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公开(公告)号：CN1410851A
公开(公告)日：2003-04-16
申请号：CN02153472.1
申请日：2002-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种光折变晶体多重全息存储器的热固定方法和系统，属于光存储技术领域，本发明的方法包括以下步骤(1)分批及计算批次数，(2)计算各个批次中每个全息图的曝光时间，(3)记录同一批全息光栅，(4)将记录了同一批全息光栅后的晶体定影，(5)一次性显影出各个分批记录及定影的晶体；本发明的系统包括激光器(1)，偏振分束棱镜(2)，由电子快门(3)、针孔滤波扩束准直系统(5)及复用读写系统(8)组成的参考光路，由电子快门(3)、针孔滤波扩束准直系统(5)、组页器(6)、透镜(7)和探测器(10)组成的物光光路，复位装置(9)，分批定影热固定方法既提高了读出的衍射效率，又有效地改善图象的质量。
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公开(公告)号：CN102358954B
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201110308500.8
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.22、0.25、0.28、0.32或0.35，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒；将多晶料棒置于浮区炉中，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为2～5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6～8mm、长50～115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体，成晶质量高，简化了工艺，效率高。
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公开(公告)号：CN102358954A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201110308500.8
申请日：2011-10-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种生长CaxBa1-xNb2O6系列晶体的方法属于晶体生长领域。将粉料CaCO3、BaCO3和Nb2O5按CaxBa1-xNb2O6化学计量比进行配料，其中x＝0.22、0.25、0.28、0.32或0.35，球磨烘干、200目过筛；预烧，再次球磨、烘干，80目过筛；将粉料装入长条橡胶气球中压实封闭，抽真空，等静压下制成粗细、密度均匀的素坯棒；将素坯棒在提拉旋转烧结炉中烧结得到致密均匀多晶料棒；将多晶料棒置于浮区炉中，以60～100℃/min的速率升温至料棒和籽晶融化，对接；设置晶体生长速度为2～5mm/h开始生长后冷却至室温。本发明首次用光学浮区法生长出直径为6～8mm、长50～115mm无宏观缺陷的CaxBa1-xNb2O6晶体，成晶质量高，简化了工艺，效率高。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1207639C
公开(公告)日：2005-06-22
申请号：CN02153472.1
申请日：2002-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种光折变晶体多重全息存储器的热固定方法和系统，属于光存储技术领域，本发明的方法包括以下步骤(1)分批及计算批次数，(2)计算各个批次中每个全息图的曝光时间，(3)记录同一批全息光栅，(4)将记录了同一批全息光栅后的晶体定影，(5)一次性显影出各个分批记录及定影的晶体；本发明的系统包括激光器(1)，偏振分束棱镜(2)，由电子快门(3)、针孔滤波扩束准直系统(5)及复用读写系统(8)组成的参考光路，由电子快门(3)、反射镜(4)、针孔滤波扩束准直系统(5)、组页器(6)、透镜(7)、透镜(9)和探测器(10)组成的物光光路，支持晶体11的复位装置(12)，分批定影热固定方法既提高了读出的衍射效率，又有效地改善图像的质量。
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公开(公告)号：CN1004150B
公开(公告)日：1989-05-10
申请号：CN88100191
申请日：1988-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 钨酸锌晶体的掺杂去色工艺属于钨酸盐系列晶体制造领域。这种工艺一般以Sb2O3或Bi2O3或银作掺杂去色剂，其共同缺点是无法拉制出大尺寸的无色晶体。本发明的特征是以Nb2O3为掺杂材料，当掺入比为2×10-5～1×10-4，提拉速度在3～6mm/h、旋转速率在20～30转/分，生长结束后的降温速率为40～60℃/h之间时，可得到无色的大尺寸ZnWO4晶体，发光性能与纯ZnWO4晶体无异，能量分辩率可达13～14％。
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公开(公告)号：CN1032200A
公开(公告)日：1989-04-05
申请号：CN88100191
申请日：1988-01-28
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 钨酸锌晶体的掺杂去色工艺属于钨酸盐系列晶体制造领域。这种工艺一般以Sb2O3或Bi2O3或银作掺杂去色剂，其共同缺点是无法拉制出大尺寸的无色晶体。本发明的特征是以Nb2O3为掺杂材料，当掺入比为2×10-5～1×10-4，提拉速度在3～6mm/h、旋转速率在20～30转/分，生长结束后的降温速率为40～60℃/h之间时，可得到无色的大尺寸ZnWO4晶体，发光性能与纯ZnWO4晶体无异，能量分辨率可达13～14％。
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公开(公告)号：CN85104093B
公开(公告)日：1988-08-24
申请号：CN85104093
申请日：1985-05-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 这是一种用于制备外观完全去色的钨酸锌单晶的热处理工艺。其特征在于，在大气气氛中进行热处理的同时，须在晶片的Ｃ方向（［００１］方向）施加电场。这个电场由２００～３００伏直流电压产生，此时炉子的加热温度在１１００～１２００℃之间，保温时间视晶体厚度而定，这样，就能获得外观完全去色的钨酸锌单晶，经测定，其性能指标均优于用一般热处理方法获得的同类单晶体。
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公开(公告)号：CN85104093A
公开(公告)日：1986-11-26
申请号：CN85104093
申请日：1985-05-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 这是一种用于制备外观完全去色的钨酸锌单晶的热处理工艺。其特征在于，在大气气氛中进行热处理的同时，须在晶片的C方向(〔001〕方向)施加电场。这个电场由200～300伏直流电压产生，此时炉子的加热温度在1100～1200℃之间，保温时间视晶体厚度而定，这样，就能获得外观完全去色的钨酸锌单晶，经测定，其性能指标均优于用一般热处理方法获得的同类单晶体。
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