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公开(公告)号：CN114489223A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210157647.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路(2)。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111158421A
公开(公告)日：2020-05-15
申请号：CN202010023088.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极-基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极-基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN114489223B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210157647.X
申请日：2022-02-21
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR带隙电压源电路，包括电压预调整器及带隙基准核心电路(2)。本发明采用三极管Q8、三极管Q9、电阻R9及NMOS管M15构成负反馈环路使带隙基准核心电路稳定，采用三极管基极‑发射极嵌位技术产生正温度系数电压并与三极管基极‑发射极电压实现带隙基准电压，采用二极管反偏饱和电流的温度非线性对带隙基准电压进行温度补偿来实现低温漂带隙基准电压；采用电压预调整器为带隙基准核心电路提供工作电源电压、电压预调整器与带隙基准核心电路构成负反馈环路等技术来提高电路的电源抑制比PSRR，从而获得用于DC‑DC开关电源芯片的高PSRR低温漂的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN114489222B
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202210125137.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
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公开(公告)号：CN111158421B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN202010023088.4
申请日：2020-01-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种分段补偿的带隙基准电压源电路，包括启动电路、一阶带隙基准电压源电路及温度分段补偿产生电路。本发明采用两个PNP型三极管发射极‑基极电压之差在电阻R3上产生的电流以及PNP型三极管Q1的发射极‑基极电压VEB1在电阻R2上产生的电流进行加权产生一阶温度补偿电流，一阶温度补偿电流在电阻R5与R4上产生一阶温度补偿带隙电压，同时一阶温度补偿电流为温度分段补偿产生电路提供偏置电流，温度分段补偿产生电路产生四种不同温度区域的分段温度补偿电流并在电阻R4上产生分段温度补偿电压对一阶温度补偿带隙电压进行高阶温度补偿，从而获得高性能的带隙基准参考电压。
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公开(公告)号：CN114489222A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210125137.4
申请日：2022-02-10
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明请求保护一种用于电源芯片的带隙基准电路，包括启动电路、带隙基准核心电路及温度补偿电路。本发明采用电流镜及电流源的嵌位技术使得NPN三极管Q1及NPN三极管Q4具有相同的集电极电压及相同的基极电压，使得电阻R5支路及电阻R6支路上流过相等的正温度系数电流，进而在电阻R4与电阻R5上产生正温度系数电压并与NPN三极管Q2的基极‑发射极电压产生一阶带隙基准电压；采用NPN三极管的基极与发射极短接技术获得反偏PN结，利用反偏PN结的饱和电流产生高阶温度补偿电流并对一阶带隙基准电压进行高阶温度补偿，从而实现一种用于电源芯片的高性能带隙基准电路。
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