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公开(公告)号：CN112534197B
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202080004419.8
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种冰箱包括形成储藏室的主体以及被设置为打开和关闭所述储藏室的门，其中，所述门包括门框架、盖和门板，所述盖布置在所述门框架之前并且包括盖固定件，所述门板布置在所述盖之前，所述门板包括位于所述门板的后表面上的第一固定件和第二固定件。当所述门板结合到所述盖的前侧时，所述第一固定件结合到所述门框架，并且所述第二固定件结合到所述盖。
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公开(公告)号：CN108351153A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063072.8
申请日：2016-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本文公开了一种冰箱。所述冰箱包括：主体，其设置有存储腔室；门，其被配置为打开或关闭存储腔室；显示单元，其设置在门上；散热单元，其与显示单元相邻地设置并且被配置为经由形成在所述门内部的散热流动路径散发在所述显示单元中产生的热量，其中，所述散热流动路径的一端经由形成在所述门的上端部分中的第一孔与外部连通，并且散热流动路径的另一端经由形成于门的下端部分中的第二孔与外部连通。
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公开(公告)号：CN108351152A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680063063.9
申请日：2016-08-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了一种具有带有显示单元的改进结构的冰箱。所述冰箱包括：主体；储藏室，布置在所述主体内部，前部敞开；门，枢转地连接到所述主体，用于打开或关闭所述储藏室的敞开的前部；和显示单元，安装在所述门上。所述显示单元包括：用于显示图像的显示器；显示器玻璃，位于所述显示器的前面以具有比所述显示器更大的面积并形成触摸屏；具有用于将所述显示器安装在其中的显示器安装器的显示器壳体；固定地连接到所述门的显示单元壳体；以及固定单元，用于通过按压所述显示器壳体的一部分而将所述显示器壳体固定地连接到所述显示单元壳体。
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公开(公告)号：CN102103295A
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN201010596382.0
申请日：2010-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1362 , G02F1/133 , G02F1/1345 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/136286 , G02F1/134336 , G02F1/136227 , G02F2001/134381 , G02F2201/50
Abstract: 本发明提供了一种液晶显示器件。该液晶显示器件包括第一基板、面对第一基板的第二基板以及设置在第一基板与第二基板之间的双钝化层。双钝化层包括第一钝化层和第二钝化层。第一钝化层的折射率不同于第二钝化层的折射率。
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公开(公告)号：CN102054886A
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN201010180986.7
申请日：2010-05-17
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L31/042 , H01L31/0264 , H01L31/0352 , H01L31/20
CPC classification number: H01L31/1868 , H01L31/02167 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开了一种太阳能电池及其制造方法，该太阳能电池包括：半导体基底，包括p型层和n型层；介电层，设置在半导体基底上并且包括由下面的化学式1表示的硅酸盐；第一电极，与半导体基底的p型层电连接；第二电极，与半导体基底的n型层电连接。化学式1x M2O3·y SiO2其中，M为第13族元素且x和y为实数，0＜2x＜y且x+y＝1。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100585899C
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200510098148.4
申请日：2005-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C07F9/902 , C23C16/18 , C23C16/45531 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 本发明公开了一种锑前体和使用其的相变存储器件。该锑前体包括锑、氮和硅。因此，可以减小改变相变膜的晶体结构所需要施加的电流强度，使得能够实现高集成、高容量和高速驱动的半导体存储器件。
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公开(公告)号：CN100578803C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610121211.6
申请日：2006-08-17
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李正贤
IPC: H01L27/24
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/24 , H01L45/04
Abstract: 公开了一种具有离子导电层的非易失性半导体存储器件，及其制造和操作方法。所述非易失性存储器件包括：衬底；形成于衬底内的开关元件；和连接至开关元件的存储节点，所述存储节点包括：连接至所述开关元件并被用作离子源的下部电极；形成于下部电极上并且其部分与下部电极隔开的数据存储层；与下部电极隔开，并且其侧表面连接至与下部电极隔开的数据存储层部分的侧电极；以及形成于数据存储层上的上部电极，或者包括：连接至所述开关元件并被用作离子源的下部电极；形成于下部电极上的数据存储层；以及形成于数据存储层上的上部电极。通过降低电阻随外加电压变化，能够在读取和写入操作中提供足够余量。
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公开(公告)号：CN100466262C
公开(公告)日：2009-03-04
申请号：CN200410102185.3
申请日：2004-12-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L21/31604 , H01L21/31637 , H01L27/1085 , H01L28/75
Abstract: 提供一种半导体器件的电容器和制造该半导体器件电容器的方法。该电容器含下电极层、介电层和上电极层，介电层由钽氧化物和周期表第5族元素的氧化物如铌氧化物或钒氧化物形成。因此，能够通过在低的温度下热处理介电层而使介电层具有电特性，并保证整个电容的结构稳定性。
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公开(公告)号：CN100437932C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200410028392.9
申请日：2004-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/31 , H01L21/822 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/45525 , C23C16/45529 , C23C16/45531 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/02194 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02304 , H01L21/3142 , H01L21/31616 , H01L21/31645
Abstract: 本发明提供一种高介电常数氧化物膜的制造法、含该膜的电容器及制造法。制造高k介电氧化物膜的步骤是：(a)将半导体衬底装载到ALD装置中；(b)在半导体衬底上沉积具有第一元素和第二元素的预定成分比的反应材料；和(c)通过氧化反应材料使得第一元素和第二元素同时氧化，在半导体衬底上形成具有所述两种元素的第一高k介电氧化物膜。在该方法中，减小了装置的尺寸，提高了产量，且降低了制造成本。而且该高k介电氧化物膜表现出高介电常数和低泄漏电流和陷阱密度。于是，包括作为介电膜的该高k介电氧化物膜的电容器也表现出低泄漏电流和陷阱密度。
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公开(公告)号：CN101013669A
公开(公告)日：2007-08-08
申请号：CN200610008945.3
申请日：2006-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/00 , C23C16/30 , C23C16/44 , C23C16/56
CPC classification number: C23C16/305 , C23C16/56 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L45/1616
Abstract: 本发明涉及制备薄膜的方法。一种实施例方法包括通过使包含锗(Ge)的第一前体、包含锑(Sb)的第二前体和包含碲(Te)的第三前体在反应室中发生化学反应，在衬底表面上形成GeSbTe薄膜，及用氢等离子体处理该GeSbTe薄膜的表面。另一种实施例方法包括将至少一种前体注入到反应室中，及利用化学气相沉积法，将所述至少一种前体沉积在反应室内的衬底上，以便形成薄膜。
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