公开(公告)号：CN113594032A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110435309.3

申请日：2021-04-22

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  户村幕树

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供一种基板处理方法及等离子体处理装置。本发明的示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括将载置基板的基板支撑体的温度控制为0℃以下的工序。基板处理方法还包括通过从第1处理气体生成的等离子体来对含硅膜进行蚀刻的工序，所述第1处理气体包含氟化氢气体以及选自氟碳化物气体及氢氟碳化物气体中的至少一种含碳气体。在蚀刻工序中，通过来自等离子体的化学物种来对膜进行蚀刻。在除了不活泼气体以外的第1处理气体中，氟化氢气体的流量最多。

公开(公告)号：CN113270315A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110067048.4

申请日：2021-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  新关智彦 ,  胜沼隆幸 ,  笹川大成 ,  中根由太 ,  石川慎也 ,  小野健太 ,  熊仓翔 ,  泷野裕辅 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供能够在基片内的区域的蚀刻中抑制掩模的开口的封闭的蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统。例示的实施方式的蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有要蚀刻的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113192831A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN202110067030.4

申请日：2021-01-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 笹川大成 ,  户村幕树

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/308 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供蚀刻方法、基片处理装置和基片处理系统，能够相对于掩模的蚀刻提高基片内的区域的蚀刻的选择性，提高在该区域形成的开口的垂直性。例示的实施方式蚀刻方法包括在基片的表面上形成膜的步骤。基片具有至少部分地由氧化硅形成的区域和掩模。掩模形成于基片的区域上，并提供使该区域部分地露出的开口。膜由与基片的区域的材料相同种类的材料形成。膜以能够将规定开口的侧壁面的形状修正为垂直的形状的方式形成。蚀刻方法还包括对基片的区域进行蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN113035707A

公开(公告)日：2021-06-25

申请号：CN202011472522.3

申请日：2020-12-15

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 新关智彦 ,  户村幕树 ,  木原嘉英

IPC: H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置所执行的基片处理方法包括步骤a、步骤b和步骤c。步骤a是提供具有被蚀刻膜和形成在该被蚀刻膜之上的掩模的基片的步骤。步骤b是在掩模的开口上部形成保护膜的步骤。步骤c是一边用保护膜抑制开口上部的开口尺寸的变动一边蚀刻掩模，使没有被保护膜覆盖的开口下部的尺寸变动的步骤。根据本发明，能够抑制形成在基片上的图案的形状异常。

公开(公告)号：CN112838002A

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN202011285147.1

申请日：2020-11-17

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 须田隆太郎 ,  户村幕树

IPC: H01L21/306 ,  H01J37/32

Abstract: 本发明提供一种提高在等离子体蚀刻时含硅膜的蚀刻相对于掩模的蚀刻的选择比的技术。示例性实施方式的基板处理方法包括向等离子体处理装置的腔室内提供基板的工序。基板具有含硅膜及设置于该含硅膜上的掩模。基板处理方法还包括在腔室内由包含氟化氢气体的第1处理气体生成等离子体的工序。在生成等离子体的工序中，通过来自等离子体的化学物种来对膜进行蚀刻。氟化氢气体的流量相对于除了不活泼气体以外的第1处理气体的总流量为25体积％以上。

公开(公告)号：CN111627809A

公开(公告)日：2020-09-04

申请号：CN202010101737.8

申请日：2020-02-19

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 熊仓翔 ,  户村幕树 ,  木原嘉英 ,  笹川大成

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明提供基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括步骤a)和步骤b)。步骤a)是将被处理体提供到腔室内的载置台上的步骤，其中，该被处理体包括基片、形成于基片上的蚀刻对象膜和形成于蚀刻对象膜上的具有开口的掩模。步骤b)是沿掩模的膜厚方向在开口的侧壁形成具有不同厚度的膜的步骤。本发明能够修正掩模的形状。

公开(公告)号：CN111261514A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201910857745.2

申请日：2019-09-09

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 胜沼隆幸 ,  久松亨 ,  石川慎也 ,  木原嘉英 ,  本田昌伸 ,  户村幕树 ,  熊仓翔

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明涉及一种基片处理方法，提供将形成于基片的图案控制为所希望的状态的技术。基片处理方法包括：提供具有图案的处理对象的基片的步骤；在所述基片上形成膜的步骤；利用等离子体在基片的表层形成反应层的步骤；和对基片施加能量来除去反应层的步骤。

公开(公告)号：CN105390388B

公开(公告)日：2018-12-25

申请号：CN201510542345.4

申请日：2015-08-28

Applicant: 东京毅力科创株式会社

Inventor： 户村幕树 ,  本田昌伸

IPC: H01L21/311

Abstract: 本发明提供相对于由氮化硅构成的第二区域有选择地蚀刻由氧化硅构成的第一区域的方法。一实施方式的方法包括：(a)第一步骤，将具有第一区域和第二区域的被处理体暴露于包含碳氟化合物气体的处理气体的等离子体中，蚀刻第一区域，且在第一区域和第二区域上形成包含碳氟化合物的堆积物；和(b)第二步骤，利用堆积物中包含的碳氟化合物的自由基蚀刻第一区域。在该方法的第一步骤中，等离子体由脉冲状的高频电力生成。此外，交替反复进行第一步骤和第二步骤。