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公开(公告)号：CN112968005A
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN202110142309.4
申请日：2021-02-02
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L23/13 , H01L23/14 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L21/48 , C23C16/02 , C23C16/27 , C23C16/511
Abstract: 本发明涉及复合材料技术领域，尤指一种带连通孔的金刚石复合片及其制造方法，首先通过在基片上制作贯穿其上表面及下表面的通孔，以形成带孔基片；在带孔基片的上表面、下表面及其通孔内分别沉积生长金刚石膜，最后获得金刚石复合片。本发明提供一种高硬度、高导热率、高绝缘电阻、低介电常数、高化学稳定性的复合片，在很多场合可以作为多晶金刚石自支持片的替代材料。
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公开(公告)号：CN111430218A
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201910019649.0
申请日：2019-01-09
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/02 , H01L21/683 , C30B25/18 , C30B29/40
Abstract: 本发明涉及一种自分离制备GaN单晶衬底的方法，其在GaN复合衬底的异质衬底上制造穿孔，将带有穿孔的GaN复合衬底浸没在金属镓与金属助溶剂的混合溶液中、并采用液相外延工艺生长得到GaN厚膜材料，生长过程中，金属助溶剂通过异质衬底的穿孔与GaN外延层界面层接触，一方面通过所述穿孔孔洞腐蚀与异质衬底相连的GaN外延层界面层，促使生长形成的GaN厚膜材料与异质衬底缓慢自分离，得到高质量和大尺寸的GaN单晶衬底，另一方面，金属助溶剂与氮形成中间体，该中间体为金属镓提供氮元素而促使GaN单晶生长，应用于钠流法技术制备时，改善钠流法制备技术中氮的溶解度低及不均匀的问题，提高GaN单晶的晶体质量与生长速率。
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公开(公告)号：CN108511349B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810259217.2
申请日：2018-03-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: H01L21/48 , H01L23/492 , C04B41/51
Abstract: 一种陶瓷基板的金属化方法，包括步骤：将清洗后的陶瓷基板进行微蚀处理形成微蚀层；将微蚀处理后的陶瓷基板贴上高温分解掩膜并进行贴膜图案化处理，在微蚀层上形成高温分解掩膜层，在该高温分解掩膜层上激光标刻线路，得到导电线路图案；对经过贴膜图案化处理的陶瓷基板喷涂金属粉末，形成导电金属层；将陶瓷基板放入烧结炉进行高温烧结，使金属粉末与陶瓷基板粘结稳固，同时，高温分解掩膜层被高温分解得到图案化的导电金属层；将图案化的导电金属层加厚，得到厚度为5‑200μm的加厚导电金属层；最后再对陶瓷基板进行表面处理，得到平整的陶瓷基底导电线路板。本发明既可以减少金属的使用，也可以减少蚀刻带来的环境污染，降低了生产成本。
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公开(公告)号：CN108054106B
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201810026754.2
申请日：2018-01-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种制备高散热的陶瓷封装基板的方法，包括以下步骤：在清洗后的陶瓷基板上激光标刻形成金属化线路图案，获得厚度为0.5~30μm的混合物层，该混合物层由氧化物与单质金属构成；在金属化线路图案区域进行化学镀铜，形成厚度为0.1～50μm的粘结层；在粘结层上镀厚度为5～500μm的导电层；然后将陶瓷基板放入烧结炉进行烧结；最后对陶瓷基板进行表面处理，得到附着有光亮的金属导线的陶瓷封装基板。本发明在陶瓷基板上直接制备导电线路，有效简化工艺流程，提高产品良率与可靠性，是一种低成本制备半导体器件封装基板的途径。
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公开(公告)号：CN110760926A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911155967.6
申请日：2019-11-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种制备高质量GaN单晶衬底的方法，本发明通过将金属镓与金属催化剂分离，使氮气优先在金属催化剂作用下解离，不但能提高熔体中氮的含量，提高源材料的利用率与GaN单晶的生长速率，同时，也有效抑制了熔体界面GaN多晶的产生，并通过微流通道阻止杂质的间入，从而得到高质量的GaN单晶材料，是一种实现高质量GaN单晶衬底量产的有效方法。
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公开(公告)号：CN110641221A
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201910933780.8
申请日：2019-09-29
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
IPC: B44F1/10
Abstract: 本发明涉及装饰配件技术领域，具体是涉及一种多彩变幻的外壳装饰片及其制备方法，本发明的外壳装饰片包括壳体本体，所述壳体本体为由若干片高硬度双折射的晶体材料片制成的壳体结构，所述壳体本体设有微结构图案，本发明采用高硬度双折射的晶体材料制成装饰片，双折射晶体材料经多光束的干涉形成炫目的多彩效果，并能随着入射光的变化而产生变化，富有色彩变幻，使用效果好；本发明的制备方法，工艺简单，制备容易，满足工业化生产需求。
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公开(公告)号：CN110616462A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910965282.1
申请日：2019-10-11
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种GaN单晶衬底的制备方法，包括以下步骤：步骤一：把C/GaN复合衬底与固体的Ga-Na源材料一起置于高压反应釜的坩埚中，密封高压反应釜，通入高纯氮气，在室温条件下将高压反应釜加压至过渡压力；步骤二：对步骤一中加压至过渡压力的高压反应釜升温并继续加压，加压升温至生长条件，开始GaN单晶生长；步骤三：继续通入高纯氮气，GaN单晶生长达到目标厚度后，从高压反应釜中取出坩埚及晶体，即得GaN单晶衬底，本发明通过在Ga/Na熔体中插入C/GaN复合衬底，在提供GaN籽晶的同时又能提供碳元素，即有利于GaN薄膜的成核与生长，又能有效抑制GaN多晶的产生，从而提高GaN单晶的生长速率与晶体质量。
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公开(公告)号：CN110416424A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910310324.8
申请日：2019-04-17
Applicant: 华南理工大学 , 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种量子点电致发光器件及其制备方法，包括依次层叠的透明衬底，阴极、量子点发光层、空穴传输层、空穴注入层及金属阳极，所述阴极为透明的氮化镓材料。针对现有的量子点材料电致发光器件存在的能级不匹配问题，采用了透明的氮化镓材料作为电致发光器件的阴极及电子注入层，结合氮化镓材料的高的电子迁移率及其与量子点材料的LUMO能级匹配的表面功函数，有利于降低量子点器件的启亮电压，提升其电致发光效率与工作寿命，推动量子点材料在下一代显示和照明领域的应用。
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公开(公告)号：CN105256372B
公开(公告)日：2018-09-07
申请号：CN201510838898.4
申请日：2015-11-27
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开了一种GaN单晶设备，包括反应釜，该反应釜外部设有加热器，反应釜上部装接有带阀门的气管，反应釜内设有坩埚，反应釜内放置有晶种模板，其特征在于，所述装置还包括感应线圈机构，该感应线圈机构包括设在反应釜内的内部线圈和设在反应釜外的外部线圈，该外部线圈与电源连接，反应釜内设有支撑杆，内部线圈活动套装在该支撑杆上，内部线圈的一端与晶种模板连接，外部线圈接通电源后带动内部线圈作受迫运动，使该内部线圈在支撑杆上移动。本发明通过感应线圈机构来控制晶种模版的实时生长位置，保证晶种模版一直处在最佳的生长溶液环境，由此促进GaN单晶生长。
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公开(公告)号：CN103526282A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310498099.8
申请日：2013-10-22
Applicant: 北京大学东莞光电研究院
Abstract: 本发明公开一种快速制备低位错密度氮化物单晶体材料的液相外延装置与方法，其通过设计包括预生长区和生长区的反应釜，反应釜的预生长区具有原材料条件控制特征和功能，生长区具有生长动力学条件控制特征和功能，预生长区和生长区由过渡腔室或者保温管道相连接。在氮化物单晶体材料的生长过程中，原材料先在预生长区加热加压溶解，当熔融体中N的溶解浓度达到过饱和时与籽晶接触，从而有效抑制在N浓度未达到生长阈值时籽晶表面发生的多晶生长，提高氮化物单晶体材料的质量。同时，通过调控熔体在籽晶上表面的液面高度差，使熔体中的N/Ga在籽晶表面优先成核生长，从而抑制气液界面的多晶形成，提高晶体生长速度与原材料的利用率。
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