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公开(公告)号：CN100466179C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200310121490.2
申请日：2003-12-19
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01L21/268 , H01L21/428 , C30B31/20
Abstract: 本发明涉及一种实现半导体材料周期搀杂方法及装置，由真空室、原子源、准直孔、反射镜等构成，在半导体材料的生长过程中同时沉积本体材料和被搀杂材料，激光驻波场仅对被搀杂材料起作用，使被搀杂原子在横向形成周期密度分布，本体材料均匀分布，实现半导体材料的周期搀杂。该方法具有操作简便、搀杂周期小(光波长的一半)、效率高(可同时制作数目很大的量子线或量子点)等优点，可广泛应用于新型固态电子、光电子器件及半导体物理理论研究等方面。
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公开(公告)号：CN100403606C
公开(公告)日：2008-07-16
申请号：CN200410009529.6
申请日：2004-09-09
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01S3/109
Abstract: 脉冲激光线性材料光子晶体倍频器，由光波入射口(1)、金属外壳(2)、内部晶体(3)、出射口(4)和基板(5)组成。内部晶体(3)由空气孔光子晶体(6)、光栅(7)、介质柱光子晶体(8)、介质柱(9)和空气波导(10)组成，空气孔光子晶体(6)和介质柱光子晶体(8)具有不同的带隙结构，光栅(7)、介质柱(9)、介质柱光子晶体(8)以及基底材料(11)均为同一种非磁性线性材料。其特征在于：介质柱或空气孔均为方形柱结构；空气孔光子晶体(6)和介质柱光子晶体(8)是对角复式正方形晶胞结构或简单正方形晶胞结构。泵浦波和倍频波均为脉冲激光。本发明可以实现高强度脉冲激光倍频，可应用材料更多，制作工艺更简单、转换效率更高、更易在微系统中集成。
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公开(公告)号：CN101063810A
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN200710099701.5
申请日：2007-05-29
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/00
Abstract: 紫外光照微纳图形气压压印和光刻两用复制装置，包括主机大基板、压模移动台系统、均匀照明系统、压模架、压模、基片、对准系统、基片升降系统、承片调平台系统、花样镜、压镜和控制系统，在主机大基板上固定有压模移动台系统和在其内部的承片调平台系统，XY压模移动台上支撑有压模架和花样镜或压镜，吸附着压模或掩模，基片或硅片被吸附于承片调平台系统上，均匀照明系统位于压模的上方，对准系统连接在均匀照明系统的一侧，工作台系统和均匀照明系统的探测输出信号送至控制系统进行处理，用于控制。本发明具有微纳图形气压压印和光刻两方面的功能，且操作使用方便。
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公开(公告)号：CN101055419A
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN200710099107.6
申请日：2007-05-11
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本发明微纳结构压印复制用紫外光固化自由基型刻蚀胶，其组成为：固化主体1－双酚A环氧丙烯酸酯或酚醛环氧丙烯酸酯占24－ 48％，固化主体2兼稀释剂－－三丙二醇类丙烯酸酯占20－46％，固化助剂－－二季戊四醇六丙烯酸酯或GP－537或GP－71－SS占5－16％，光引发剂－－2，4，6－甲基苯甲酰基二苯基氧化膦占5－16％，各组分的重量之和为100％。除此之外，为调节溶液粘度添加稀释剂1，6－己二醇二丙烯酸酯，到溶液粘度满足要求为止。本发明的刻蚀胶与其它胶相比较，具有固化速度快、收缩小、粘度低、黏附力高、抗蚀性强、配制工艺简便，易于推广应用的特点。
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公开(公告)号：CN1800975A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510126215.9
申请日：2005-11-28
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: G03F7/00 , H01L21/027
Abstract: 分步重复光照纳米压印装置，由压力驱动系统、Z向校准机构、双路CCD对准系统、倾斜校准机构、压模、基片、XYθ工件台、基片承片调平系统、大机台柜、控制系统、主机大底板和紫光均匀照明系统及机架等部分组成，能装载基片的承片调平系统安装于XYθ工件台上，机架上安装了压力驱动系统、Z向校准机构、倾斜校准机构和压模，双路CCD对准系统和紫光均匀照明系统，它既不需要弹性印章或铸模，也不需要加高温、高压和降温，只需普通紫光照射，应用CCD图像高精度对准，就能分步重复廉价制作出较复杂多层结构、较大有效工作面积和有利于推广应用的纳米图形结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1799852A
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN200510130741.2
申请日：2005-12-27
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 圆弧导轨纳米压印倾斜校正机构，由上中下圆弧导轨、限位外套、压模卡盘、压模、基片、钢球或滚柱、上下隔离架、拉簧和拉簧挂销组成，上中下圆弧导轨之间有钢球或滚柱，并通过拉簧拉紧连接，下圆弧导轨与装有压模的压模卡盘相接，正对压模的下方是基片，限位外套安装在上圆弧导轨上，它的下方四周对下圆弧导轨的旋转角度范围起限位作用。当压模和基片由于不平行，在下压时某处先接触，压模可绕过压模下表面中心点的Y或X轴线作微滚动旋转，达到压模和基片的完全平行贴合与压紧，不产生对准偏离与在水平面内旋转，使纳米压印套准精度大幅提高，制作出复杂多层的纳米图形结构，该机构用常规设备加工，制作方便，成本低廉，应用广泛。
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公开(公告)号：CN1785679A
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN200510130612.3
申请日：2005-12-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 多铰链纳米压印压模倾斜校正机构，由上连接套(1)、上铰链(2)、下铰链(3)、压模(5)和压模卡盘(4)组成，上连接套(1)与上铰链(2)的铰链座连接，下铰链(3)的铰链座与上铰链(2)的上中间框连接，下铰链(3)的下中间框与压模卡盘(4)连接，下压力通过上连接套、上下铰链和压模卡盘作用在压模上，向下与基片压紧时，上下铰链产生微转动，自动调整压模(5)和基片(6)两者的不平行，由于x、y两方向倾斜校正旋转中心都位于压模的下表面中心，压模下压转动而带来横向移动很小，使纳米压印套准精度大幅提高，制作出复杂多层的纳米图形结构和器件。
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公开(公告)号：CN1713465A
公开(公告)日：2005-12-28
申请号：CN200410009235.3
申请日：2004-06-22
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: H01S3/109
Abstract: 连续光束线性材料光子晶体倍频器，由光波入射口(1)、出射口(4)、金属外壳(2)、内部晶体(3)和基板(5)组成，其特征在于：内部晶体(3)由圆形空气孔光子晶体(6)、空气波导(10)、光栅(7)、圆形介质柱(9)、圆形介质柱光子晶体(8)组成，空气孔光子晶体(6)和介质柱光子晶体(8)具有不同的带隙结构，空气波导(10)的内侧有周期一致的光栅结构(7)，波导(10)之间有圆形介质柱(9)隔开，光栅(7)、圆形介质柱(9)、圆形介质柱光子晶体(8)以及基底材料(11)均为同一种非磁性线性材料，入射波和出射波均为连续激光。本发明利用线性材料的电四极极化效应在光子晶体中有显著增强来实现激光倍频，结构设计灵活，可以实现很宽波段的波长转换，制作工艺简单、适用范围广、损耗低、转换效率高、容易在微系统中集成。
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公开(公告)号：CN1689960A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200410009041.3
申请日：2004-04-26
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
IPC: B82B3/00
Abstract: 本发明涉及一种光操纵原子制作纳米结构的方法及其装置，用高能脉冲激光烧蚀金属靶材料产生原子束，采用微秒脉冲激光器发出的激光形成与原子束传播方向垂直的完全非共振激光驻波场用于对原子进行聚焦。制作纳米结构的装置由真空室、脉冲激光器、激光缩束系统、偏转电极等构成。本发明具有可操纵的原子种类多、可蒸发难熔金属材料、真空室污染轻、不需要对原子束进行横向高度准直等，可广泛应用于新型固态电子、光电子器件及半导体物理理论研究等方面。
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公开(公告)号：CN1607462A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200310100167.7
申请日：2003-10-15
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 普通光源紧贴式纳米光刻光学装置，由光源(4)、均匀器(3)、滤光片(2)、反射镜(1)、椭球反射镜(5)和镜组(6)组成的均匀照明系统照明掩模(7)，使紧贴放置硅片(9)上的抗蚀剂涂层(8)感光，其特征在于：均匀照明系统的光源(4)是使用普通光源的光，在均匀照明位置放置的掩模是单层金属掩模(7)，它与安放在其下方的高分辨率抗蚀剂涂层(8)之间为贴紧接触，无空隙。本发明用248－500nm任意波长光照明金属掩模，激发其金属掩模表面等离子体，形成等离子表面波传播，出射小发散角光用于纳米光刻，不受衍射极限的限制，不需要复杂昂贵的极短波长光源和复杂的掩模，就可制作出纳米量级的图形。
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