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公开(公告)号：CN113794451A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110920111.4
申请日：2021-08-11
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种基于振荡负阻特性的低功耗单端反射放大器电路，通过确定工作频率区间并选择在工作频率区间的射频信号，在符合偏置条件的直流偏置电压下工作，产生负电阻对接收的射频信号进行负放大；将负阻放大模块放大的射频信号在选频模块，负阻放大模块、以及反馈模块之间形成的闭环回路中反馈，以维持负阻放大模块持续工作；对射频信号持续进行负阻放大并输出。本发明采用E类振荡器的设计原理，实现负阻特性的反射放大功能，功耗能够达到个位数的毫瓦级别，功耗低，利于应用于射频识别系前端；并且反射放大器电路结构简单，使用单个晶体管设计负阻放大，不会额外占用过多的芯片面积，更加方便集成，更加方便适用于射频识别系统中。
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公开(公告)号：CN108010844B
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN201711138236.1
申请日：2017-11-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明涉及一种HEMT器件及其制备方法，包括：S101、选取衬底材料；S102、在所述衬底材料表面依次生长第一缓冲层和第二缓冲层；S103、在所述第二缓冲层表面制备沟槽区；S104、在所述沟槽区中依次生长下势垒层、沟道层、隔离层、掺杂层、上势垒层、空穴阻挡层以及帽层；S105、制备栅极、源极和漏极以完成HEMT器件的制备。本发明提供的HEMT器件及其制备方法解决了缓冲层材料易氧化造成器件性能下降的问题；可以将第二缓冲层作为台面刻蚀终止层，在保证器件隔离的效果的同时不会增大栅电流的的泄漏，进一步提高了HEMT器件的工作性能。
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公开(公告)号：CN110783400A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911067748.2
申请日：2019-11-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/745 , H01L29/749 , H01L21/04
Abstract: 本发明公开了一种基于双MOS栅控的P型碳化硅晶闸管，包括：钝化层(1)、阳极接触金属(2)、关断栅极接触金属(3)、开启栅极接触金属(4)、栅氧化层(5)、N+短路区(6)、P+阳极区(7)、N-漂移区(8)、P-漂移区(9)、缓冲层(10)、衬底(11)以及阴极接触金属(12)。本发明通过引入双MOS栅结构，将器件的驱动控制从传统的电流型转变为电压型，有利于前端控制电路的设计、实现以及功耗的降低；且开启栅和关断栅独立工作，分别控制器件的开启和关断，有利于器件在开关或脉冲工作状态下的快速导通和关断，可以显著提高器件的工作频率。
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公开(公告)号：CN107195548B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710364157.6
申请日：2017-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备肖特基栅接触；5)Pad淀积；6)钝化。本发明提供的InAs/AlSb MOS‑HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备绝缘栅极；5)Pad淀积；6)钝化。本发明省去了栅槽刻蚀步骤，降低了栅极电流泄露，同时降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107196637B
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201710276871.X
申请日：2017-04-25
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K19/0175
Abstract: 本发明公开了高采样率宽带跟踪保持电路，涉及电子技术领域，包括输入缓冲单元IB、跟踪/保持开关T/H、保持电容CH以及输出缓冲单元OB。引入全差分的电路结构，实现较好的共模噪声抑制能力。本发明使用带发射极退化电阻的输入、输出缓冲器，提高了跟踪保持电路的线性度。本发明采用了带肖特基二极管的改进开关射极跟随器作为跟踪‑保持开关，提高了电路稳定性。本发明利用了高截止频率、良好基极‑发射极匹配的GaAs HBT器件来设计跟踪保持电路，改善了现有采样保持电路采样率低以及带宽窄的缺点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106330097B
公开(公告)日：2019-02-19
申请号：CN201610694905.2
申请日：2016-08-19
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03B5/32
Abstract: 本发明公开一种基于耦合传输线的InP HBT压控振荡器，包括偏置单元、振荡单元、稳流电阻R1。在振荡单元中引入两条耦合传输线作为压控振荡器的谐振元件，同时实现压控振荡和变压调谐。本发明提出的压控振荡器以耦合传输线取代了直流阻塞电容，解决了交叉耦合结构压控振荡器中由于直流阻塞电容的寄生效应所引起频率退化的问题，提高了振荡频率。本发明在不使用变容管的情况下就能够实现压控振荡调频，且可以得到较宽的调频范围，本发明无变容管的应用，克服了现有技术中因为变容管工艺限制造成的调频范围窄，和版图面积增大的问题。
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公开(公告)号：CN108493260A
公开(公告)日：2018-09-04
申请号：CN201810293522.3
申请日：2018-04-04
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/94
Abstract: 本发明公开了一种高K/ZnO/低In组分InGaAs的MOS电容及制备方法，主要解决现有同类器件界面态密度高的问题，其自下而上包括：欧姆接触金属(1)、衬底(2)、GaAs缓冲层(3)、InGaAs沟道层(4)、ZnO钝化层(5)、高K氧化层(6)和金属栅电极(7)。其中InGaAs沟道层掺杂浓度为1×1017/cm3，厚度为15-30nm，ZnO钝化层厚度为1-5nm，高K氧化层使用Al2O3或ZrO2氧化物，其厚度为5-10nm。本发明降低了器件的界面态密度，改善了高K/InGaAs界面缺陷，提高了击穿场强，减小了栅极漏电，可用于互补金属氧化物半导体器件的制作。
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公开(公告)号：CN107863939A
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：CN201711100448.0
申请日：2017-11-09
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0211 , H03F1/32 , H03F1/565 , H03F3/19 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/451
Abstract: 本发明涉及一种低功耗反馈型功率放大电路，包括输入匹配网络、功率单元、偏置网络、反馈网络、限流旁路单元、输出匹配网络以及射频扼流圈，其中，输入匹配网络电连接至功率单元的基极，功率单元的集电极分别电连接至输出匹配网络和射频扼流圈；功率单元的集电极还电连接至反馈网络的第一输入端；反馈网络的输出端分别电连接至功率单元的基极和限流旁路单元；偏置网络电连接至反馈网络的第二输入端。本实施例通过设置反馈网络和限流旁路单元，限制了功率单元的电流，降低直流功耗，并对功率单元进行温度补偿和偏置抑制，提高了电路线性度。
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公开(公告)号：CN107195548A
公开(公告)日：2017-09-22
申请号：CN201710364157.6
申请日：2017-05-22
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L21/28
Abstract: 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT及MOS‑HEMT器件的制备方法，主要用来降低器件的导通电阻及栅极漏电的问题。本发明提供的InAs/AlSb HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备肖特基栅接触；5)Pad淀积；6)钝化。本发明提供的InAs/AlSb MOS‑HEMT器件的制备方法，包括以下工艺步骤：1)外延材料生长；2)台面隔离；3)制备欧姆接触；4)制备绝缘栅极；5)Pad淀积；6)钝化。本发明省去了栅槽刻蚀步骤，降低了栅极电流泄露，同时降低了器件的导通电阻。
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公开(公告)号：CN107123668A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710235791.X
申请日：2017-04-12
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/205 , H01L29/778 , H01L21/335 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种InAs/AlSb HEMT外延结构及其制备方法。本发明公开的一种InAs/AlSb HEMT外延结构，自下而上包括：衬底、缓冲层、AlAsxSb1‑x下势垒层、InAs沟道层、AlSb隔离层、InAs掺杂层、AlAsxSb1‑x上势垒层、InAlAs空穴阻挡层以及InAs帽层；缓冲层采用Si；AlAsxSb1‑x下势垒层为具有阶梯式变组分方式的AlAsxSb1‑x势垒层；AlAsxSb1‑x上势垒层为具有阶梯式变组分方式的AlAsxSb1‑x势垒层。本发明通过采用阶梯式变组份方法生长AlAsxSb1‑x下势垒层和AlAsxSb1‑x上势垒层，有效提高了器件的稳定性和可靠性。
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