公开(公告)号：CN1819041A

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN200610006826.4

申请日：2006-02-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  中井淳一 ,  藤井秀夫 ,  井土带刀

IPC: G11B7/243 ,  G11B7/241 ,  C23C14/24

Abstract: 本发明提供了一种用于光学信息记录介质的记录膜以及一种光学信息记录介质，所述记录膜具有优异生产率并且也具有优异耐久性(记录保持性)。本发明包括如下：(1)在光学信息记录介质中使用的记录膜，其热导率为0.8W/Kcm或更小，对波长为0.3μm～1.0μm的光的光吸收率为15％或更高，熔融温度为300～800℃，(2)光学信息记录介质，其中记录膜包括如上所述的记录膜，以及(3)用于形成所述记录膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN1577550A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410059873.6

申请日：2004-06-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 中井淳一 ,  佐藤俊树 ,  高木胜寿 ,  田内裕基

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G02B5/0858 ,  B60R1/08 ,  G02B5/08 ,  Y10S359/90

Abstract: 本发明提供反射器用Ag合金反射膜及反射器。(1)是以具有在含有Bi的Ag合金薄膜的表面和/或该Ag合金薄膜上的与其他层的界面上形成了Bi层和/或Bi氧化物层的构造为特征的反射器用Ag合金反射膜，(2)在所述Ag合金反射膜中Bi层和/或Bi氧化物层的厚度在2.0nm以下的Ag合金反射膜，(3)在所述Ag合金反射膜中Ag合金薄膜含有0.01～3.0原子％的Bi的Ag合金反射膜，(4)在基体上形成有所述Ag合金反射膜的反射器等。该Ag合金反射膜反射率高，而且耐候性及耐热性优良。

公开(公告)号：CN1483852A

公开(公告)日：2004-03-24

申请号：CN03127461.7

申请日：2003-08-07

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  高木胜寿 ,  中井淳一 ,  佐藤俊树

IPC: C23C14/14 ,  C23C14/34

CPC classification number: C22C5/06 ,  C22C1/002 ,  C22C5/08 ,  C23C14/024 ,  C23C14/185 ,  C23C14/205 ,  C23C14/3414 ,  C23C14/584 ,  G02B5/0808 ,  G11B7/252 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/257 ,  G11B7/258 ,  G11B7/259 ,  G11B7/266 ,  Y10T428/10 ,  Y10T428/1059 ,  Y10T428/1095 ,  Y10T428/12 ,  Y10T428/12431 ,  Y10T428/12896 ,  Y10T428/12924 ,  Y10T428/21 ,  Y10T428/265 ,  Y10T428/31678

Abstract: 本发明涉及Ag合金膜，尤其适合用于光信息记录介质领域中具有高导热系数、高反射率、高耐久性的光信息记录介质用反射膜和半透过反射膜、耐Ag凝集性优异的电磁波屏蔽用膜、反射型液晶显示元件等背面光反射膜。本发明Ag合金膜是由Bi和/或Sb合计含有0.005～10％(指原子％)的Ag合金膜构成。本发明进而涉及用于这种Ag合金膜的成膜的溅射靶。

公开(公告)号：CN111771242B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201980015237.8

申请日：2019-05-22

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: G11B7/2433 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G11B7/24035 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明提供一种记录层、光信息记录介质及溅射靶。本发明的一实施方式的记录层是通过激光的照射进行记录的光信息记录介质用的记录层，包含W氧化物、Fe氧化物、以及Ta氧化物及Nb氧化物中的至少任一种，且在全部金属原子中，包含10原子％以上且60原子％以下的Fe、合计为3原子％以上且50原子％以下的Ta及Nb。

公开(公告)号：CN110120459B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201910085196.1

申请日：2019-01-29

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基 ,  寺前裕美

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32 ,  C22C21/00 ,  C22C21/12 ,  C23C14/34

Abstract: 提供一种有机EL显示器用的反射阳极电极及其应用。为包含包括Al‑Ge系合金膜、以及与Al‑Ge系合金膜接触的氧化物导电膜的层叠结构、且在这些的接触界面中介隔存在以氧化铝为主成分的层的有机EL显示器用的反射阳极电极，并且Al‑Ge系合金膜含有0.1原子％～2.5原子％的Ge，且在Al‑Ge系合金膜与氧化物导电膜的接触界面中形成有Ge浓化层及含有Ge的析出物，Al‑Ge系合金膜中的、自氧化物导电膜侧的表面起50nm以内的平均Ge浓度为Al‑Ge系合金膜中的平均Ge浓度的2倍以上，且含有Ge的析出物的平均直径为0.1μm以上。

公开(公告)号：CN110603590A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201880030084.X

申请日：2018-04-24

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: G11B7/258 ,  C23C14/06 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  G11B7/24056 ,  G11B7/24085 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明涉及在基板上依次层叠有反射膜和透光层至少各一层，由蓝色激光进行信息的再生的只读的光信息记录介质，反射膜由含有Sn和Zn的金属氧化物或含有In的金属氧化物形成，并且，反射膜的膜厚为20nm以上、70nm以下。根据本发明，能够提供因高反射率和低抖动(再生信号在时间轴上的摆动少)而再生稳定性优异，并且耐久性也良好的只读光信息记录介质。

公开(公告)号：CN110337693A

公开(公告)日：2019-10-15

申请号：CN201880012085.1

申请日：2018-01-15

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 田内裕基

IPC: G11B7/2578 ,  G11B7/243 ,  G11B7/26

Abstract: 本发明的目的在于提供在直接层叠的氧化物系记录层中可进行良好的信息记录且无需预防健康问题的措施、耐久性高的电介质层。本发明的电介质层由含有Sn元素、以及Zn元素、Zr元素、Si元素及Ga元素中的至少一种元素的氧化物形成，在相对于氧化物的氧以外的所有元素而将Sn元素的含有率设为a摩尔％、Zn元素的含有率设为b摩尔％、Zr元素的含有率设为c摩尔％、Si元素的含有率设为d摩尔％、及Ga元素的含有率设为e摩尔％的情况下，满足下述式(1)～式(7)。0≦b/(a+b)≦0.6···(1)0≦(c+d)/(a+b+c+d+e)≦0.5···(2)0≦b≦50···(3)0≦c≦40···(4)0≦d≦45···(5)0≦e≦40···(6)20≦b+c+d+e≦80···(7)。

公开(公告)号：CN106337171B

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201610490806.2

申请日：2016-06-28

Applicant: 株式会社神户制钢所

Inventor： 藤井秀夫 ,  田内裕基

IPC: C23C18/16 ,  C23C18/32 ,  C23C28/02 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851

Abstract: 提供了一种在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板，其允许Ni镀覆层在应用NiP镀覆工艺期间充分生长，使其可以有效地形成均匀的Ni镀覆层，并且此外展现出对Ni镀覆层的良好粘附性。所述在Ni镀覆工艺中使用的沉积有底层的基板包括在用于磁性记录介质的铝基板表面上沉积的底层，并且所述底层是Al合金膜，所述Al合金膜含有Zn或Ni作为合金元素。

公开(公告)号：CN102859596B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201180018935.7

申请日：2011-04-06

Applicant: 索尼公司 ,  株式会社神户制钢所

Inventor： 三木刚 ,  宫胁真奈美 ,  田内裕基

IPC: G11B7/24038 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/243

CPC classification number: G11B7/243 ,  G11B7/24038 ,  G11B7/2578 ,  G11B7/266 ,  G11B2007/24304 ,  G11B2007/24306 ,  G11B2007/2431 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/2432 ,  G11B2007/25706 ,  G11B2007/25708 ,  G11B2007/2571 ,  G11B2007/25715

Abstract: 本发明的目的是提供可以应用于具有约每一层25GB的高容量的一次写入光学记录介质、且在提供多层化的记录层构造时具有良好记录特性的光学记录介质。该光线记录介质包括基板21和两个到四个记录层221和222。这些记录层221和222中的至少一者或多者是特定记录层，特定记录层具有包含完全氧化的In、Zn、Al和Sn(也就是说，In2O3、ZnO、Al2O3和SnO2)中的至少一者、PdO、以及PdO2的组分。与特定记录层相邻，设置至少包含In或Al作为主要成分的In/Al氧化物层的电介质层232a和232b。

公开(公告)号：CN1823179B

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN200480020394.1

申请日：2004-07-14

Applicant: 株式会社神户制钢所 ,  株式会社钢臂功科研

Inventor： 高木胜寿 ,  中井淳一 ,  田内裕基 ,  松崎均 ,  藤井秀夫

IPC: C23C14/34 ,  C22C5/06

CPC classification number: C22C5/06 ,  C22F1/14 ,  C23C14/3414

Abstract: 一种Ag系溅射靶(6)，在和溅射面平行的面上切断该溅射靶而使多个溅射面露出，在每个露出的溅射面上选择多个位置，通过下式基于全部的选择位置的结晶粒径而算出值A1以及值B1，当这些值A1以及值B1中的大的值被称为结晶粒径的3维偏差时，该结晶粒径的3维偏差为18％以下。A1＝(Dmax-Dave)/Dave×100(％)，B1＝(Dave-Dmin)/Dave×100(％)，Dmax：全部选择位置的结晶粒径D的最大值，Dmin：全部选择位置的结晶粒径D的最小值，Dave：全部选择位置的结晶粒径D的平均值。