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公开(公告)号：CN103551734A
公开(公告)日：2014-02-05
申请号：CN201310518304.2
申请日：2013-10-28
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36
CPC classification number: B23K2103/42 , B23K26/0006 , B23K26/355
Abstract: 一种使PTFE或FEP表面同时具备超疏水及水下高反光性质的方法属于激光加工领域。本方法利用1064nm皮秒激光微加工系统在PTFE、FEP表面加工出25μm缝宽的一维或二维沟槽阵列，使得其表面产生超疏水性，若将制备后的超疏水样品完全浸入水中，超疏水表面会呈现金属光泽高反光表面。本发明操作步骤如下：调节皮秒激光光路；利用专业软件绘制出加工路径；根据加工要求调整皮秒激光输出功率；当激光功率满足要求后，输出皮秒脉冲激光进行加工；加工完成后，无需后续清洗即可达到超疏水要求，制成品浸入水中可直接出现类金属高反光表面。
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公开(公告)号：CN102358954B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110308500.8
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.22、0.25、0.28、0.32或0.35，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒；将多晶料棒置于浮区炉中，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为2～5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6～8mm、长50～115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体，成晶质量高，简化了工艺，效率高。
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公开(公告)号：CN102061522B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN201010538332.7
申请日：2010-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了大尺寸Al2O3基晶体的二步法制备方法。将Al2O3粉料和掺杂粉料制成素坯棒，将素坯棒作为籽晶棒或料棒，使籽晶棒顶端或料棒末端与卤素灯处于同一水平线上；在空气氛围中，卤素灯以2720～3060W/h的功率输出，对素坯棒往复扫描加热，直至素坯棒熔化、结晶，得到多晶料棒；将多晶料棒一根作为籽晶，一根作为原料棒，使原料棒末端与籽晶棒顶端接触，并且接触处与卤素灯处于同一在水平线上，在空气氛围中，卤素灯以3200～3400W/h的功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、向上移动通过熔区，进行晶体生长。本发明方法得到的晶体无杂质，小角度晶界较少，表现出良好的晶体质量。
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公开(公告)号：CN102358954A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110308500.8
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.22、0.25、0.28、0.32或0.35，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒；将多晶料棒置于浮区炉中，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为2～5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6～8mm、长50～115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体，成晶质量高，简化了工艺，效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102021647A
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN201010522412.3
申请日：2010-10-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种快速生长厘米量级红宝石晶体的方法，属于红宝石晶体生长领域。将Al2O3粉料和Cr2O3粉料制成素坯棒；将料棒烧结成多晶料棒；将多晶料棒一根固定作为籽晶，一根悬挂作为料棒，使两料棒末端接触，接触处与卤素灯处于同一水平线上，两料棒在竖直方向上成一直线；在空气氛围中，四椭球卤素灯0.2-0.5h内达到3360-3550W/h的总功率，使两料棒接触处融化，保持这种功率输出，籽晶和原料棒逆向旋转，原料棒和籽晶棒分别向下、上移动通过熔区，晶体生长完成后，在1-2h内输出功率降至0。本发明方法生长速度快，制备周期短、效率高，红宝石长度可达50-70mm，直径可达7-9mm。
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公开(公告)号：CN101239825B
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN200810102388.0
申请日：2008-03-21
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622
Abstract: 一种提高Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15陶瓷压电常数的方法属于Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15无铅压电陶瓷的改性领域。本发明方法步骤如下：1)对Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15材料进行配料、混合和预反应；2)将预反应后的粉料压制成圆片状坯体，进行烧结，形成致密的圆片状陶瓷体；3)用连续CO2激光辐照圆片状陶瓷体，CO2激光功率密度为764W/cm2，辐照时间为90秒。本发明提高了Ba0.5Sr1.5Na0.6K0.4Nb5O15陶瓷压电常数，改变了单纯依赖改进预烧和烧结的温度及时间的现状，操作简便，效率高，可重复性强。
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公开(公告)号：CN101502919A
公开(公告)日：2009-08-12
申请号：CN200910079497.X
申请日：2009-03-13
Applicant: 北京工业大学
IPC: B23K26/36
Abstract: 本发明是一种制备具有超疏水性表面聚偏氟乙烯的装置及方法，本方法通过KrF准分子激光辐照聚偏氟乙烯(PVDF)材料，使其表面具有超疏水性。本发明的装置包括沿光的传播方向依次设置激光器、透镜阵列、第一会聚透镜、第二会聚透镜、反射镜和用于放置样品的工作台。本发明通过调节光斑大小和激光器输出能量，控制材料表面的能量密度，一站式完成材料表面的改性，最短几秒内使材料达超疏水性，并且性能比较稳定，与水的静态接触角最高可以达到160.6°。
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公开(公告)号：CN101475404A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910077834.1
申请日：2009-01-23
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B41/80
Abstract: 本发明是一种用于激光辐照功能材料的气氛控制装置，涉及激光加工领域，尤其是针对特定气氛气压及流速下的激光辐照陶瓷材料改性领域。目前，对功能陶瓷进行激光辐照，使其功能改性的过程大多在空气、常压的条件下进行，不能在烧结过程中进行气氛补偿和控制，对于功能陶瓷的性能改善有很大影响，制约了该技术的进一步发展。其特征在于：该气氛控制装置腔体密封，保证气密性；腔体留有用于激光照射的窗口；气瓶、稳压阀、压力表依次串联后通过腔体上设的进气孔连接腔体；腔体上的出气孔连接安全阀，安全阀与阀门和流量计的串联系统并联。本发明可以实现对激光辐照区域气体成分及流速的稳定控制。
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公开(公告)号：CN101298116A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810115283.9
申请日：2008-06-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明是一种用于激光材料加工的非同轴工件加工点定位装置及方法，属于材料加工领域。包括CCD摄像机、图像采集卡、控制电路、固定装置和计算机。通过固定装置将CCD摄像机、控制电路固定到在激光加工头上。通过在材料废料处预加工，移动激光加工头使CCD摄像机对预加工图案进行成像定位，确定出CCD摄像机与激光加工头的相对位置，之后用CCD摄像机代替激光加工头对需要加工的工件部位进行空走预加工，观察加工路径是否符合要求，如不符合，调整加工路径、加工补偿和工件位置直至符合加工要求，最后移动激光加工头到CCD摄像机位置，进行最终的激光加工。该发明无需改变现有激光加工头的构造，装配简易，整个定位过程快速，精度高。
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