公开(公告)号：CN102545839A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201210001145.4

申请日：2012-01-05

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  陈锦锋 ,  陈寿昌 ,  何明华

IPC: H03K3/012 ,  H03K3/02

Abstract: 本发明涉及集成电路技术领域，特别是一种基于SET/MOS混合结构的D触发器，其由1个电容，2个PMOS管,2个NMOS管和1个SET构成。利用HSPICE对该电路进行了仿真验证。仿真结果表明该电路能够有效地实现D触发器的逻辑功能,整个电路的平均功耗仅为8.67nW。与基于传统的CMOS设计的D触发器相比,管子数目大大减少,功耗显著降低,电路结构得到了进一步的简化,有利于节省芯片的面积,提高电路的集成度。该结构有望广泛应用于环形振荡器、分频器、有限状态机等时序逻辑电路中。

公开(公告)号：CN117792389A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311735160.6

申请日：2023-12-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 胡炜 ,  李树明 ,  魏榕山

IPC: H03M1/00 ,  H03M1/38 ,  H03M1/46

Abstract: 本发明提供了用于流水型逐次逼近ADC的CMOS开关自偏置全差分环形放大器，其由核心放大器结构和电路外围结构所组成；所述核心放大器结构包括：晶体管、CMOS开关；左自动校零电容、右自动校零电容、左自动校零开关以及右自动校零开关；第一级放大器左关断开关、第一级放大器右关断开关、第三级放大器左关断开关和第三级放大器右关断开关；尾电流源MTAIL；电路外围结构包括：前级负载电容后级负载电容、反馈电容以及多个开关；这些开关和电容与核心放大器共同构成开关电容放大器，通过电荷守恒技术将输入的残差电压线性放大，放大倍数为前级负载电容与反馈电容的比值。

公开(公告)号：CN110166010B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN201910527514.5

申请日：2019-06-18

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  林伟文 ,  林方俊

IPC: H03F3/04 ,  G01R27/26

Abstract: 本发明涉及一种可用于扩大电容数字转换器量程的缩放电路及方法，包括第一反相器、第二反相器、积分相位开关、采样相位开关、运放、电阻R1、电容消除矩阵模块、以及电容缩放电阻矩阵模块；采用电容缩放电阻矩阵模块对要读取的电容进行电容值整体缩小，接着采用电容消除矩阵模块消除起步电容，将经过前面处理得到的电容输入电容数字转换器CDC电路中进行测量。本发明能够解决当针对大的电容值将其转换为相应数字量时一般CDC芯片由于较小的电容输入范围无法读取的问题。

公开(公告)号：CN117439610A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311393426.3

申请日：2023-10-25

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  黄黎杰 ,  魏聪 ,  彭子强

IPC: H03M3/00

Abstract: 本发明涉及一种基于无源无衰减求和的低功耗多比特Delta‑Sigma调制器。在传统的无源求和方案的基础上，旨在通过双向采样和电荷共享技术来实现求和系数倍乘，从而抵消了求和带来的衰减。该方案在不牺牲有源求和电路开销的前提下，成功解决了传统无源求和方案的衰减缺点，具有广阔的市场应用前景。

公开(公告)号：CN108540735B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201810598343.0

申请日：2018-06-12

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  欧阳魁 ,  王景玺 ,  张鑫刚

IPC: H04N5/268 ,  H04N19/423 ,  H04N19/44 ,  G06F11/36

Abstract: 本发明涉及一种基于FPGA的视频解码器IP软核验证系统及验证方法。包括FPGA开发板、第一SD卡、第二SD卡、FPGA调试器、视频DA转换器、VGA显示器、第一SDRAM、第二SDRAM、上位机，所述FPGA开发板包括视频解码器、第一SD卡驱动器、第二SD卡驱动器、调试接口、第一SDRAM控制器、第二SDRAM控制器、YUV转RGB模块、VGA控制器。本发明应用在视频解码器IP软核验证领域，解决了现有视频解码器IP软核验证系统未能兼顾验证视频解码器逻辑功能和解码性能的缺陷，并实现了具有可重用性好，可批量验证，可以实时演示解码性能，并能够对解码性能做出主观和客观评价。

公开(公告)号：CN108494370B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201810546342.1

申请日：2018-05-31

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  张小燕 ,  王景玺

IPC: H03F1/26 ,  H03F1/48 ,  H03G3/30

Abstract: 电路精度。本发明涉及一种斩波稳定仪表放大器。包括低增益高频通路、高增益低频通路和残余纹波消除环路，所述低增益高频通路由运放Gm3和运放Gm4组成，所述高增益低频通路由斩波器CH1、运放Gm1、斩波器CH2、运放Gm2、开关电容陷波滤波器NOTCH和运放Gm4组成，所述残余纹波消除环路由感应电容C41和C42、共源共栅缓冲器Cascode Buffer1、斩波器CH3、共源共栅缓冲器Casccode Buffer2、积分电容Cint、运放Gm5组成。本发明通过低增益高频通路、高增益低频通路可以有效地消除电路的失调电压及1/f噪声，而且可以大幅度的提高电路的带宽，且在此基础上引入了纹波

公开(公告)号：CN111858396B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202010729563.X

申请日：2020-07-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  林伟坤 ,  刘才盛

IPC: G06F12/06

Abstract: 本发明涉及一种存储器自适应地址映射方法及系统。该方法包括：存储器获取来自不同线程的访问请求，将这些访问请求存放于请求队列中；存储控制器根据请求队列中的地址序列获知线程的访问模式；根据获知的访问模式，从中提取访问的时间空间局部性信息；依照时间和空间局部性信息为存储控制器配置最优的映射算法，该映射算法将最大化存储器的并行化访问，以提高存储器的访问带宽。本发明方法通过为存储器前端增加一自适应地址映射模块，利用不同应用场合下存储器的具有不同的访问行为特征，针对这些特征进行个性化地址映射配置，可以有效增大化访问带宽。

公开(公告)号：CN107621229B

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN201710991771.5

申请日：2017-10-23

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  杜宇轩 ,  王景玺 ,  张鑫刚

IPC: G01B11/02

公开(公告)号：CN108508959B

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN201810543863.1

申请日：2018-05-31

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  林家城 ,  杨培祥

IPC: G05F1/575

Abstract: 本发明涉及一种基于共源共栅电压翻转跟随器结构的LDO。在常规共源共栅电压翻转跟随器结构的基础上通过加入跨导电流增强型电路，静态电流支路以及快速响应环路，在同等功耗的情况下，有效提高了LDO的瞬态响应速度，输入电压在1.8V‑3.3V间变化，输出电压稳定在1.6V，负载电容在采样周期内变化，系统的负载瞬态响应时间仅仅为177ns左右，并且系统的静态电流为104.1uA，拥有0mA‑1mA的带负载能力。本发明的LDO有效的提高了LDO的瞬态响应速度，满足Sigma‑delta调制器的性能要求，通过性能仿真证实了其性能的可靠，在音频Sigma‑delta调制器有着巨大的应用空间。

公开(公告)号：CN108733118B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201810543856.1

申请日：2018-05-31

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  林家城 ,  杨培祥

IPC: G05F1/56

Abstract: 本发明涉及一种高电源抑制比快速响应LDO。包括误差放大器，电阻R1、R2，MOS管Mp、M1、M2、M3，电容C1、CL，误差放大器的第一输入端连接至基准电压源，误差放大器的第二输入端与R1的一端、R2的一端连接，误差放大器的负载管端与R1的另一端、M2的第一端、Mp的第二端、CL的一端相连接，并作为LDO电路的输出端，误差放大器的输出端与C1的一端、M2的控制端连接，M1的第一端与Mp的第一端相连接至VDD，M1的第二端与M1的控制端、Mp的控制端、M3的第二端连接，M2的第二端与C1的另一端、M3的第一端相连接并经一电流源与R2的另一端相连接至GND，M3的控制端连接作为偏置电压输入端，CL的另一端连接至GND。本发明具有高电源抑制比、快速响应且功耗低。