-
公开(公告)号：CN116997187A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310735553.0
申请日：2023-06-20
Applicant: 北京大学
IPC: H10B63/00
Abstract: 本发明提供一种CMOS半导体存储阵列，包括呈矩阵阵列分布的存储单元，存储单元包括存储器以及串联连接的一个P沟道场效应晶体管和一个N沟道场效应晶体管；其中，P沟道场效应晶体管的源极与N沟道场效应晶体管的漏极连接；P沟道场效应晶体管的漏极与N沟道场效应晶体管的源极连接；存储器的一端与P沟道场效应晶体管的漏极连接。利用上述发明能够提高存储阵列的密度，降低对场效应晶体管的驱动能力的要求。
-
公开(公告)号：CN116798478A
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202310561689.4
申请日：2023-05-18
Applicant: 北京大学
IPC: G11C15/04
Abstract: 本发明提供一种三态内容寻址存储器，包括氧化物半导体阵列、与氧化物半导体阵列连接的外围写字线驱动电路、TCAM输入、预充电与比较电路，以及逻辑电路；其中，写字线驱动电路用于驱动氧化物半导体阵列的写字线；TCAM输入用于输入待查询数据；预充电与比较电路用于对与待查询数据相对应的读字线进行预充，并将读字线电压与预设的参考电压进行比较，输出比较结果；逻辑电路用于根据比较结果确定与待查询数据相对应的存储地址。利用上述发明能够提高三态内容寻址存储器执行搜索的能效与并行度。
-
公开(公告)号：CN116719505A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310477985.6
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种随机矩阵向量乘加运算系统及其运算方法，其中的运算系统包括输入比特流生成单元、权重比特流生成单元以及存储器阵列，输入比特流生成单元用于根据预设输入向量生成相应的输入随机比特流的脉冲序列，权重比特流生成单元用于根据预设权重矩阵生成相应的权重随机比特流的脉冲序列；输入随机比特流的脉冲序列和权重随机比特流的脉冲序列分别施加在存储器阵列的字线和位线；存储器阵列的各存储器件处的输入随机比特流与权重随机比特流的乘加结果存于对应的存储器件的电导值中。本发明提供的随机矩阵向量乘加运算系统及其运算方法能够解决随机计算中传统的乘加计算单元运算速度慢、并行程度低且硬件开销大的问题。
-
公开(公告)号：CN116719504A
公开(公告)日：2023-09-08
申请号：CN202310477982.2
申请日：2023-04-28
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供一种存内矩阵向量乘加运算系统及其运算方法，其中的运算系统包括半导体器件阵列、输入脉冲产生单元以及输出提取单元；半导体器件阵列中的各列半导体器件的阻变模式由预设权重值确定；输入脉冲产生单元用于根据预设输入向量中的各输入值产生不同幅值或脉宽的输入脉冲，并将各输入脉冲依次并行写入半导体器件阵列中的对应列的半导体器件中；输出提取单元用于依次提取半导体器件阵列的各列的输出比特流加和，以得到输出向量的各输出值。本发明能够解决随机计算中传统的乘加计算单元运算速度慢，而使用共享FSM和计数器实现并行MAC硬件又存在硬件开销大，导致电路功耗、延迟增大的问题。
-
公开(公告)号：CN116180215B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310489730.1
申请日：2023-05-04
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于单晶炉技术领域，具体为一种单晶炉辅助拉晶装置及其使用方法，包括液压杆，所述液压杆的下方固定连接有顶盘，顶盘底部的四周固定连接有连接柱，所述连接柱的下方固定连接有支撑块，所述支撑块的内部安装有转向组件，所述转向组件的下方连接有外壳，所述外壳上半部分的内部安装有提升组件，所述提升组件的下方安装有钨丝籽晶绳，所述钨丝籽晶绳的末端连接有绳头，绳头的外侧固定安装有密封盘，外壳内壁的四周安装有压轮，外壳的左右两侧开设有移动槽，移动槽的内部贴合设置有活塞块。该装置能够在将硅锭升至最高时自动截断余料，而且能够对硅锭整体的放置方式进行调节，在横置时能够适应硅锭表面的起伏对硅锭稳定承托。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116180212B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310469085.7
申请日：2023-04-27
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明属于拉晶装置技术领域，具体为一种高温自动加料的拉晶装置及其使用方法，包括支撑座，所述支撑座的左侧固定设置有连接板，连接板的顶部固定连接有连接座，连接座的内部转动安装有转辊，转辊的表面安装有输送带，所述连接座的前后两端均固定安装有待转移支撑框，所述转辊的左右两侧均安装有自动送料组件，所述连接板的左侧和支撑座的左侧均固定连接有连接轴，所述连接轴和相邻连接轴之间转动连接有内管套，所述内管套的内部安装有牵引组件。该拉晶装置不仅能够将其中一处硅锭移动至待转移区域时，自动将下一处硅锭取出，而且能够根据熔融硅原料的液面高度位置进行自动定量加料，提高了生产效率和自动化程度。
-
公开(公告)号：CN116168788B
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310451962.8
申请日：2023-04-25
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法及系统，涉及半导体技术领域。为了解决对硅熔液中的分凝系数进行分析时，通常只分析溶液中的分凝系数，这样分析出来的结果准确度不高的问题。基于大数据的熔融液态硅晶分凝系数分析方法，包括以下步骤：加热得到硅熔液，并预设硅熔液分凝系数，获取掺杂离子和浓度系数，计算得出第一分凝系数k1，对硅溶液进行凝固处理，对硅晶体区的离子数据进行分析，计算得到第二分凝系数k2，计算得到最终的分凝系数m。本发明能够获得高度准确的分析结果，进而在加工硅晶体时能够准确的添加掺杂剂，保证了硅晶体的成品质量。
-
公开(公告)号：CN116486857A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310555036.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种基于电荷再分配的存内计算电路，属于半导体(Semiconductor)和CMOS超大规模集成电路(ULSI)中的非挥发性存储器(Non‑volatile Memory)与存内计算(Compute‑In‑Memory)技术领域。本发明基于电荷再分配的存内计算电路，利用电荷再分配实现向量矩阵乘法计算，整个计算过程中只有电荷转移过程且没有直流电流，极大降低计算功耗；本发明中的多功能输出单元及外围电路，同时具备钳位求和、正负列求差、模拟移位相加与模数转换功能，相比分别独立实现以上模块，降低了系统面积开销。
-
公开(公告)号：CN116368463A
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN202180003113.5
申请日：2021-10-27
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京大学
IPC: G06F7/58
Abstract: 本公开提供了一种随机数生成器及随机数生成方法。所述随机数生成器包括：随机数产生电路，用于基于控制字生成脉冲信号，以及根据所述脉冲信号产生随机数信号，所述脉冲信号包括交替出现的第一频率信号和第二频率信号，所述第一频率信号和所述第二频率信号的比例由所述控制字控制；反馈更新电路，用于基于所述随机数产生电路输出的所述随机数信号更新所述控制字。
-
公开(公告)号：CN116208180A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310192640.6
申请日：2023-02-24
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明提供了一种BCH码高效并行编解码方法，属于存储器和纠错编码领域中的BCH编解码电路实现技术领域。本发明与以往查表法不同的是，对于n位编码字长度、k位数据位、t位纠错能力的(n，k，t)BCH码，本发明只需要存储k个n‑k位校验矩阵列向量的值，通过这k个n‑k位校验矩阵列向量与S伴随式值进行t轮按位异或，由按位异或值得出接收码字所对应的差错图样，并加以纠正。本发明属于硬件层面的编码和译码实现，可在一拍内完成，减少迭代算法带来的多拍译码延时，实现了BCH编译码的并行化，同时简化了编译码过程，实现资源占用的减少。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
294
records
(took 0.041 seconds)
