-
公开(公告)号：CN117425393A
公开(公告)日：2024-01-19
申请号：CN202311576086.8
申请日：2023-11-20
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本说明书实施方式提供了一种超导量子器件及其制备方法，以及超导量子芯片，所述超导量子器件包括：衬底和以超导金属层为底层的超导电路；以及位于衬底和超导金属层之间的超导调节层。通过本说明书实施方式，在超导量子器件的衬底和超导金属层之间设置超导调节层，由于超导调节层材料的晶格参数位于衬底材料的晶格参数和超导金属层材料的晶格参数之间，可以利用超导调节层改善衬底材料的晶格参数与超导金属层材料的晶格参数之间的匹配程度，解决了衬底材料与超导金属的晶格参数严重失配的问题，提高了超导金属层的超导临界温度，扩大了超导电路的工作温度范围。
-
公开(公告)号：CN116981343A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202311098249.6
申请日：2023-08-29
Applicant: 上海师范大学
Abstract: 本发明涉及一种具有双缓冲层的NbN薄膜、超导隧道结及其制备方法与应用。本发明在Si衬底上制备了MgO和NbTiN双缓冲层，并在缓冲层上制备得到了NbN薄膜。随后在NbN薄膜上依次制备势垒层和NbN超导层，紫外光刻和反应离子刻蚀结合定义超导隧道结的结区，制备绝缘隔离层和引线层，最终得到了高质量的NbN超导隧道结。与现有技术相比，本发明通过在Si衬底上设置晶格参数渐变的双缓冲层，减缓了Si与NbN晶格不匹配造成的缺陷，从而制备得到了具有高超导转变温度的NbN薄膜和高临界电流密度的超导隧道结，提高NbN混频器天文探测信号的收集效率。
-
公开(公告)号：CN116709894A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310238450.3
申请日：2023-03-13
Applicant: 苏州浪潮智能科技有限公司
Abstract: 本申请实施例提供了一种基于超导量子比特3D晶格的超导量子处理器。所述超导量子处理器包括两块芯片；超导量子处理器中的超导量子比特具有3D晶格结构；针对每一块芯片，芯片的第一表面上图案化有超导量子比特2D晶格、铟柱阵列和寻址引线；超导量子比特包括约瑟夫森结回路和旁路电容器；两个芯片的第一表面相对设置，两个芯片中的超导量子比特2D晶格相匹配，两个芯片中的铟柱阵列的布局相匹配；铟柱用于连接两个芯片中的旁路电容器，两个芯片中的超导量子比特通过铟柱耦合，两个芯片中的超导量子比特与铟柱构成3D晶格结构。通过上述结构，可突破硬件对执行量子计算的局限性，有助于执行更准确、更接近真实物理体系的量子动力学模拟。
-
公开(公告)号：CN113013318B
公开(公告)日：2023-07-11
申请号：CN202110252985.7
申请日：2021-03-09
Applicant: 傲普(上海)新能源有限公司
Abstract: 本发明公开了一种储能用高温超导材料性能提高方法，涉及高温超导材料领域，具体为：将支撑坯块、液相源坯块、固相坯块、缓冲辅助层坯块、钕钡铜氧籽晶按照轴对称的方式自下而上依次放置装配成坯体，然后采用顶部籽晶熔渗法制备钇钡铜氧超导块材，并检测钇钡铜氧超导块材的超导性能。本发明通过添加缓冲辅助层坯块能够很好抑制块材表面因为籽晶不匹配而导致的随机成核，进而提高超导块材的磁通钉扎能力，超导块材磁悬浮力和临界电流密度增大，提高了飞轮储能装置的储能效率。
-
公开(公告)号：CN115697029B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211716026.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片及其制备方法，应用于超导量子芯片技术领域，包括衬底；在衬底内部延伸的连接桥；连接桥的一端从衬底一侧的表面向衬底内部延伸，连接桥的另一端从衬底同一侧的表面向衬底的内部延伸；衬底内设置有多段相连通的通道，通道内填充有超导材料，形成连接桥；位于衬底表面的多个共面波导结构；共面波导结构的一端部与连接桥的一端相接触，共面波导结构的另一端部与连接桥的另一端相接触。通过在衬底内部设置连接桥，通过衬底内部连接桥连接衬底表面的共面波导结构，由于连接桥位于衬底内部，具有极高的强度且不易破损；同时衬底内部设置的连接桥可以消除芯片中器件加工的限制。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114141427B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111505844.8
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，首先，将铁粉、碳粉、硒粉和碲粉均匀混合，命名为FCST，按照FCST:KCl:AlCl3=0.5~2:1.5~4:3.5~6的比例称取KCl和AlCl3粉末，与FCST混合；将所得混合粉末放入石英玻璃管末端并将玻璃管进行真空封管；将玻璃管放入可以控制温度的三温区管式炉中，将有反应物质的末端和玻璃管端口放置在不同的两个温区中，将管式炉升温至410~510℃，保温20~50小时，将不含有反应物质的玻璃管端口处的温区降温至330~430℃，含有反应物质的玻璃管末端所在的温度保持410~510℃不变，给玻璃管建立起一个温度梯度，在该温度梯度下烧结不少于21，然后取出淬火。本发明成功地将C掺杂进FeSeTe单晶的晶格中，在不影响晶体质量的前提下，提高了材料的超导转变温度。
-
公开(公告)号：CN116075208A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310035666.X
申请日：2023-01-10
Applicant: 北京航空航天大学
Abstract: 本发明公开了一种用于制备GMI超导复合磁传感器的超导环，超导环由具有微桥结构的超导薄膜组成，其中，将GMI磁敏感器件设置在微桥结构，生成GMI超导复合磁传感器；超导薄膜包括两层铁磁材料层、设置在铁磁材料层之间的导体材料层、以及设置在每个铁磁材料层，与导体材料层之间的绝缘层组成：超导薄膜的膜层叠方向的横截面为闭合的第一等腰梯形结构；微桥结构的第一等腰梯形结构的第二下底长度至多为第二上底长度的1.5倍；微桥结构的第一等腰梯形结构的高小于第二上底长度的0.5倍；本发明在保持超导多层膜原有特征和性能的情况下，还具有较小的结电容和功耗等优点，能够满足大规模产品化的要求。
-
公开(公告)号：CN115915910A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211428989.7
申请日：2022-11-15
Applicant: 北京量子信息科学研究院
Abstract: 本发明提供了一种铁电超导异质结及其应用。铁电超导异质结包括：衬底；超导体，由二维超导材料制成；以及铁电体，由二维铁电材料制成；其中超导体和铁电体并列布置在衬底上；或超导体和铁电体叠置在衬底上。本发明提供的铁电超导异质结为二维材料层状结构，有利于排除界面晶格失配导致的破坏性效应，有利于实现当铁电极化切换时形成的超导态‑正常态的完全开关，有利于提升开关比，降低功耗。能够将衬底、界面晶格匹配限制降低至最小。二维材料特性，更有利于控制层厚和元素掺杂，实现能带工程，对能带对齐和铁电极化强度/方向的精确控制。
-
公开(公告)号：CN115633539A
公开(公告)日：2023-01-20
申请号：CN202211652091.8
申请日：2022-12-22
Applicant: 材料科学姑苏实验室
Abstract: 本发明提供了一种超导电路及其制备方法，所述制备方法包括：（1）在衬底上制备钽层；（2）对所述钽层依次经一次钝化处理、光刻‑刻蚀处理以及二次钝化处理，得到超导电路；所述光刻‑刻蚀处理包括依次进行的涂胶、一次烘烤、图形化处理、二次烘烤、等离子体处理、湿法刻蚀以及光阻剥离；所述制备方法采用湿法刻蚀，并结合钝化工艺以及等离子体处理工艺，有效解决了现有技术中干法刻蚀带了的衬底损伤问题，改善了金属图形边缘的平滑程度，减少了器件的二能级损耗，提升了器件的致密性和稳定性，同时金属层坡度可调利于约瑟夫森结的制备。
-
公开(公告)号：CN222017150U
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202323495766.5
申请日：2023-12-20
Applicant: 本源量子计算科技(合肥)股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种倒装量子芯片和量子计算机，属于量子线路处理技术领域。倒装量子芯片，包括：相对设置的第一衬底和第二衬底，以及位于第一衬底和第二衬底之间的第一互连件；第一衬底形成有量子比特，在第一衬底面对第二衬底的表面形成有第一导电结构；第二衬底面对第一衬底的表面形成有多层布线结构，多层布线结构形成有信号传输线，在多层布结构层背离第二衬底的表面形成有与信号传输线电性连接的第二导电结构；第一互连件的两端分别电连接第一导电结构和第二导电结构，使得量子比特与信号传输线耦合连接。通过上述方式，本实用新型能够使得量子芯片中的信号传输线设置在不同的布线层，降低了由于信号传输线的增多而带来的串扰影响。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
71
records
(took 0.019 seconds)
