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公开(公告)号：CN108962751A
公开(公告)日：2018-12-07
申请号：CN201810766959.4
申请日：2018-07-12
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
CPC classification number: H01L29/66462
Abstract: 本发明公开了一种GaN HEMT器件的制备方法，包括：提供衬底；在衬底上形成器件本体，所述器件本体按自下而上的顺序依次包括第一GaN层、AlGaN层、第二GaN层和介质层；在器件本体中形成栅极凹进，所述栅极凹进穿过介质层、第二GaN层并延伸至AlGaN层表面；对形成有栅极凹进的器件本体进行一次退火；将经一次退火的器件本体用氮气进行表面处理；在经表面处理的栅极凹进中形成金属栅极；对形成有金属栅极的器件进行二次退火。
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公开(公告)号：CN108717943A
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201810291686.2
申请日：2018-03-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L29/40 , H01L29/778 , H03K17/687
Abstract: 本申请提供了一种HEMT与单刀双掷开关电路。该HEMT包括两个沿第一方向设置的子HEMT，子HEMT包括衬底、第一半导体层、第二半导体层以及金属电极，第二半导体层的材料的带隙宽度大于第一半导体层的材料的带隙宽度，金属电极有多个，多个金属电极包括多个第一金属电极和多个第二金属电极，多个第一金属电极和多个第二金属电极均沿第二方向间隔设置，HEMT还包括多个栅层，多个栅层包括第一栅层和第二栅层，第一栅层位于相邻的两个第一金属电极之间，第二栅层位于两个相邻的第二金属电极之间，第一栅层和第二栅层连接形成HEMT的栅极，第一方向与第二方向垂直且与第二半导体层的厚度方向垂直。该HEMT的隔离度和功率容量大。
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公开(公告)号：CN107332538A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710504187.2
申请日：2017-06-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H03H11/16
CPC classification number: H03H11/16
Abstract: 本发明公开一种数字移相器，包括数字移相电路和GaN基；其中，数字移相电路位于GaN基上，数字移相电路采用全通型结构的数字移相电路，该全通型结构的数字移相电路具有AlGaN/GaN异质结的高电子迁移率场效应晶体管(HEMT)作为开关器件。本发明的数字移相器提高了相控阵雷达、通信、电子对抗以及智能武器等军事系统与装备中收发组件的性能，并且提高相移精度。
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公开(公告)号：CN102311706B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010223346.X
申请日：2010-06-30
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明公开了一种纳米级抛光液及其调配方法，该抛光液由单晶人造金刚石微粉、氧化铝微粉、硅胶、表面活性剂、分散剂、润滑剂、化学PH值调节剂和溶剂配置而成，具体质量百分比为：金刚石微粉0.1～10％，氧化铝微粉0.1～5％，硅胶0.1～10％，表面活性剂0.3～10％，分散剂0.05～4％，润滑剂0.5％～1％，化学PH值调节剂0.01～1％，溶剂60～98.2％。本发明同时公开了一种配制上述抛光液的方法。利用本发明，调配出了采用纳米级金刚石和氧化铝，硅胶的混合浆液，实现了理想的抛光效果，满足了GaN外延用衬底(碳化硅，蓝宝石)进行减薄研磨工艺的要求，为半导体抛光工艺提供了良好的技术手段。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102313613B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201110223026.9
申请日：2011-08-04
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET漏端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。
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公开(公告)号：CN102214555B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201010145284.5
申请日：2010-04-09
Applicant: 中国科学院微电子研究所
Abstract: 本发明公开了一种对蓝宝石晶片进行减薄的方法，包括：步骤1：对在正面制作电路的蓝宝石晶片进行清洗；步骤2：在蓝宝石晶片正面均匀涂覆光刻胶；步骤3：将蓝宝石晶片正面黏附于蓝宝石圆形托盘上；步骤4：将蓝宝石圆形托盘安装于减薄设备上，对蓝宝石晶片背面进行减薄；步骤5：对蓝宝石晶片背面进行粗糙研磨；步骤6：对蓝宝石晶片背面进行中度研磨；步骤7：对蓝宝石晶片背面进行低度研磨；步骤8：对蓝宝石晶片背面进行精细研磨；步骤9：对蓝宝石晶片背面进行抛光；步骤10：对蓝宝石晶片进行清洗。利用本发明，达到了快速、晶片结构完整、无大物理损伤、表面细腻、光滑、形变小、减薄后蓝宝石衬底晶片总体厚度小于100μm的工艺新成果。
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公开(公告)号：CN102623336A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201110030283.0
申请日：2011-01-27
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: H01L21/335
Abstract: 本发明公开了一种砷化镓基微波单片集成电路功率器件的制作方法，应用于GaAs pHEMT功率器件与电路半导体工艺中的后道工艺，该方法采用减薄研磨工艺降低衬底的厚度，采用纳米抛光液对外延结构的衬底进行化学机械抛光，采用溅射钛/镍合金的方法制作掩膜，使用ICP工艺进行深背孔刻蚀，采用减薄工艺制备出了厚度超薄、抛光面形貌优良的衬底，并配合ICP刻蚀工艺，制作出侧壁光滑的深孔结构；采用溅射钛/钨/金复合层金属的方法形成背金起镀层，之后电镀金形成背面金属，降低背面接地电阻，同时大大改善了电路的散热问题。
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公开(公告)号：CN102542077A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201010589028.5
申请日：2010-12-15
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G06F17/50
Abstract: 本发明涉及一种AlGaN/GaN HEMT小信号模型的参数提取方法，属于集成电路技术领域。所述参数提取方法是在传统的参数提取方法基础上进行的改进，采取开路去嵌图形进行外围寄生参数的提取，引入栅端肖特基电阻提取寄生电阻和电感，引入漏端延时因子提取内部本征参数，保证所提取的参数都是正值，并且都有物理意义，从而改善了小信号参数的S参数中S11和S22，在参数提取的过程中和两项经常容易出现负值，和的引入基本上消除它们出现负值的可能性，这些改进使得提取的参数精确度有了很大提高。
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公开(公告)号：CN102435343A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110259249.0
申请日：2011-09-02
Applicant: 中国科学院微电子研究所
IPC: G01K11/00
Abstract: 本发明公开了一种测量FET沟道温度的装置，属于集成电路技术领域。该装置将高低温探针台和脉冲分析仪联用，在FET栅端施加脉冲电压，从而测量FET沟道温度；该装置结构简单，使用简便、快捷，成本低廉。同时，本发明还公开了利用该装置测量FET沟道温度的方法，该方法利用了FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系，简便、快速；该方法不需要使用数学方法进行拟合、求解和外推，数据处理过程可以消除测量系统中的系统误差，从而提高测量的精度。并且，FET沟道温度和FET耗散功率的变化关系曲线可以用于分析FET的热阻、制定FET的散热策略、确定FET加速寿命条件。
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