-
公开(公告)号:CN100577857C
公开(公告)日:2010-01-06
申请号:CN200810056012.0
申请日:2008-01-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 具有超疏水性能的多孔导电纳米铜薄膜材料的制备方法属于表面技术领域。目前还没有具有超疏水性能的同时并具备导电性能的多孔纳米铜膜的报道。所采用的技术方案是在固体表面先用高功率沉积一层金属铜薄膜,然后采用小功率溅射法对金属铜薄膜表面进行小功率溅射沉积。我们的研究表明,直接先沉积的一层金属铜表面接触角在90度左右,在经过稳定的小功率溅射沉积后,接触角在155℃左右,达到超疏水性,并同时保持良好的导电性能。本发明的纳米多孔薄膜材料不但具有超疏水性,并且比其它超疏水薄膜材料拥有较好的机械性能,优良的热传导性和良好的导电性能。该薄膜材料主要应用于微流器件、生物芯片、半导体芯片表面技术等领域。
-
公开(公告)号:CN100575305C
公开(公告)日:2009-12-30
申请号:CN200710176088.2
申请日:2007-10-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 本发明属于压电陶瓷材料的制备技术领域。目前商用的压电陶瓷仍以锆钛酸铅基陶瓷为主,对环境造成很大损害。本发明步骤:将五氧化二铌和焦硫酸钾按摩尔比为1∶8混合经280-320℃煅烧1-2h得到的产物溶于草酸溶液调pH值至2-3,获得白色沉淀;离心沉淀并溶于草酸溶液,搅拌后得到澄清透明的含铌草酸溶液A;调溶液A至pH值为10-11,经离心得白色沉淀物B;按压电陶瓷铌酸锂钠钾成分配比,将碳酸锂,碳酸钠和碳酸钾溶于乙酸中制得溶液,该溶液与沉淀物B加入到浓度为8-10mol/L的柠檬酸水溶液中,搅拌得到淡黄色透明溶胶C;80-120℃干燥48h得到透明的干凝胶D;300-400℃下处理2h去除有机物得到中间产物E;500~600℃下煅烧2-8h。本发明粉体颗粒尺寸分布范围窄、成分均匀,降低了成本。
-
公开(公告)号:CN101381231A
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200810223964.7
申请日:2008-10-10
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/622
Abstract: 一种三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料及其制备方法属于功能陶瓷及其制造领域。本发明目的在于提高现有三元系钛酸铋钠基无铅压电陶瓷材料的退极化温度和机械品质因子。本发明陶瓷材料的组成为(100-x)Bi1/2Na1/2TiO3-4x Bi1/2K1/2TiO3-xBaTiO3-yCo2O3,其中,2≤x≤4,0.25≤y≤2.0。本发明通过以无水碳酸钠、无水碳酸钾、氧化铋、二氧化钛、碳酸钡和三氧化二钴为原料经预合成、轧膜和烧结得到陶瓷材料。本发明所制备的陶瓷材料退极化温度高(157℃),机械品质因子高(626),具有良好的压电和介电性能,可用于中频陶瓷滤波器、谐振器及压电传感器和致动器等的制作中。
-
公开(公告)号:CN100468781C
公开(公告)日:2009-03-11
申请号:CN200710099092.3
申请日:2007-05-11
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L29/861 , H01L21/329
Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底,Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性,解决了现有技术利用PLD成本高,不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。
-
公开(公告)号:CN101219897A
公开(公告)日:2008-07-16
申请号:CN200710176088.2
申请日:2007-10-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/624
Abstract: 本发明属于压电陶瓷材料的制备技术领域。目前商用的压电陶瓷仍以锆钛酸铅基陶瓷为主,对环境造成很大损害。本发明步骤:将五氧化二铌和焦硫酸钾按摩尔比为1∶8混合经280-320℃煅烧1-2h得到的产物溶于草酸溶液调pH值至2-3,获得白色沉淀;离心沉淀并溶于草酸溶液,搅拌后得到澄清透明的含铌草酸溶液A;调溶液A至pH值为10-11,经离心得白色沉淀物B;按压电陶瓷铌酸锂钠钾成分配比,将碳酸锂,碳酸钠和碳酸钾溶于乙酸中制得溶液,该溶液与沉淀物B加入到浓度为8-10mol/L的柠檬酸水溶液中,搅拌得到淡黄色透明溶胶C;80-120℃干燥48h得到透明的干凝胶D;300-400℃下处理2h去除有机物得到中间产物E;500~600℃下煅烧2-8h。本发明粉体颗粒尺寸分布范围窄、成分均匀,降低了成本。
-
公开(公告)号:CN100347128C
公开(公告)日:2007-11-07
申请号:CN200610012295.X
申请日:2006-06-16
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/462 , C04B35/475 , C04B35/626
Abstract: 本发明属于压电陶瓷制备技术领域。本发明方法主要解决固相法合成温度高、钛酸铋钾粉体较粗、团聚严重的问题。本发明步骤是按摩尔比1∶1∶4称量K2CO3,Bi2O3和TiO2原料,装入以二氧化锆球为磨介,以无水乙醇为分散介质的尼龙罐中,球磨6~12h;按熔盐与原料质量比1∶9~3∶7称量KCl熔盐,装入到上述尼龙罐中,球磨6~12h;将上述混合物置于氧化铝坩埚中;在800~900℃下晶化2~4h;用去离子水洗涤至用硝酸银试剂检测不到滤液中含氯离子,干燥,即得所需产物。由本发明方法可以得到不含有铅、且具有纯钙钛矿相结构、均一粒径的钛酸铋钾超细粉体。
-
公开(公告)号:CN1952214A
公开(公告)日:2007-04-25
申请号:CN200610114663.1
申请日:2006-11-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二氧化钛薄膜材料的超亲水驱油表面制备方法属于功能材料领域。现有技术用光照二氧化钛薄膜实现了超亲水性,但许多石油化工仪器设备中并不具备光照条件,且需进一步降低表面与油的接触角。本发明步骤:衬底上沉积一层0.1-10微米二氧化钛薄膜;再放入气相化学表面处理室中,抽真空后充入氢气,气压在1~50000Pa;温度在室温到800℃的范围,还原处理10~120分钟。在气压0.5~2000Pa的范围,充入醇类物质使之以气态存在;在基底附近施加射频电磁场使气体发生辉光放电,产生低温等离子体,射频功率为20~500W,基底温度为室温~800℃,羟基化时间10~120分钟。该薄膜与蒸馏水静接触角为4.1°,与高速泵油的静接触角为28.4°,镀于测量原油流速的传感器探头表面,明显改善了表面附着石蜡的情况。
-
公开(公告)号:CN1793036A
公开(公告)日:2006-06-28
申请号:CN200510123977.3
申请日:2005-11-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C01B3/02
Abstract: 本发明属功能陶瓷领域。目前制备铌酸盐薄膜用铌的醇盐作原料,要求控制精确,时间长,成本高。本方法步骤:按Nb2O5∶柠檬酸=1∶10~20称水合氧化铌和柠檬酸,加入到乙二醇单甲醚中,再加过氧水,70~90℃下回流4~8h形成含铌溶液;醋酸钾溶于乙酸溶液得含钾溶液;将含钾溶液和含铌溶液按K∶Nb=4.0~4.2∶6混合,浓度0.10~0.15M,70~90℃下混合30~45分钟形成前驱液,陈化24~48h;旋涂成膜,甩胶速度3000~4000转/分,时间为30~45s,干燥,350℃~400℃预处理10~15分钟,经3~4次成膜-干燥-预处理,获得80~100nm的薄膜后,再以10~15℃/分升至600~700℃,退火10~15min。本发明不需用昂贵的铌醇盐,前驱液稳定性好,薄膜具良好(040)择优取向结构、光催化分解水制氢能力。
-
公开(公告)号:CN1412151A
公开(公告)日:2003-04-23
申请号:CN02153499.3
申请日:2002-12-05
Applicant: 北京工业大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/453 , G11C11/22
Abstract: 一种铁电存储器材料钙钛矿型SrBi2Ta2O9陶瓷粉末的制备方法属于铁电存储器材料领域。本发明所采用的方法,其特征在于,它包括以下步骤:按摩尔比(0.95~1)∶(1~1.05)∶1称量醋酸锶、氧化铋和氧化钽固体,加入到5~10M氢氧化钾的水溶液中,搅拌均匀后,装入密闭的反应釜中;在200~240℃及自生压力下晶化12~48h;晶化产物经抽滤后,用去离子水洗涤,干燥,即得所需产物。该方法不使用较贵的原材料,生产工艺简单,由于反应在液相中进行并且不需要高温处理,不但降低了能耗,而且所得产物具有纯相的钙钛矿结构、均一的粒径。由该方法制备出的铁电存储器材料广泛应用于SBT靶材的制备及高温、高频场合使用的压电材料。
-
公开(公告)号:CN118391038A
公开(公告)日:2024-07-26
申请号:CN202410476721.3
申请日:2024-04-19
Applicant: 北京市政建设集团有限责任公司 , 北京工业大学
Abstract: 本申请提供了一种新型盾构反力架结构及使用方法,包括矩形框架,通过设置调节机构,使人们可以通过操作弧形杆卡入不同位置的多个弧形块之间调节第二斜向支撑杆和第一斜向支撑杆的位置,并通过第二转轮卡入凹形架内部的方式固定住第二斜向支撑杆和第一斜向支撑杆,可以提升整体反力架的适配性,并且通过转动弧形杆,调节第二转轮的转向,可以使第二转轮与地面接触,可以将第二斜向支撑杆和第一斜向支撑杆拆除,矩形框架也更容易在地面上移动,调节机构不仅可以用于第二斜向支撑杆和第一斜向支撑杆的安装固定,位置调节,还可以用于矩形框架的移动,功能性强。
-
-
-
-
-
-
-
-
-