公开(公告)号：CN1895998A

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN200610009244.1

申请日：2006-02-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵恩珠 ,  闵约赛 ,  朴玩濬

IPC: C01B31/02

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y30/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/02 ,  H05H1/46 ,  H05H2001/4667 ,  Y10S977/845

Abstract: 本发明提供一种利用H2O等离子体在相对低温下生长良好的单壁碳纳米管的方法。该方法包括：准备真空室；在该真空室中制备其上沉积有催化剂金属的基底；蒸发要供应给真空室中的H2O；在真空室中产生H2O等离子体放电；及向真空室中供应源气体，从而在H2O等离子体气氛中在基底上生长碳纳米管。

公开(公告)号：CN1853006A

公开(公告)日：2006-10-25

申请号：CN200380107266.6

申请日：2003-11-21

Applicant: 赛得里姆显示器公司

Inventor： 康盛球 ,  克雷格·贝

IPC: C30B29/04 ,  C30B29/06

CPC classification number: C30B25/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  C30B33/12 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845

Abstract: 使用等离子体化学淀积方法在基材表面上形成碳纳米管。在纳米管已经生长以后，在新近形成的纳米管结构上实施处理步骤。该后处理可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子控制纳米管层的厚度。在相同基材温度下，用等离子体实施后处理。对于该后处理，含氢气体用作等离子体源气体。在从纳米管生长停止转变到后处理步骤期间，等离子体处理室中的压力用上述纯化气体稳定，而不关闭该室中的等离子体。这消除了清除和抽空该等离子体处理室的需要。

公开(公告)号：CN1263596C

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN02816115.7

申请日：2002-06-20

Applicant: 代顿大学

Inventor： C-S·王 ,  M·D·亚历山大

IPC: B32B18/00 ,  B32B27/04 ,  B32B27/12

CPC classification number: C08J5/005 ,  B82Y30/00 ,  C08K7/24 ,  C08K2201/011 ,  H01B1/24 ,  Y10S977/753 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/845 ,  Y10T428/24994 ,  Y10T428/249945

Abstract: 提供一种用碳纳米纤维增强聚合物材料的方法，其中碳纳米纤维与聚合物和聚合物用溶剂混合，形成基本上均匀的混合物，接着通过蒸发或凝固除去溶剂。所得导电聚合物纳米复合材料显示出高的导电率和导热率、提高的机械强度、抗磨性和尺寸稳定性。

公开(公告)号：CN1729317A

公开(公告)日：2006-02-01

申请号：CN200380107267.0

申请日：2003-11-21

Applicant: 赛得里姆显示器公司

Inventor： 康盛球 ,  克雷格·贝

IPC: C30B23/00 ,  C30B25/00 ,  C30B28/12 ,  C30B28/14 ,  C30B29/00 ,  C30B29/04

CPC classification number: C30B25/105 ,  B82Y30/00 ,  C30B29/605 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/844 ,  Y10S977/845

Abstract: 使用等离子体化学淀积方法在基材表面形成碳纳米管。纳米管生长之后，在新近形成的纳米管结构上进行纯化步骤。纯化可从生长的纳米管的壁上除去石墨及其他碳粒子，控制该纳米管层的厚度。在相同的基质温度下，用等离子体实施纯化。对于纯化，加入到等离子体化学淀积源气体中的作为辅助气体的含氢气体用作等离子源气体。因为纯化等离子体的源气体作为辅助气体加入到化学等离子体沉积的源气体中，通过与持留在等离子体处理室中的连续等离子体反应而纯化生长的碳纳米管。这消除了清除和抽空等离子体处理室，以及用纯化等离子体源气体稳定压力的必要。因此，在等离子体处理室中可以在不关闭等离子体的情况下进行生长和纯化。