公开(公告)号：CN107539990A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201610587321.5

申请日：2016-07-22

Applicant: 南京大学

Inventor： 杜红宾 ,  孙林

IPC: C01B33/027 ,  H01M4/38 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明公开了一种多孔硅纳米材料的制备方法，将氯硅烷在活化剂作用下，室温至200℃下在无水有机溶剂中与硅化镁反应后，制备得到具有介孔和大比表面积的多孔硅纳米材料。本发明与传统的合成方法相比，操作简单、反应条件温和、产量高，易于放大合成，成本低廉。通过本发明方法得到的多孔硅纳米材料经过包碳处理后作为锂离子电池的负极材料具有很高的能量密度和非常优异的循环性能。

公开(公告)号：CN103958397B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201280051913.5

申请日：2012-08-20

Applicant: 约尔格·阿布席斯

Inventor： 约尔格·阿布席斯

IPC: C01B33/027 ,  C01B33/029 ,  G01N33/483 ,  B82Y10/00

CPC classification number: G01N27/04 ,  B81B7/0006 ,  B81B2201/0214 ,  B81C1/00087 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B11/12 ,  C30B29/06 ,  C30B29/60 ,  G01N33/483 ,  G01N33/48721

Abstract: 本发明尤其描述一种用于制造导体结构的方法，所述导体结构具有至少一个硅纳米线（4），所述硅纳米线具有小于50nm的直径并且经由电极（11，13，30）经由至少两个部位接触，并且其中至少一个纳米线（4）和电极（11，13，30）设置在衬底（1，5）上的一个平面中，其特征在于，a）将直径在0.5nm至50nm的范围中的催化活性的金属纳米颗粒放置在绝缘衬底（1）的表面（2）上，b）当温度在300℃至1100℃的范围中、同时持续时间在10min至200min的范围中时，表面和放置在其上的金属纳米颗粒经受包含至少一种气态的硅组分的气流，其中形成至少一个长度在5μm至200μm的范围中的从衬底（1）伸出的纳米线（4）；c）将所述至少一个从衬底（1）的表面伸出的纳米线（4）通过安放具有与绝缘衬底（1）的表面（2）相配合的接触面（6）的次级衬底（5）而放置到一个平面中；d）放置在绝缘衬底（1）上的至少一个纳米线（4）在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触，或者至少一个附着在次级衬底（5）上的纳米线在两个不同的部位上与电极（11，13，30）接触。

公开(公告)号：CN107311179A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710448091.9

申请日：2017-06-14

Applicant: 深圳职业技术学院

Inventor： 易衫 ,  代建国 ,  唐勇军 ,  朱俊晨

IPC: C01B33/027 ,  B82Y40/00

CPC classification number: C01B33/027 ,  C01P2002/82 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/64

Abstract: 本发明公开一种快速制备硅纳米粒子的方法及硅纳米粒子，其中，所述快速制备硅纳米粒子的方法包括步骤：A、向预先配置好的有机醇溶液中添加碱性化合物，生成混合液；B、向所述混合液中加入硅酸乙酯，搅拌1-120min后，得到反应后液；C、对所述反应后液进行固液分离，将分离后的固体进行水洗、干燥处理，即得到硅纳米粒子。解决了现有技术中无法快速合成粒径均一的硅纳米粒子的问题。

公开(公告)号：CN104583122B

公开(公告)日：2017-09-05

申请号：CN201380044277.8

申请日：2013-08-26

Applicant: 赫姆洛克半导体运营有限责任公司

Inventor： 约翰·V·布奇 ,  雷蒙德·安东尼·库科 ,  马克斯·E·德蒂亚 ,  帕特里克·J·哈德 ,  S·B·雷迪·卡里 ,  泰德·M·诺尔顿 ,  迈克尔·J·莫尔纳

IPC: C01B33/027 ,  B01J8/18 ,  B01J8/24 ,  B01J8/44

CPC classification number: B01J8/24 ,  B01J8/1827 ,  B01J8/1836 ,  B01J8/1872 ,  B01J8/44 ,  B01J2208/00672 ,  B01J2208/00752 ,  B01J2208/00761 ,  B01J2208/00902 ,  B01J2208/00938 ,  B01J2208/00982 ,  B01J2208/00991 ,  C01B33/027 ,  C01B33/03 ,  G01N15/0255

Abstract: 本发明涉及一种流化床反应器，其包括气体分配器、位于所述气体分配器上方的锥形区段以及位于所述锥形区段上方的扩展头部。所述气体分配器限定多个围绕产物抽吸管的入口，所述产物抽吸管远离所述流化床反应器延伸。所述流化床反应器可用于诸如Geldart B类颗粒和/或Geldart D类颗粒的相对大的颗粒的流化方法，其中所述颗粒处于完全或部分地位于所述锥形区段中的鼓泡流化床中。所述流化床反应器和方法可用于制造多晶硅。

公开(公告)号：CN104876222B

公开(公告)日：2017-05-24

申请号：CN201510170632.7

申请日：2015-04-10

Applicant: 上海交通大学

Inventor： 肖文德 ,  阎建民 ,  李学刚 ,  罗漫

IPC: C01B33/027

Abstract: 本发明公开了一种硅烷热解的多晶硅生产方法与装置，该生产装置包括钟罩和圆盘状的底板，钟罩和底板形成反应区，硅棒采用六边形排布，底板上设置有多个进气导流筒，导流筒侧壁上开设喷口，原料气从喷口进入反应区直接喷向硅棒表面，反应尾气从钟罩反应器顶部排出或进入出口导流筒排出。通过该装置生产时，低温反应气体直接喷向沉积反应发生的硅棒表面，冷却了高温硅棒周围，对于热质传递具有强烈的协同效应，导流筒在硅棒之间具有低温隔离作用，利用辐射热量预热原料气，提高了热效率，具有降低能耗的效果。

公开(公告)号：CN106458606A

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201580027536.5

申请日：2015-05-04

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： P.弗马 ,  I.克卡姆 ,  A.莫克 ,  I.黑伦

IPC: C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  H01M4/38 ,  H01M4/134

CPC classification number: H01M4/386 ,  C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/027 ,  C01P2004/30 ,  C01P2004/34 ,  H01M4/134 ,  H01M10/052 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明涉及用于制备硅颗粒，特别是用于锂-电池的阳极材料的硅颗粒的方法。为了改进锂-电池的环循稳定性和特别是使容量损失最小，在方法步骤a)中将微生物(1)分散在至少一种溶剂(2)中，该溶剂包含至少一种硅化合物。然后在方法步骤b)中去除该至少一种溶剂(2)，在此保留剩余物(1、3)。然后在方法步骤c)中在还原性气氛(4)下加热该剩余物(1、3)。此外，本发明还涉及相应的硅颗粒以及相应的包含该硅颗粒的阳极材料和配备有其的锂-电池。

公开(公告)号：CN102388435B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201080016856.8

申请日：2010-04-09

Applicant: 独立行政法人科学技术振兴机构

Inventor： 下田达也 ,  松木安生 ,  川尻陵 ,  增田贵史 ,  金田敏彦

IPC: H01L21/208 ,  B29C59/02 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027

CPC classification number: G03F7/0002 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B33/02 ,  C01B33/027 ,  C01B33/18 ,  C01P2004/01 ,  C01P2004/20 ,  C23C18/06 ,  C23C18/08 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1279 ,  C23C18/14 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02623 ,  H01L21/02656 ,  H01L21/31 ,  Y10T428/24612

Abstract: 本发明涉及图案的形成方法，该方法包括下述步骤：步骤一，在基板和图案状模的间隙配置选自氢化硅化合物和卤化硅化合物的至少一种硅烷化合物；步骤二，对配置的上述硅烷化合物实施选自热处理和紫外线照射处理的至少一种处理。通过在惰性气氛或还原性气氛下进行上述步骤二，可以形成包含硅的图案；通过在含氧气氛下进行上述步骤二的至少一部分，可以形成包含硅氧化物的图案。

公开(公告)号：CN102639438B

公开(公告)日：2016-04-13

申请号：CN201080053022.4

申请日：2010-11-25

Applicant: 戴纳泰克工程有限公司

Inventor： 约瑟夫·菲尔特维特 ,  沃纳·O·菲尔特维特 ,  阿韦·霍尔特

IPC: C01B33/027

CPC classification number: C01B33/035 ,  B01J4/002 ,  B01J4/007 ,  B01J19/02 ,  B01J19/2405 ,  B01J19/28 ,  B01J2219/00056 ,  B01J2219/0009 ,  B01J2219/00141 ,  B01J2219/00144 ,  B01J2219/00146 ,  B01J2219/00148 ,  B01J2219/00155 ,  B01J2219/00164 ,  B01J2219/0236 ,  B01J2219/029 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4418 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/45504 ,  C30B25/08 ,  C30B29/06

Abstract: 用于生产硅的反应器，该反应器包括反应器容积件，该反应器是独特的，因为该反应器包括或可操作地布置到用于将化学气相沉积(CVD)用的含硅反应气体设置成在反应器容积件内旋转的至少一个装置。用于生产硅的方法。

公开(公告)号：CN105460938A

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201410460636.4

申请日：2014-09-11

Applicant: 瑞科硅公司

Inventor： 迈克尔·V·斯潘格勒 ,  马修·J·米勒

IPC: C01B33/027 ,  B01J8/24

CPC classification number: C23C16/24 ,  C01B33/027 ,  C23C16/4417 ,  C23C16/442

Abstract: 本发明公开了用于流化床反应器的阻挡元件，特别地，公开了一种阻挡元件及其在流化床反应器中的使用方法的实施方式。所述阻挡元件包含多个接纳元件和多个连接所述接纳元件的连接元件，每个接纳元件包含定义了通路的管状壁，所述通路的大小适于接纳内部反应器部件，其中所述阻挡元件占据所述流化床反应器的反应仓室的水平截面的15-60％。

公开(公告)号：CN105271238A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510797202.8

申请日：2015-11-18

Applicant: 浙江工业大学

Inventor： 许浩辉 ,  梁初 ,  夏阳 ,  陶新永 ,  张文魁 ,  甘永平 ,  黄辉 ,  张俊

IPC: C01B33/027

Abstract: 本发明公开了一种利用机械化学法制备硅粉体的方法，所述方法包括如下步骤：(1)在保护气氛下，往球磨罐中加入卤化硅、金属氢化物和磨球，其中卤化硅和金属氢化物的摩尔比为1:2～1:6，然后将球磨罐密封；(2)在密封球磨罐中，使卤化硅和金属氢化物在室温、球磨转速为100～500rpm的条件下进行球磨反应，球磨时间为1～24h；(3)球磨反应结束后，先收集球磨罐内的氢气，然后取出球磨罐内的粉体；(4)粉体先酸洗，接着水洗至洗涤液为中性；(5)洗后的粉体经干燥、冷却即得到单质硅粉体。本发明所述的硅粉体的制备方法具有工艺简单、高效无毒、易于工业化实施的优点。