所述边沿快速响应单元用于在所述偏置电流的作用下快速响应，以加快电平移位主体单元输出电平的转换速度。解决了传统电平移位器在输入信号电平突变时响应较慢的问题。
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