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公开(公告)号：CN118137800A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410020736.9
申请日：2024-01-05
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源芯片的关断检测器电路，属于集成电路技术领域，包括偏置电路、失调补偿电路、信号采集电路及运算放大器电路。本发明利用电阻R4和电容C2构成失调采样电路以及电阻R3、NMOS管MN10、NMOS管MN11与NMOS管MN12构成修调电路等技术为运算放大器电路输入对管提供失调补偿量，利用钳位泄放通路技术防止电源芯片内部电路被高压损坏，利用时钟信号CK1、时钟信号CK2、时钟信号CK3等控制使得运算放大器电路交替工作在钳位运放和比较器等两种模式下，在电路输出端VOFF产生一个低边功率管栅极的方波控制信号，使得电源芯片的低边功率管关断，提高电源芯片电感电流过零精度，抑制电源芯片出现振铃问题。
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公开(公告)号：CN111245233B
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202010104241.6
申请日：2020-02-20
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于降压型开关电源的自适应关断时间产生电路，包括正比输入电压的电流产生电路及自适应关断时间产生核心电路。正比输入电压的电流产生电路采用PMOS管M5与电阻R2串联采样输入电压Vin，放大器A1及电阻R1提取PMOS管M5的栅源电压，实现正比于输入电压Vin的电容C1充电电流；自适应关断时间产生核心电路采用两对电流镜及3个电阻来采样降压型电源转换器输出端Vout的电压Vout，使得关断时间跟随电压Vin、电压Vout变化而变化进而实现自适应调整，电路电流与降压型电源转换器的负载电流无关，开关频率不受负载电流影响，从而实现了一种用于降压型开关电源的自适应关断时间产生电路。
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公开(公告)号：CN116192121A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310003981.4
申请日：2023-01-03
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/017 , H03K19/00
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的快速电平位移电路，包括电平位移核心电路及低延时通路检测电路。本发明采用电阻R1使得PMOS管M5‑M6漏极电压能快速从VDDH降为VSSH，提高电路瞬态特性，缩短电压转换的延迟并减少开关损耗；采用PMOS管M13‑M14构成上拉MOS管，使PMOS管M5‑M6漏极电压快速上升，减少开关损耗；采用栅极、源极和衬底短接NMOS管M7‑M8来实现二极管，使PMOS管M5‑M6漏极的低电位均不低于VSSH‑0.7，提高电路可靠性，采用反相器实现延迟链技术，使对应与非门输出一个下脉冲信号，进而电路输出一个与输入信号变化一致的高压信号，从而实现高性能的快速电平位移电路。
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公开(公告)号：CN116088624A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310063736.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源管理芯片的高PSRR基准参考电路，包括自偏置前调整电路及基准参考核心电路。本发明采用自偏置前调整电路为基准参考核心电路提供工作电源，提高电路的电源抑制比；采用NPN三极管Q12与NPN三极管Q13作为误差放大器的输入对管且其发射极接电阻R6，有效地增加了误差放大器的共模输入范围，降低了电路的复杂度，在误差放大器的输出端接电容C1，提高了电路环路稳定性；采用工作在亚阈值区PMOS管M3提供的电流在电阻R2上产生的电压补偿NPN三极管Q9基极‑发射极电压VBE9的温度高阶非线性，从而获得高PSRR、低温漂系数的基准参考电压，进而实现高PSRR基准参考电路。
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公开(公告)号：CN116048171A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202310063743.2
申请日：2023-02-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明请求保护一种用于低压差线性稳压器芯片的高阶温度补偿带隙基准电路，包括(μn)‑1偏置电流产生电路、(μn)‑3(VTHn)‑2偏置电流产生电路及带隙基准核心电路。本发明采用MOS管M7‑M8、MOS管M12‑M13及MOS管M10构成负反馈环路，采用MOS管M7‑M9构成正反馈环路，电阻R2和电容C2构成低通滤波器并降低正反馈环路增益，确保电路稳定；偏置电流产生电路为带隙基准核心电路提供偏置电流，产生具有温度高阶特性的电流IQ2，有效地补偿VEB1温度高阶非线性，从而获得高阶补偿的带隙基准参考电压，进而实现高阶温度补偿带隙基准电路。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110635791B
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN201910842185.3
申请日：2019-09-06
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K17/042
Abstract: 本发明请求保护一种采用镜像结构的栅压自举采样开关电路，通过采用“镜像”结构使得自举电容增大为传统电路的2倍，提高采样开关线性度；采用钟控虚拟MOS管吸收相关MOS管产生的沟道电荷的技术，抑制沟道电荷注入；采用钟控反相器输出端驱动NMOS管M10与NMOS管M12的结构，减小采样开关管M11栅极节点的寄生电容，抑制电路电荷共享，在采样开始阶段，NMOS管M10和NMOS管M12分别与PMOS管MOS管M5和PMOS管M13同时导通，加快采样开关的导通速度，在采样到保持转换瞬间，PMOS管M8与NMOS管M9组成电路以及PMOS管M16与NMOS管M17组成电路有一段时间同时保持导通，加快采样开关的关断速度。本电路有效地提高了栅压自举采样开关电路的线性度及开关速度，从而有效地改善了栅压采样开关电路整体性能。
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公开(公告)号：CN115800960A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211338121.8
申请日：2022-10-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高频时钟占空比校准电路，属于微电子技术领域。包括时钟占空比检测电路及时钟占空比调整电路。本发明采用时钟占空比检测电路及跨导运算放大器构成负反馈补偿电路技术使输入时钟占空比小于50％时输出时钟高电平时间小于低电平时间，调整电容C1～C2的电压，将电容的变化电压转为电流并调整PMOS管M18及NMOS管M25的漏极电流，进而校准时钟占空比；采用多支路占空比调整电路及由PMOS管M7～M8构成共模反馈等技术，使得输入时钟占空比小于50％时开关S1～S3逐个关断及开关S4～S6逐个开启，使得时钟信号的校准值达到输入时钟信号的偏移量，获得占空比为50％的输出时钟，从而实现一种高频时钟占空比校准电路。
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公开(公告)号：CN112653327B
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202011548149.5
申请日：2020-12-24
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H02M3/07
Abstract: 本发明请求保护一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵，包括电荷泵偏置电路及电荷泵核心电路等。本发明电荷泵偏置电路的PMOS管M9采用二极管连接及PMOS管M8栅极与电荷泵输出端相连，在放电状态弥补电荷泵输出电压较低时放电电流较小的问题，增加电荷泵输出端电压动态范围；电荷泵核心电路中误差放大器op1采用单位增益连接，在充/放电转换瞬间能抑制电荷共享效应；PMOS管M17、PMOS管M10分别与误差放大器op2构成反馈补偿电路，充电状态电荷泵输出端电压逐渐上升使得PMOS管M17及PMOS管M10栅极电压降低，充电电流增加，进而增大电荷泵输出端电压动态范围，从而实现一种宽锁定范围低电流失配的电荷泵。
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公开(公告)号：CN114489223A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210157647.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路(2)。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN114337617A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111520510.8
申请日：2021-12-13
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H03K5/24
Abstract: 本发明请求保护一种低功耗快速动态比较器，属于微电子技术领域。包括预放大器、比较电路及锁存器，所述预放大器的信号输出端接所述比较电路的信号输入端，所述比较电路的信号输出端接所述锁存器的信号输入端；本发明采用PMOS管构成体二极管结构降低电路的动态功耗，体二极管的栅极接偏置电压端，通过偏置电压调节体二极管的压降，调节比较器的速度，降低电路延时；采用两个背靠背交叉耦合的晶体管作预放大器的负载，提高预放大器的增益，预放大器的两输出端接时钟信号控制的传输门，克服电路电荷失调影响比较器速度的问题；比较电路采用背靠背交叉耦合连接的两反相器构成正反馈的结构，提高比较精度，使系统在一个稳定状态下工作。
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