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公开(公告)号:CN116207981A
公开(公告)日:2023-06-02
申请号:CN202310207265.8
申请日:2023-03-06
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种用于片上时钟产生电路的电荷泵电路,包括偏置电路、补偿电路及电荷泵核心电路。本发明采用MOS管M11~M36以及运算放大器OP2组成动态补偿电流结构,并通过PMOS管M12、PMOS管M18、NMOS管M28、NMOS管M30等MOS管的电流对电荷泵充/放电流进行动态补偿,增大电荷泵的充/放电电流的匹配范围,采用PMOS管M50抑制沟道调制效应影响PMOS管M51电流以及NMOS管M57抑制沟道调制效应影响NMOS管M58电流的技术,提高电荷泵充放电电流的匹配性,从而实现一种用于片上时钟产生电路的高性能电荷泵电路。
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公开(公告)号:CN115800960A
公开(公告)日:2023-03-14
申请号:CN202211338121.8
申请日:2022-10-28
Applicant: 重庆邮电大学
Abstract: 本发明请求保护一种高频时钟占空比校准电路,属于微电子技术领域。包括时钟占空比检测电路及时钟占空比调整电路。本发明采用时钟占空比检测电路及跨导运算放大器构成负反馈补偿电路技术使输入时钟占空比小于50%时输出时钟高电平时间小于低电平时间,调整电容C1~C2的电压,将电容的变化电压转为电流并调整PMOS管M18及NMOS管M25的漏极电流,进而校准时钟占空比;采用多支路占空比调整电路及由PMOS管M7~M8构成共模反馈等技术,使得输入时钟占空比小于50%时开关S1~S3逐个关断及开关S4~S6逐个开启,使得时钟信号的校准值达到输入时钟信号的偏移量,获得占空比为50%的输出时钟,从而实现一种高频时钟占空比校准电路。
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