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公开(公告)号：CN110416116B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN201910332773.2
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种蚀刻装置，能够利用简单的装置结构来抑制蚀刻特性的劣化。蚀刻装置包括：载置台，其载置作为利用等离子体进行的蚀刻处理的对象的被处理体，并作为下部电极发挥作用；产生施加到载置台的负直流电压的直流电源；和控制部，在开始对载置于载置台的被处理体进行蚀刻处理时，其从直流电源对载置台周期性地施加负直流电压，随着蚀刻处理的处理时间的经过，降低施加到载置台的负直流电压的频率。
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公开(公告)号：CN117769755A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202280052235.8
申请日：2022-07-27
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , C23C16/50 , H01L21/205 , H01L21/31 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；在上述基片支承部的上述载置面上形成由液体的层和可变形的固体的层中的至少任一者构成且可变形的、针对上述温度调节对象体的传热层的步骤；和对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤。
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公开(公告)号：CN117321404A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202280034060.8
申请日：2022-05-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G01N15/14
Abstract: 本发明的粒子监控系统，具备：发光装置，对等离子体处理装置内照射光；及监控装置，载置于等离子体处理装置内的工作台上。监控装置包含：基底基板；多个拍摄装置；及控制装置。基底基板呈板状。多个拍摄装置具有在基底基板上朝向上方的光轴，且彼此分离配置，并拍摄包含来自被光照射的粒子的散射光的图像。控制装置判别由多个拍摄装置所拍摄到的图像内的粒子。
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公开(公告)号：CN114050100A
公开(公告)日：2022-02-15
申请号：CN202111174570.9
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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公开(公告)号：CN113327833A
公开(公告)日：2021-08-31
申请号：CN202110187517.6
申请日：2021-02-18
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供部件更换方法，其能够缩短伴随消耗部件的更换的处理装置的停止期间。第一推算步骤推算处理装置的消耗部件的更换时期。确定步骤将更换时期之前的期间中的由处理装置进行的基片的处理最终结束后的时刻确定为消耗部件的可更换时刻。第二推算步骤推算部件运送装置移动至需要更换消耗部件的处理装置的位置所需的第一移动时间。第三推算步骤推算直到使已移动至需要更换消耗部件的处理装置的位置的部件运送装置成为能够进行消耗部件的更换的状态为止的准备所需的第一准备时间。发送步骤在比可更换时刻提早了第一移动时间和第一准备时间的合计时间量的时刻之前的时刻，向部件运送装置发送更换指示，来对部件运送装置指示消耗部件的更换。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109411322B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201810939779.1
申请日：2018-08-17
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理方法和等离子体处理装置，其能够抑制基片的蚀刻速率下降并且降低照射至腔室主体的内壁的离子的能量。一个实施方式的等离子体处理装置包括产生直流电压的直流电源，该直流电压具有负极性且用于被施加至工作台的下部电极。在利用该等离子体处理装置的等离子体处理中，供给高频以使腔室内的气体激励而生成等离子体。另外，来自直流电源的负极性的直流电压被周期性地施加至下部电极，以将来自等离子体的离子引入到工作台上的基片。在各个周期内直流电压被施加至下部电极的期间所占的比率被设定为40％以下。
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公开(公告)号：CN111146061A
公开(公告)日：2020-05-12
申请号：CN201911058656.8
申请日：2019-11-01
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/248 , H01J37/305
Abstract: 本发明提供等离子体处理装置和等离子体处理方法。在一个例示的实施方式的等离子体处理装置中，基片支承台设置于腔室内。基片支承台的下部电极与电源单元连接。在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，电源单元将第一直流电压施加到下部电极。第一直流电压为正极性的直流电压。电源单元为了对载置于基片支承台上的基片进行蚀刻，在腔室内由蚀刻气体生成等离子体的生成过程中，将第二直流电压施加到下部电极。第二直流电压为负极性的直流电压。电源单元输出的直流电压从第一直流电压被连续地切换为第二直流电压。本发明能够使基片的正电荷量减少并且使蚀刻速率提高。
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公开(公告)号：CN110416075A
公开(公告)日：2019-11-05
申请号：CN201910332423.6
申请日：2019-04-24
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01J37/32
Abstract: 本发明抑制基片的蚀刻速率降低并且降低照射到腔室主体的内壁的离子的能量。等离子体处理方法包括：从高频电源供给高频的步骤；从一个以上的直流电源对下部电极施加具有负极性的直流电压的步骤，在施加直流电压的步骤中，将直流电压周期性地施加到下部电极，在将规定对下部电极施加直流电压的各个周期的频率设定为不到1MHz的状态下，调节在各个周期内将直流电压施加到下部电极的时间所占的比例。
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公开(公告)号：CN110137068A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910079546.3
申请日：2019-01-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种等离子体处理系统和等离子体处理方法，以更简易的方法从排出气体中分离回收稀有气体。等离子体处理系统具备腔室、第一气体供给部、排气部、气体纯化单元、升压泵以及储存部。第一气体供给部向腔室内供给第一稀有气体和工艺气体。腔室用于利用第一稀有气体与工艺气体混合而成的气体的等离子体对半导体晶圆进行处理。气体纯化单元从通过排气部自腔室内排出的气体中分离出第一稀有气体。储存部储存通过气体纯化单元分离出并通过升压泵而升压后的第一稀有气体。另外，储存部将所储存的第一稀有气体供给到第一气体供给部。
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公开(公告)号：CN109767967A
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201811317768.6
申请日：2018-11-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Abstract: 本发明提供一种基板处理方法和基板处理装置，能够向开口的深部供给离子。在一个实施方式的基板处理方法中使用基板处理装置。基板处理装置具有腔室主体、支承台以及电子束发生器。在腔室主体中提供内部空间。支承台构成为支承被载置在该支承台上的基板。支承台具有电极。在支承台上载置有基板的状态下执行基板处理方法。在基板处理方法中，从电子束发生器向内部空间供给具有第一能量的电子，以使电子附着于被供给到内部空间的处理气体中的分子来生成负离子。向支承台的电极施加正极性的偏压，以将负离子向基板吸引。
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