公开(公告)号：CN112201658A

公开(公告)日：2021-01-08

申请号：CN202010950456.X

申请日：2020-09-10

Applicant: 福州大学 ,  闽都创新实验室

Inventor： 陈耿旭 ,  彭港 ,  林伟坤 ,  陈惠鹏 ,  郭太良 ,  余伟杰

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11521

Abstract: 本发明涉及一种自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器及其制备方法，包括基底、绝缘层、浮栅层、隧穿层、半导体层和顶部源漏电极；将钙钛矿纳米颗粒溶液与TMOS或TEOS共混，制备出浮栅层溶液；具有绝缘层的基底经过清洗及等离子处理后，将浮栅层溶液通过旋涂工艺沉积于基底之上，经退火处理形成浮栅层及隧穿层；将TMOS或TEOS通过旋涂工艺旋涂于得到的隧穿层上并退火，通过重复此步骤调节自组装隧穿层的厚度；在得到的隧穿层上通过旋涂工艺旋涂有机聚合物半导体材料，退火制得半导体层；在得到的半导体层上通过热蒸镀的方法制备源漏电极，得到自组装隧穿层的浮栅型光电晶体管存储器。本发明具有较高的稳定性，实现可重复的多级存储、多波长可达的非易失性存储，工艺流程简单，易于大规模产业化。

公开(公告)号：CN111858396B

公开(公告)日：2023-07-28

申请号：CN202010729563.X

申请日：2020-07-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  林伟坤 ,  刘才盛

IPC: G06F12/06

Abstract: 本发明涉及一种存储器自适应地址映射方法及系统。该方法包括：存储器获取来自不同线程的访问请求，将这些访问请求存放于请求队列中；存储控制器根据请求队列中的地址序列获知线程的访问模式；根据获知的访问模式，从中提取访问的时间空间局部性信息；依照时间和空间局部性信息为存储控制器配置最优的映射算法，该映射算法将最大化存储器的并行化访问，以提高存储器的访问带宽。本发明方法通过为存储器前端增加一自适应地址映射模块，利用不同应用场合下存储器的具有不同的访问行为特征，针对这些特征进行个性化地址映射配置，可以有效增大化访问带宽。

公开(公告)号：CN111858396A

公开(公告)日：2020-10-30

申请号：CN202010729563.X

申请日：2020-07-27

Applicant: 福州大学

Inventor： 魏榕山 ,  林伟坤 ,  刘才盛

IPC: G06F12/06

Abstract: 本发明涉及一种存储器自适应地址映射方法及系统。该方法包括：存储器获取来自不同线程的访问请求，将这些访问请求存放于请求队列中；存储控制器根据请求队列中的地址序列获知线程的访问模式；根据获知的访问模式，从中提取访问的时间空间局部性信息；依照时间和空间局部性信息为存储控制器配置最优的映射算法，该映射算法将最大化存储器的并行化访问，以提高存储器的访问带宽。本发明方法通过为存储器前端增加一自适应地址映射模块，利用不同应用场合下存储器的具有不同的访问行为特征，针对这些特征进行个性化地址映射配置，可以有效增大化访问带宽。