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公开(公告)号：CN117879585A
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202410080294.7
申请日：2024-01-18
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K19/0185 , H03K19/003 , H03K19/20 , H03K19/00
Abstract: 本发明属于集成电路技术领域，公开了一种基于自举电容电流增强型高速栅极驱动电路。该电路包括三级驱动级、自举电容模块和预充电模块；第一级驱动级模块的输出接在自举电容模块的输入端，预充电模块输入接在第一级驱动级模块的输出，预充电模块的输出直接连接在功率管的栅极，预充电模块中包含一个电流增强电路，其中电流增强电路将产生的小电流进行放大，在输入方波信号变化时，通过电势差产生的小电流放大并通过传输门直接对栅极进行充放电，以达到快速瞬态响应。电容自举模块结合第二级驱动级，完成高低电位的拉高或拉低，以增大短脉冲电流、增强驱动能力。通过预充电模块与自举电容模块的结合，实现快速的瞬态响应，缩短功率管的开通、关断延迟时间。
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公开(公告)号：CN111313872B
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202010109926.X
申请日：2020-02-23
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03K5/22
Abstract: 该发明公开了一种高分辨率低功耗的动态锁存比较器，应用的技术领域是逐次逼近型模数转换器。本发明利用MOSFET亚阈值特性，增大比较器的分辨率，提高比较器的精度，采用低电源电压供电，降低比较器整体功耗；与专利201910338368提出的动态锁存比较器相比，本发明提出的动态锁存比较器的分辨率更高，功耗更低，并且该动态锁存比较器使用于低供电电压的逐次逼近型模数转换器，而专利201910338368只能在标准供电电压条件下工作。
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公开(公告)号：CN114489220B
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210001743.5
申请日：2022-01-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种无运放无基准的低功耗过温保护电路，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明主要利用与温度呈负相关的电压作为信号输入源，在前级检测电路进行转换，在后级加入施密特触发器，从而增加阈值窗口。本发明的特征在于，通过注入与温度相关的电压电流从而改变PMOS管和MOS管竞争电流能力，使得输入信号跳变与温度相关。其结构简单，不需要额外的基准电压和比较器，节省了功耗和电路面积，同时设置为可调节的温度保护范围，减少了受电源和工艺的影响，同时也增加了温度阈值窗口，从而保证了整体电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN114997475A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210540910.3
申请日：2022-05-17
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种基于Kmeans的融合模型光伏发电短期预测方法，属于数据处理领域。具体包括：光伏数据的预处理；特征分析；对历史数据进行聚类划分；由经聚类后的光伏数据及其特征集合分别构建XGBoost、LightGBM、Multilayer Perceptron模型并得到各自的预测结果；将XGBoost、LightGBM、Multilayer Perceptron模型进行融合，得到预测模型，输出预测结果。本发明通过充分的数据预处理，结合基于集成思想的GBDT模型，通过深度学习的方式融合三种机器学习算法，相比单一的模型，在不同的气候条件下提高了预测精度和有效性。
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公开(公告)号：CN114995573A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210750939.4
申请日：2022-06-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种由反馈网络修调的低压差线性稳压器，涉及具有温度补偿功能的高精度低压差线性稳压器LDO(Low drop‑out linear regulator)，特别涉及使用反馈网络的电压稳定输出电压的低压差线性稳压器LDO。从电路的实际应用层进行考虑，在低功耗设计中选取全MOS管的电压基准结构，利用其在亚阈值下的温度特性进行电路设计，即分别利用电路结构产生正负温度系数的电压，最终将两者进行叠加，实现所需要的电压基准源。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114665849A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210184044.9
申请日：2022-02-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 该发明公开了一种高精度电流比较器，涉及集成电路领域，特别涉及到比较器。针对传统比较器复杂的问题，本发明通过设计第一电流镜、第二电流镜、控制电容充电开关管MB9、MB10、开关MB12、NMOS管MB11、电容C1、理想电流源Iref以及电压比较器CMP；比较电流分别通过第一电流镜、第二电流镜输入，然后通过比较器进行比较输出，实现提升精度，降低功耗的目的。
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公开(公告)号：CN114489220A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210001743.5
申请日：2022-01-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/567
Abstract: 本发明公开了一种无运放无基准的低功耗过温保护电路，涉及微电子学与固体电子学领域。本发明主要利用与温度呈负相关的电压作为信号输入源，在前级检测电路进行转换，在后级加入施密特触发器，从而增加阈值窗口。本发明的特征在于，通过注入与温度相关的电压电流从而改变PMOS管和MOS管竞争电流能力，使得输入信号跳变与温度相关。其结构简单，不需要额外的基准电压和比较器，节省了功耗和电路面积，同时设置为可调节的温度保护范围，减少了受电源和工艺的影响，同时也增加了温度阈值窗口，从而保证了整体电路的稳定性。
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公开(公告)号：CN109361391B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN201811198103.8
申请日：2018-10-15
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/10
Abstract: 本发明公开了一种用于提升温度计编码模数转换器线性度的校正方法，涉及微电子学与固体电子学领域，特别是该领域温度计编码数模转换器中的电容设置方法。本发明对采用单位电容阵列作为SAR ADC的DAC电容阵列，根据其系统偏差，按一定的规则对电容重新排列后作为新的DAC电容阵列。与传统校正方法相比，该方法有利于线性度的进一步提升，而且无明显的附加功耗，占用面积小，转换效率高。
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公开(公告)号：CN108631784B
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN201810442261.7
申请日：2018-05-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: H03M1/40
Abstract: 该发明针对传统电阻电容型逐次逼近模数转换器提出了一种电容组和置换策略优化的优化方法，只需要将单独电容排序，重构、按电容组优化方法分组，再按照置换策略优化方案，对电容组进行比较，将结果逻辑综合得到最小误差量的信息，依据此信息设计对应的置换策略。利用最终的置换策略进行逐次逼近转换，就可以实现线性度的优化。相较于传统采用噪声整形技术或者校正算法，本发明控制逻辑简单、硬件开销小，同时功耗和面积降低；相较于再重构技术而言，本发明避免了额外电容阵列的引入，并且大大提升了动态参数指标。
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公开(公告)号：CN111290460A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN202010114662.7
申请日：2020-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 该发明公开了种高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器，本发明属于低压差线性稳压器LDO领域。本发明提出的高电源抑制比快速瞬态响应的低压差线性稳压器电路，当负载电流瞬间变化时会引起Vout的改变(ΔVout)，此改变量经过误差放大器、单位增益缓冲器、功率调整管组成的负反馈通路后，以与ΔVout反相的量加在输出端，使得Vout最终稳定在Vref值的附近。采用折叠式共源共栅结构作为误差放大器，该结构具有较大增益、较大输入电压范围等优点。单位增益缓冲器电路的负极输入端接输出端，其闭环增益为1，将大电阻和大电容隔离从而满足相位要求并改善瞬态响应特性。利用第一中间电容提升瞬态响应特性和电路稳定性，运用动态偏置结构提升瞬态响应特性和电源抑制比。
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