公开(公告)号：CN111445846B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202010053523.8

申请日：2020-01-17

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金明花 ,  加纳正隆 ,  文然建 ,  朴晙晳 ,  林俊亨 ,  崔惠临

IPC: G09G3/3208 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3266 ,  G09G3/3291 ,  H10D86/00

Abstract: 一种显示设备包括：连接到扫描线以及与扫描线交叉的数据线的像素。像素包括发光元件和驱动晶体管，驱动晶体管根据从数据线施加的数据电压控制供应给发光元件的驱动电流。驱动晶体管包括第一有源层，第一有源层包括掺杂有金属的氧化物半导体。

公开(公告)号：CN110890382B

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN201910832800.2

申请日：2019-09-04

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 朴晙皙 ,  金兑相 ,  文然建 ,  朴根徹 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H01L27/15

Abstract: 提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基底，包括显示区域和非显示区域；栅极驱动器，在非显示区域中设置在基底上，并且包括生成栅极信号并将栅极信号输出到显示区域的多个级；开关晶体管和驱动晶体管，在显示区域中设置在基底上；以及发光二极管，连接到驱动晶体管，其中，多个级中的每个级可以包括多个晶体管，其中，驱动晶体管的沟道层包括第一氧化物半导体材料，包括在多个级中的每个级中的多个晶体管的沟道层包括第二氧化物半导体材料，其中，第一氧化物半导体材料与第二氧化物半导体材料不同，并且其中，第二氧化物半导体材料可以包括锡。

公开(公告)号：CN117723556A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311170916.7

申请日：2023-09-12

Applicant: 三星显示有限公司 ,  东国大学校产学协力团

Inventor： 文然建 ,  林俊亨 ,  郑淃泛 ,  郑光植 ,  洪铉珉

IPC: G01N21/95 ,  G01N21/88 ,  G01N21/01

Abstract: 提供了缺陷分析装置和缺陷分析方法。该缺陷分析装置可以包括：光源，用光照射元件的分析目标层；位置调整器，调整分析目标层中的待被用光照射的位置；检测器，测量在元件的位于分析目标层的一端的源区与元件的位于分析目标层的另一端的漏区之间流动的电流；以及分析器，基于电流来获取与分析目标层中的缺陷相关的定量数据，其中，在第一模式下，分析目标层的多个区被用光顺序地照射。

公开(公告)号：CN108428718B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201810054537.4

申请日：2018-01-19

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金岁玲 ,  林俊亨 ,  金兑相

IPC: H10K59/12 ,  H10K59/124 ,  H01L21/77

Abstract: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置包括基底基板。第一薄膜晶体管被布置在基底基板上。第一薄膜晶体管包括第一输入电极、第一输出电极、布置在第一绝缘层下方的第一半导体图案和布置在第一绝缘层上且第二绝缘层下方的第一控制电极。第二薄膜晶体管包括第二输入电极、第二输出电极、布置在第二绝缘层上的第二半导体图案和布置在绝缘图案上的第二控制电极，绝缘图案被形成在第二半导体图案上并且暴露第二半导体图案的一部分。第一半导体图案包括晶体半导体。第二半导体图案包括氧化物半导体。第一半导体图案、第一控制电极、第二半导体图案和第二控制电极重叠。

公开(公告)号：CN116264235A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202211597245.8

申请日：2022-12-12

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 孙尙佑 ,  文然建 ,  金恩贤 ,  梁承浩 ,  林俊亨 ,  郑贤濬

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/77 ,  H10K59/12

Abstract: 提供了一种显示装置和制造显示装置的方法。所述显示装置包括：绝缘层、发光元件和电连接到发光元件的像素电路。像素电路包括第一晶体管。第一晶体管包括：金属氧化物半导体图案，包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区；第一栅极，设置在金属氧化物半导体图案上，并且在平面图中与沟道区叠置；以及金属氧化物图案，设置在第一栅极上。

公开(公告)号：CN107819038B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN201710817570.3

申请日：2017-09-12

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 林志勋 ,  金宰范 ,  朴晙皙 ,  孙暻锡 ,  林俊亨

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/43 ,  H01L27/32

Abstract: 提供了一种晶体管和一种具有该晶体管的显示装置。所述晶体管包括：半导体层，包括沟道部、第一接触部和第二接触部；栅电极，面对浮置栅极；浮置栅极，设置在半导体层和栅电极之间浮置栅极与半导体层和栅电极绝缘。浮置栅极包括氧化物半导体。

公开(公告)号：CN114649369A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111203920.X

申请日：2021-10-15

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金宰范 ,  金明镐 ,  金连洪 ,  孙暻锡 ,  李承俊 ,  李昇宪 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 公开了显示装置和制造显示装置的方法。显示装置包括衬底、第一薄膜晶体管、第一绝缘层、第二薄膜晶体管、第二绝缘层、中间绝缘层、导电图案和显示元件，衬底包括显示区域和包括透射区域的部件区域，第一薄膜晶体管包括第一半导体层和第一栅电极，第一半导体层包括硅半导体，第一绝缘层覆盖第一栅电极，第二薄膜晶体管包括排列在第一绝缘层上的第二半导体层和第二栅电极，第二半导体层包括氧化物半导体，第二绝缘层覆盖第二栅电极并且具有与透射区域重叠的透射孔，中间绝缘层位于第一绝缘层与第二绝缘层之间，导电图案位于中间绝缘层与第一绝缘层之间，显示元件排列在第二绝缘层上，其中，透射孔暴露中间绝缘层的上表面。

公开(公告)号：CN114447049A

公开(公告)日：2022-05-06

申请号：CN202111269412.1

申请日：2021-10-29

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金恩贤 ,  高殷慧 ,  金连洪 ,  李京垣 ,  李善熙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/32

Abstract: 本公开提供一种其中可以减小外围区域的面积同时具有简单结构的显示装置，该显示装置包括基板、位于基板上并包括从显示区域外部的外围区域延伸到显示区域中的第一延伸线、位于底部金属层上的半导体层、位于半导体层上的栅层、位于栅层上的第一金属层以及位于第一金属层上并包括第一数据线的第二金属层，第一数据线从外围区域延伸到显示区域中，并且在外围区域中电耦接至第一延伸线。

公开(公告)号：CN114361195A

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN202111188082.3

申请日：2021-10-12

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 全景辰 ,  具素英 ,  金億洙 ,  金亨俊 ,  南润龙 ,  林俊亨

IPC: H01L27/15

Abstract: 提供了一种显示装置及制造其的方法。该显示装置包括：第一导电层，设置在基底上；钝化层，设置在第一导电层上；第二导电层，设置在钝化层上；通孔层，设置在第二导电层上；第三导电层，设置在通孔层上，第三导电层包括第一电极、第二电极、连接图案，第一电极、第二电极和连接图案彼此间隔开；以及发光元件，发光元件的第一端部和第二端部分别设置在第一电极和第二电极上，其中，连接图案通过穿透通孔层和钝化层的第一接触孔将第一导电层和第二导电层电连接。

公开(公告)号：CN114171558A

公开(公告)日：2022-03-11

申请号：CN202111042418.5

申请日：2021-09-07

Applicant: 三星显示有限公司

Inventor： 金亨俊 ,  具素英 ,  金亿洙 ,  南润龙 ,  林俊亨 ,  全景辰

IPC: H01L27/32

Abstract: 本发明公开一种显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括：第一晶体管，包括位于基板上的遮光图案、位于遮光图案上的有源图案以及位于有源图案上的栅电极；第二晶体管，被配置为响应于栅信号而将数据电压提供到第一晶体管；以及存储电容器，电连接到栅电极和遮光图案，并且包括：与遮光图案位于同一层中的第一导电图案；位于第一导电图案上并且与第一导电图案重叠的第二导电图案；与栅电极位于同一层中、与第二导电图案重叠并且电连接到第一导电图案的第三导电图案；以及位于第三导电图案上、与第三导电图案重叠并且电连接到第二导电图案的第四导电图案。