公开(公告)号：CN100468781C

公开(公告)日：2009-03-11

申请号：CN200710099092.3

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  陆然 ,  代红云 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p-n结。该p-n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p-n结不仅在40-320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p-n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。

公开(公告)号：CN101055895A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710099092.3

申请日：2007-05-11

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 张铭 ,  陆然 ,  代红云 ,  严辉 ,  王波 ,  宋雪梅

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结及制备方法属于半导体材料制造领域。本发明首次采用磁控溅射法制备出钙钛矿结构镧锰氧化物/氧化锌异质p－n结。该p－n结的结构为Si(100)单晶基片(1)衬底，Pt电极层(2)、ZnO薄膜(3)、及LSMO薄膜(4)。本发明制备的LSMO/ZnO p－n结不仅在40－320K的温度范围内都具有优异的整流特性，解决了现有技术利用PLD成本高，不利于应用于大规模工业生产的问题。本发明方法所获得的钙钛矿结构镧锰氧化物异质p－n结在自旋电子器件领域具有良好的应用潜能。