公开(公告)号：CN110034176A

公开(公告)日：2019-07-19

申请号：CN201910327603.5

申请日：2019-04-22

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  朱桂闯 ,  李少红 ,  张龙 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/739

Abstract: 一种解决反向恢复失效的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，N型漂移区被内部填充多晶硅的氧化层沟槽分成两个区域，其中一个区域内设有横向绝缘栅双极型晶体管，另一个区域内设有NMOS，横向绝缘栅双极型晶体管的集电极作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的集电极，横向绝缘栅双极型晶体管的栅极与NMOS的栅极相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的栅极，横向绝缘栅双极型晶体管的P型重掺杂发射区、NMOS的P型重掺杂源区及NMOS的N型重掺杂源区相连并作为逆导型横向绝缘栅双极型晶体管的发射极，横向绝缘栅双极型晶体管的N型重掺杂发射区与NMOS的N型重掺杂漏区相连。

公开(公告)号：CN106206702B

公开(公告)日：2019-06-18

申请号：CN201610571475.5

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  张龙 ,  赵敏娜 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

Abstract: 一种分段双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件，包括：P型衬底，其上设有埋氧层，之上为N型外延层，在外延层表面淀积氧化层，在外延层上设有环形沟槽，环形沟槽在埋氧层上，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，P型体区和N型缓冲层位于环形沟槽内侧，缓冲层位于P型体区内侧，在P型体区内设有N型和P型发射极，在P型体区内边界上方有多晶硅栅，在N型缓冲层中设有P型集电极，在缓冲层外边界上设有被氧化层包围的多晶硅场板，在P型集电极上引出的金属连线通过U形开口延伸，在开口外侧设有连续沟槽，在环形沟槽及连续沟槽内填充有二氧化硅，其特征在于，在开口与连续沟槽之间设有分段沟槽，在相邻分段沟槽间有载流子撤离通道。

公开(公告)号：CN106024875B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610570715.X

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/08 ,  H01L23/50

Abstract: 一种快关断绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管器件，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋层上设有N型漂移区，其上有P型阱区和N型缓冲区，在N型缓冲区内有重掺杂的P型集电极区，在P型阱区内有重掺杂的P型发射极区与N型发射极区，在P型阱区表面设有栅氧化层，其上有多晶硅层，在重掺杂的P型发射极区内设有第一纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第一横向沟槽且其延伸至漂移区，在重掺杂的P型集电极区设有第二纵向沟槽且其深及埋氧，上述沟槽局部向内侧扩展形成间距相等的第二横向沟槽且其延伸至漂移区，上述所有沟槽内有填充物，所述填充物为外部包裹耐压介质的多晶硅且位于漂移区内的填充物为耐压介质。

公开(公告)号：CN105590958B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201510965034.9

申请日：2015-12-21

Applicant: 东南大学

Inventor： 祝靖 ,  黄超 ,  张龙 ,  卜爱国 ,  孙伟锋 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/40 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331

Abstract: 一种双沟槽高压屏蔽的横向绝缘栅双极器件及其制备方法，包括：P型衬底，埋氧层，N型外延层，在N型外延层中设有P型体区和N型缓冲层，在P型体区内设有P型发射极和N型发射极，N型发射极上方设有多晶硅栅，多晶硅栅上设有金属连接多晶硅栅至结构外围的输入\输出，在N型缓冲层中设有P型集电极，N型缓冲层上方有多晶硅场板，多晶硅场板上连有栅极金属，P型体区三面包围着N型缓冲层，留有一面的间断，P型集电极连有集电极金属连线，在集电极金属连线之下靠近结构边缘设有沟槽，沟槽内掺有介质，在整个结构外包围有沟槽，沟槽内掺有介质。所述高压互连线屏蔽结构靠近集电极的沟槽下方不与埋氧层接触，留有空隙。

公开(公告)号：CN104299992B

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201410571052.4

申请日：2014-10-23

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  喻慧 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/41 ,  H01L21/28 ,  H01L21/331

Abstract: 一种横向沟槽绝缘栅双极型晶体管及其制备方法。该结构包括：P型衬底，埋氧层，漂移区，在漂移区一侧设有深沟槽栅，深P型体区，深P型体区内设有相连的向漂移区内延伸止于BOX层的深P型发射极区、深N型发射极区，在相连的深P型发射极区、深N型发射极区上方设有发射极金属，另一侧设有N型缓冲层和P型集电极区，在P型集电区上方设有集电极金属，该半导体制备方法包括：衬底，埋氧层，N型外延层的制备，用深槽工艺结合多次外延多次高浓度离子注入工艺形成N型发射极、P型体区和P型发射极，用高浓度离子注入工艺形成N型缓冲层和P型集电极区，用槽栅工艺制造成多晶硅栅，打孔、淀积铝形成电极。

公开(公告)号：CN106024876A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610576522.5

申请日：2016-07-19

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  陈佳俊 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0649

Abstract: 一种用于消除回滞现象的逆导型横向绝缘栅双极型晶体管器件，在提高传统结构关断速度的情况下，消除了回滞现象。该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，在埋氧上设有N型漂移区，其两侧设有N型缓冲区阵列和P型体区，在N型缓冲区列阵的各个N型缓冲区内设有重掺杂P型集电极区，在相邻的重掺杂P型集电极区之间设有第一N型重掺杂区，P型体区内设有P型阱区，P型阱区设有重掺杂P型发射极区，重掺杂P型发射极区周边设有重掺杂N型发射区，在N型漂移区内设有氧化层隔离沟槽，所述沟槽与器件边界共同形成一N型漂移区的局部封闭区，各第一N型重掺杂区分别被氧化层隔离沟槽包围且相邻的重掺杂P型集电极区与N型重掺杂区被氧化层隔离沟槽隔离。

公开(公告)号：CN105826367A

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201610158757.2

申请日：2016-03-18

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  黄薛佺 ,  黄超 ,  张龙 ,  祝靖 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/0615

Abstract: 一种新型大电流绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管，该半导体具备：在P型衬底上设有埋氧，埋氧上设有N型漂移区，其上设有P型体区和N型缓冲区，N型缓冲区内设有P型集电极区，其上连接有集电极金属，在N型漂移区的上方设有场氧层，在P型体区内设有P型发射极区，其周边设有N型发射区，在N型发射区和P型发射区上连接有发射极金属，在场氧层与N型发射极区之间设有栅氧，在栅氧表面设有第一多晶硅层，其表面连接有第一栅金属，在P型体区外侧设有纵向沟槽，在纵向沟槽内设有二氧化硅或其他介质包裹的第二多晶硅层，其上连接有第二栅金属。

公开(公告)号：CN103006272B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201310007683.9

申请日：2013-01-09

Applicant: 东南大学

Inventor： 周宾 ,  姚琛 ,  许传龙 ,  张龙

IPC: A61B8/06

Abstract: 本发明公开了一种基于超声交织编程的速度分布测量方法，包括如下步骤1）向待测流体中添加示踪剂；2）控制器控制高频超声换能器按照交织编程方式向外发射高频超声波信号，并采集流体中示踪剂的背向散射射频信号；3）在步骤2）的基础之上，对交织编程方法采集的交织射频图像解耦，即可获得图像对；4）在步骤3）的基础之上，将上述交织编程方法采集到的两帧射频信号图像1和图像2划分成多个分析窗口即询问窗口，接着对询问窗口进行傅里叶空间内的二维互相关运算以得到该处示踪剂的局部位移，再根据两帧图像的时间间隔Δt，则可以计算得到速度向量即位移除以时间Δt。该方法可以测定较高流速状态下流体速度场。

公开(公告)号：CN102646709B

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201210101011.X

申请日：2012-04-06

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  吴逸凡 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10

Abstract: 一种快速超结纵向双扩散金属氧化物半导体管，包括：兼做漏区的N型掺杂硅衬底、N型掺杂硅外延层、超结结构，所述的N型掺杂硅外延层设在N型掺杂硅衬底上，超结结构设在N型硅掺杂半导体区上，所述的超结结构由间隔排列的P型柱和N型柱组成，在P型柱上有第一P型掺杂半导体区，且第一P型掺杂半导体区位于N型掺杂外延层内，在第一P型掺杂半导体区中设有第二P型重掺杂半导体接触区和N型重掺杂半导体源区，其特征在于，在N型柱表面有源极埋层，源极埋层包括薄氧化层和薄氧化层上的多晶硅，多晶硅栅和源极金属相连。

公开(公告)号：CN102339866B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201110311731.4

申请日：2011-10-14

Applicant: 东南大学

Inventor： 孙伟锋 ,  祝靖 ,  张龙 ,  钱钦松 ,  陆生礼 ,  时龙兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 一种具有超结结构的纵向双扩散金属氧化物场效应晶体管终端结构，包括：兼做漏区的N型重掺杂硅衬底，在N型重掺杂硅衬底的下表面设置有漏极金属，在N型重掺杂硅衬底的上表面设有N型掺杂硅外延层，在N型掺杂硅外延层上设有超结结构，所述的超结结构包括P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域，P型掺杂硅柱状区域和N型掺杂硅柱状区域交替排列，在所述的超结结构上设有二氧化硅层，其特征在于，在P型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第一二氧化硅区域，在N型掺杂硅柱状区域顶部设有一排第二二氧化硅区域。