-
公开(公告)号：CN118804670A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410782621.3
申请日：2024-06-18
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
IPC: H10N60/01
Abstract: 本发明公开了一种提高倒装焊压焊均匀性的方法，步骤包括：S1，在平面电路表面制备氧化硅层；S2，匀胶曝光；S3，形成氧化硅柱；S4，匀负胶曝光；S5，显影，以得到用于铟柱生长的孔洞；S6，铟柱生长；S7，铟柱剥离；S8，对两个相同结构的所述平面电路以及表面的铟柱进行倒装焊；S9，对倒装焊结束的结构进行压焊；S10，利用刻蚀液去除所述氧化硅柱。本发明不会对平面电路的性能造成影响，相较于现有技术，可以使最终的三维芯片的高度均匀性可得到保证。
-
公开(公告)号：CN118888462A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410913286.6
申请日：2024-07-09
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
IPC: H01L21/60 , H01L21/603 , H10N60/01
Abstract: 本发明涉及一种用于芯片表面的铟柱阵列的制备方法及倒装焊芯片，通过逐层生长和压缩的方式，可以精确地控制铟柱的高度和形状，从而实现高度、底部表面积、顶部表面积以及铟柱截面积均可控的铟柱阵列，将芯片通过上述铟柱阵列倒装焊焊接在一起，提高了芯片与芯片之间的连接强度，提高了倒装焊芯片的电气稳定性，适用于各种高性能电子设备中。
-
公开(公告)号：CN117715506A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311684530.8
申请日：2023-12-08
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种空气桥的制备方法及空气桥，应用于量子芯片技术领域，包括：在衬底表面设置第一超导层并刻蚀，形成平面谐振腔电路的形貌；在平面谐振腔电路的表面设置覆盖传输线预设长度的桥墩；在桥墩表面设置跨置传输线，与端部相接触的第二超导层；在第二超导层表面沿传输线延伸方向设置多个释放孔；释放孔穿过第二超导层暴露桥墩；通过释放孔去除桥墩，制成空气桥。通过在第二超导层设置出释放孔，通过该释放孔可以去除空气桥下方的桥墩，从而保证在第二超导层沿传输线方向延伸较长时，同样可以去除其在制备过程中下方存在的桥墩，以保证最终制备的空气桥可以沿传输线方向进行包裹，以提升传输线的隔离度，减少噪声影响。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115915907B
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310011440.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片制备方法及超导量子芯片，应用于量子芯片技术领域，包括在第一衬底表面设置分离层；在分离层表面设置空气桥；空气桥的桥面与分离层相贴合，空气桥的桥墩从分离层向背向第一衬底一侧方向延伸；将相互对位的空气桥与电路器件相互电连接；在将空气桥与电路器件相互电连接后，通过分离层将第一衬底与空气桥相互分离，制成超导量子芯片。通过先在第一衬底表面单独的设置空气桥，之后通过倒装焊工艺将空气桥直接倒装焊至第二衬底表面与电路器件相连接，从而将空气桥的制备与其他电路器件的制备相互分离，使其互不干扰，可以避免装配空气桥所带来的负面影响。
-
公开(公告)号：CN115697029A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211716026.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片及其制备方法，应用于超导量子芯片技术领域，包括衬底；在衬底内部延伸的连接桥；连接桥的一端从衬底一侧的表面向衬底内部延伸，连接桥的另一端从衬底同一侧的表面向衬底的内部延伸；衬底内设置有多段相连通的通道，通道内填充有超导材料，形成连接桥；位于衬底表面的多个共面波导结构；共面波导结构的一端部与连接桥的一端相接触，共面波导结构的另一端部与连接桥的另一端相接触。通过在衬底内部设置连接桥，通过衬底内部连接桥连接衬底表面的共面波导结构，由于连接桥位于衬底内部，具有极高的强度且不易破损；同时衬底内部设置的连接桥可以消除芯片中器件加工的限制。
-
公开(公告)号：CN115697029B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211716026.7
申请日：2022-12-30
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片及其制备方法，应用于超导量子芯片技术领域，包括衬底；在衬底内部延伸的连接桥；连接桥的一端从衬底一侧的表面向衬底内部延伸，连接桥的另一端从衬底同一侧的表面向衬底的内部延伸；衬底内设置有多段相连通的通道，通道内填充有超导材料，形成连接桥；位于衬底表面的多个共面波导结构；共面波导结构的一端部与连接桥的一端相接触，共面波导结构的另一端部与连接桥的另一端相接触。通过在衬底内部设置连接桥，通过衬底内部连接桥连接衬底表面的共面波导结构，由于连接桥位于衬底内部，具有极高的强度且不易破损；同时衬底内部设置的连接桥可以消除芯片中器件加工的限制。
-
公开(公告)号：CN115915907A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202310011440.6
申请日：2023-01-05
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本发明公开了一种超导量子芯片制备方法及超导量子芯片，应用于量子芯片技术领域，包括在第一衬底表面设置分离层；在分离层表面设置空气桥；空气桥的桥面与分离层相贴合，空气桥的桥墩从分离层向背向第一衬底一侧方向延伸；将相互对位的空气桥与电路器件相互电连接；在将空气桥与电路器件相互电连接后，通过分离层将第一衬底与空气桥相互分离，制成超导量子芯片。通过先在第一衬底表面单独的设置空气桥，之后通过倒装焊工艺将空气桥直接倒装焊至第二衬底表面与电路器件相连接，从而将空气桥的制备与其他电路器件的制备相互分离，使其互不干扰，可以避免装配空气桥所带来的负面影响。
-
公开(公告)号：CN117750872A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311773944.8
申请日：2023-12-21
Applicant: 量子科技长三角产业创新中心
Abstract: 本申请涉及超导量子电路领域，公开了一种超导量子电路及其制作方法，包括：准备超导量子电路的预制结构；预制结构包括衬底、超导薄膜层和第一光刻胶层，第一光刻胶层上第一镂空图案位于第一区域和/或第二区域；刻蚀预制结构，在第一镂空图案下方形成沟道；第二区域的刻蚀深度等于超导薄膜层厚度；第一区域的刻蚀深度大于或等于超导薄膜层厚度；去除第一光刻胶层，并形成第二光刻胶层；第二光刻胶层上第二镂空图案位于第一区域或第二区域；再次刻蚀预制结构，在第二镂空图案下方形成沟道；第一区域的刻蚀总深度大于超导薄膜层厚度，第二区域的刻蚀总深度等于超导薄膜层厚度，提升超导共面波导谐振腔的内部品质因子，且不影响约瑟夫森结的制备。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.034 seconds)
