公开(公告)号：CN100481392C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410001936.2

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴济民 ,  黄有商

IPC: H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855

Abstract: 一种具有在位线方向延伸以接触存储节点的接触体的半导体器件的制造方法，包括通过有选择地刻蚀覆盖位线的绝缘层形成带型开口。带型开口在栅极线的纵向延伸，以便露出第一接触焊盘和具有在位线的纵向突出的部分。方法还包括在绝缘层上形成填充带型开口和电连接到第一接触焊盘的导电层。然后构图导电层以将导电层分为在位线的纵向延伸的单个存储节点接触体。然后在存储节点接触体上形成存储节点。

公开(公告)号：CN1320631C

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN03127848.5

申请日：2003-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴济民

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76807

Abstract: 提供一种制造半导体器件的方法，其中当形成互连和接触孔时得到了充足的误对准裕度。形成限定凹槽的介电层图形，在该凹槽中将形成镶嵌互连。然后，蚀刻介电层图形之间的第一接触孔，同时用导电材料填充第一接触孔和凹槽。可以通过进行深蚀刻工艺用导电材料填充该凹槽。然后蚀刻介电层图形，从而形成镶嵌互连，同时用介电层图形仅覆盖将形成第二接触孔的区域。用掩模层填充介电层图形之间的空间，然后从所得到的结构选择性地除去介电层图形，从而形成与镶嵌互连对准的第二接触孔。

公开(公告)号：CN1577823A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059854.3

申请日：2004-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴济民

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/60 ,  H01L27/108 ,  H01L21/8242

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76834 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10855 ,  H01L27/10894

Abstract: 在一个实施例中，一种半导体器件包括在半导体衬底中形成的导电焊盘。该半导体器件还包括重叠导电焊盘的外围区的导电图形。该导电图形具有一个开口，以露出导电焊盘的另一个区域。该半导体器件还还包括贯穿开口的导电接触。该导电接触电连接到导电焊盘。结果，可以减小用于半导体器件的制造成本，同时可以提高制造产量。

公开(公告)号：CN1536669A

公开(公告)日：2004-10-13

申请号：CN03147820.4

申请日：2003-06-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑泰荣 ,  李宰求 ,  朴济民

IPC: H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L27/10855 ,  H01L21/76895 ,  H01L27/10814 ,  H01L28/91

Abstract: 一种半导体设备包括半导体衬底和形成于半导体衬底之上的中间绝缘层。中间绝缘层优选地包含一个接触焊盘。电容器下电极与接触焊盘电连接。电容器下电极还包括与接触焊盘相连的焊盘形状存储节点；和置于焊盘形状存储节点之上的杯状存储节点。使用这种方法，可以增加电容容量并降低非开放接触。同样可显著减少发生存储节点倾斜问题的机率。