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公开(公告)号：CN114561687B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202210185038.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了S掺杂MnBi2Te4单晶的制备方法，该方法包括以下三个步骤：①按照原子混合比例制备α‑MnTeS多晶样品；②按照化学计量比混合制备Bi2Te3单晶样品；③将α‑MnTeS多晶样品和Bi2Te3单晶样品粉碎成粉末作为前驱体材料，再将二者按照1:1的摩尔比混合，加热至950℃并保温，然后以一定的速率缓慢冷却至580℃‑600℃后冷却淬火，从而获得高质量的S掺杂MnBi2Te4单晶。本发明提供的制备方法工艺简单，相比于其它方法所需要的时间短、成本价低。
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公开(公告)号：CN114150375B
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202111505848.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种磁控共溅射制备Fe‑Sn‑Se‑Te四元薄膜的方法，具体方法如下：1）将铁粉、锡粉、硒粉和碲粉称量、研磨后放入坩埚中，再将坩埚置于石英管中，进行真空封管，将封好的石英管放置在马弗炉中进行烧结，自然冷却取出；2）将所得混合物研磨成粉末，压成坯体，进行高温烧结，制成FeSnSeTe靶材；3）清洗基底；4）将靶材放在靶位上，基底放入腔室中，关闭腔室并抽真空，往腔室中通入氩气，使用射频功率为60~110 W，沉积时间为45~120分钟。溅射结束，关闭电源；5）取出沉积好的薄膜，放入烧结炉中烧结，自然冷却后取出。本发明方法制备的薄膜均匀性好，并且由于Sn的掺杂，提高了FeSeTe材料的超导性能。
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公开(公告)号：CN115448383A
公开(公告)日：2022-12-09
申请号：CN202211272756.2
申请日：2022-10-18
Applicant: 福建师范大学
IPC: C01G53/00 , C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/624 , C04B35/64 , H01B12/00
Abstract: 本发明公开了一种无限层镍基超导体前驱体的制备方法。所述方法包括以下步骤：将硝酸钕、硝酸锶和硝酸镍按化学计量比溶解于水中，得到硝酸凝胶，将所得硝酸凝胶放入烘箱中进行浓缩，随后将烘干产物用玛瑙研钵粉碎后装入到模具中，将其放置在高温高压炉中烧结，得到无限层镍基超导体前驱体Nd1‑xSrxNiO3。本发明将溶胶凝胶法与高温高压炉结合，具有灵活性强，制备条件简单，操作过程简便，周期短，产品稳定性好的优点，可以制备出大块超导体前驱体且产品稳定性高，本发明方法有效的解决了现有方法对实验环境要求苛刻、实验设备操作繁琐等问题。
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公开(公告)号：CN114808102A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210431602.7
申请日：2022-04-22
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，1）在惰性气体氛围中将铁粉，锗粉，硒粉和碲粉充分研磨，按比例混合，将均匀混合的粉末压片，将制得的混合粉末胚体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理后进行烧结，得到Ge掺杂FeSeTe单晶样品；2）将上述制备的样品研磨后装进模具中进行压片，将压好的胚体放置在坩埚中，再将坩埚放置在石英管中，将石英管进行真空封管处理后进行烧结，取出淬火。本方法成功地激发出Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能，这为FeSeTe超导体原理的研究提供了进一步的技术支持。
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公开(公告)号：CN114561687A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210185038.5
申请日：2022-02-28
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了S掺杂MnBi2Te4单晶的制备方法，该方法包括以下三个步骤：①按照原子混合比例制备α‑MnTeS多晶样品；②按照化学计量比混合制备Bi2Te3单晶样品；③将α‑MnTeS多晶样品和Bi2Te3单晶样品粉碎成粉末作为前驱体材料，再将二者按照1:1的摩尔比混合，加热至950℃并保温，然后以一定的速率缓慢冷却至580℃‑600℃后冷却淬火，从而获得高质量的S掺杂MnBi2Te4单晶。本发明提供的制备方法工艺简单，相比于其它方法所需要的时间短、成本价低。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114182350A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111508694.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法。将硒粉，铁粉，碲粉按照硒‑铁‑碲的顺序放入刚玉坩埚中，再将坩埚放入石英管中进行封管；将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，自然冷却取出；将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT，将SFT与铅粉研磨成粉末，压成多晶料棒；再将SFT压成籽晶棒；在熔融炉的熔融区左侧放上籽晶棒，顺时针旋转，在熔融区的右侧放上多晶料棒，逆时针旋转；待结晶全部停止，降至室温，获得FePbSeTe单晶超导材料。本方法成功的将过渡金属Pb掺入到FeSeTe的晶格中，取代Fe的位，提高了FeSeTe单晶超导体的超导性能，且本发明可以制备大块的单晶超导体。
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公开(公告)号：CN114182349A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111505843.3
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种酒精浸泡法激发Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能的方法，这种方法适用于激发大多数掺杂导致性能被抑制材料的超导性能。具体方法如下：将铁粉，锗粉，硒粉和碲粉充分研磨，将均匀混合的粉末压片，将制得的混合粉末坯体进行真空封管，将真空石英管进行烧结，得到Ge掺杂FeSeTe样品。然后将样品浸泡在酒精饮料中并加热，将浸泡后的样品干燥，研磨并压片，放置在坩埚中，进行真空封管，放置在管式炉中进行烧结，得到FeGeSeTe单晶材料。本方法成功地激发出Ge掺杂FeSeTe单晶材料的超导性能，这为FeSeTe超导体原理的研究提供了进一步的技术支持。
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公开(公告)号：CN114141427A
公开(公告)日：2022-03-04
申请号：CN202111505844.8
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法，首先，将铁粉、碳粉、硒粉和碲粉均匀混合，命名为FCST，按照FCST:KCl:AlCl3=0.5~2:1.5~4:3.5~6的比例称取KCl和AlCl3粉末，与FCST混合；将所得混合粉末放入石英玻璃管末端并将玻璃管进行真空封管；将玻璃管放入可以控制温度的三温区管式炉中，将有反应物质的末端和玻璃管端口放置在不同的两个温区中，将管式炉升温至410~510℃，保温20~50小时，将不含有反应物质的玻璃管端口处的温区降温至330~430℃，含有反应物质的玻璃管末端所在的温度保持410~510℃不变，给玻璃管建立起一个温度梯度，在该温度梯度下烧结不少于21，然后取出淬火。本发明成功地将C掺杂进FeSeTe单晶的晶格中，在不影响晶体质量的前提下，提高了材料的超导转变温度。
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公开(公告)号：CN114164494B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202111508711.6
申请日：2021-12-10
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种Mn、Fe共掺碲化铋的单晶制备方法，该制备方法包括如下三个步骤：①.按照原子比混合制备α‑MnFeTe多晶样品；②.按照化学计量比混合制备Bi2Te3单晶样品；③.将α‑MnFeTe多晶样品和Bi2Te3单晶样品粉碎成粉末作为前驱体，再将二者按照1:5.85的摩尔比混合，在一定时间加热至950℃并保温，然后缓慢冷却至580℃‑600℃后冷却淬火，从而获得高质量的Mn、Fe共掺Bi2Te3单晶。本发明提供的制备方法工艺简单，成本价低。
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公开(公告)号：CN114790569B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210430716.X
申请日：2022-04-22
Applicant: 福建师范大学
Abstract: 本发明公开了一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法：1）将摩尔比为1:1的金属Cs与Sb粉研磨均匀，得到粉末A；2）将摩尔比为3:3~4:0.15~1的V粉、Sb粉、Se粉研磨均匀，得到粉末B；3）将粉末A、B混合后放在模具中进行压片，制成胚体；4）取出胚体并放置在坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理；5）将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以1~2℃/分钟的速率加热至800℃~1100℃，保温24~36 h，然后以50~100℃/小时的速率降温至600℃~800℃，最后以1~2℃/小时的速率缓慢降温至400℃~650℃；6）取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到Se掺杂CsV3Sb5块体单晶。本发明提供的制备Se掺杂CsV3Sb5块体单晶的方法，操作简单。
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