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公开(公告)号：CN117383927A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311456132.0
申请日：2023-11-03
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/462
Abstract: 本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，具体提供一种LTCC用Li3Mg2TiO5F微波介质陶瓷材料及其制备方法，应用于无线通信技术微波介质基板、集成基板、微波天线和微波滤波器等领域。本发明通过LiF与Li2Mg2TiO5形成Li3Mg2TiO5F固溶体陶瓷材料，有效抑制锂挥发以及四价钛离子的还原，并将烧结温度降至银电极熔点以下，实现700℃～950℃的低温烧结，从而满足LTCC的应用；同时，本发明提供的微波介质陶瓷材料还具有优异的微波介电性能：相对介电常数εr为13.0～15.0，品质因数Q×f为110000GHz～160000GHz，谐振频率温度系数τf为‑15～‑40ppm/℃，为微波电子元器件向高频化、轻量化、便携化发展提供了一种有效的解决方案。
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公开(公告)号：CN116858798A
公开(公告)日：2023-10-10
申请号：CN202310615440.7
申请日：2023-05-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/3504
Abstract: 本发明属于气体浓度检测技术领域，具体为一种微弱光电信号检测电路及气体浓度检测系统。所述微弱光电信号检测电路，是利用ADA4627这一特定型号的运算放大器具有6.1nV/#imgabs0#的低噪声和200μV超低失调电压、1μV/℃超低失调漂移、5pA超低偏置电流等特性，配合依次连接的跨阻放大、二级放大以及窄带通滤波形成的三级放大，能够在对微弱光信号进行处理的同时，有效降低噪声系数、提升信号强度。整个微弱光电信号检测电路适用范围宽，可检测微弱光范围为几百nW到几μW。所述气体检测系统采用该微弱光电信号检测电路后，能够满足二氧化碳气体浓度探测器低噪声、高精度、低功耗、快速响应探测要求。
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公开(公告)号：CN114656261B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202210310667.6
申请日：2022-03-28
Applicant: 电子科技大学
IPC: C04B35/495 , C04B35/622 , C04B35/64 , C03C12/00 , H01P1/20 , H01P7/10
Abstract: 一种中介电常数LTCC微波介质陶瓷材料及其制备方法，属于电子信息功能陶瓷材料与电子器件技术领域。所述微波介质陶瓷材料包括97.5～99wt％的ZnZrNb2O8陶瓷和1～2.5wt％的LMZBS玻璃，LMZBS玻璃包括：10.62wt％的Li2O，14.32wt％的MgO，28.93wt％的ZnO，24.75wt％的B2O3，21.38wt％的SiO2。本发明微波介质陶瓷材料，烧结温度为875～950℃，介电常数为21～27，品质因数为19253～39729GHz，谐振频率温度系数为‑57～‑48ppm/℃，能够很好的满足当前移动通信技术领域小型化和集成化的发展需求。
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公开(公告)号：CN116112616A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310048860.1
申请日：2023-02-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于噪声处理技术领域，尤其涉及一种基于FPGA的数字图像椒盐噪声处理系统。包括了CMOS视频图像接口模块、中值滤波算法模块、DDR读写控制模块以及VGA接口显示模块。本发明对现有技术中常见的软件算法进行硬件化改进移植。由于本发明的数字图像椒盐噪声处理系统可以直接在FPGA硬件系统中实现算法，使得对于椒盐噪声的处理可以摆脱对微机平台图像处理的依赖，同时设计中也预留了应对不同算法需求时的存储电路，利用FPGA的可编程灵活性还能根据不同的应用场景对算法做出相应的改变以适应需求。其电路复杂度低，较易实现，适用于智能安防视频监控、机器人视觉、车载视频目标检测、相机或雷达等运动目标图像检测优化等。
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公开(公告)号：CN116071260A
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202310101460.2
申请日：2023-01-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于红外图像增强方法技术领域，具体为一种基于FPGA的非制冷型红外图像增强系统及方法，是以FPGA为处理核心，结合双边滤波算法和伽马校正算法，对红外图像进行实时增强。双边滤波算法在处理的过程中同时考虑像素点间的距离与灰度差值两种因素，在增强图像效果的同时能够清晰地保留图像原有细节，达到保边去噪的目的。在此基础上，通过伽马校正算法，使去噪后的图像具有更强的对比度，有效提高图像质量。同时，在构架的系统框架中，对芯片SRAM‑A和芯片SRAM‑B进行复用，使整个系统能够利用更少的存储资源实现快速处理更大数据量，从而满足图像处理系统对于实时性的要求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113838967B
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202111002857.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用，属于自旋电子器件技术领域。本发明使用 晶向的钆镓石榴石为衬底，采用液相外延(LPE)法在衬底表面生长具有高质量的Bi:TmIG薄膜，作为磁绝缘层，然后通过磁控溅射法生长锗铋铂合金薄膜，作为重金属层，进而形成GeBi:Pt/Bi:TmIG的合金/磁绝缘体自旋异质结结构，该结构提高了电荷电流到自旋电流的转化效率，降低磁化翻转所需的电流密度，节约功耗，能够实现更快的磁矩翻转操作。
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公开(公告)号：CN114284373B
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202111331892.X
申请日：2021-11-11
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/0288 , H01L31/105 , H01L31/18 , H01L27/144
Abstract: 本发明的目的在于提供一种二维PIN结红外光电探测器、探测器阵列及其制备方法，属于光电探测器技术领域。本发明红外光电探测器阵列单元采用分子束外延方法制备，在制备过程中原位生长形成非对称二维薄膜PIN浅结结构，其中，P层采用射频磁控溅射方式对中性GeSn掺B进行改性，I层采用双源双控方法生长GeSn，N层采用高温原位掺杂方法对Ge薄膜进行掺杂处理后得到；同时设计相互垂直且等距排布的行导线和列导线，使阵列单元设置于行导线和列导线分割的空间内，再完成阵列单元与行导线和列导线的连接，即可得到光电探测阵列。本发明红外探测阵列可实现任意尺寸，且单个阵列单元的短路不会影响周围探测器的性能。
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公开(公告)号：CN115694261A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211356512.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 电子科技大学
IPC: H02N11/00
Abstract: 本发明属于太阳能发电技术领域，涉及热电转换，具体提供一种基于热电效应的户外太阳能发电装置，用以解决现有太阳能发电装置存在的热‑电转换效率低、发电成本高等问题。本发明首次提出将经过Fe3O4吸热涂层修饰的黑色马氏体不锈钢板作为热端(吸热板)，黑色马氏体不锈钢板具有耐氧化、强吸热、低热容及快导热性能，使其能够尽可能吸收多个频段的红外线与可见光，并迅速升温至较高温度，即大大提升热端温度；同时，在冷端设置绝热、快蒸发降温的保温隔热箱，能够在户外有效降低冷端温度；最终，显著提高户外环境下太阳光热‑电转换两端的温度差，从而提高热‑电转换效率、降低发电成本。
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公开(公告)号：CN111048894B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201911277481.X
申请日：2019-12-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于逆自旋霍尔效应的自旋电子天线阵列及其制备方法，属于高频电子信息设备技术领域。所述自旋电子天线阵列包括多个阵列排布的自旋电子天线单元以及单元间的电连接导体，所述自旋电子天线单元包括衬底，以及依次形成于衬底之上的低损耗磁性薄膜层和非磁性重金属薄膜层组成的异质结构，所述磁性薄膜应施加外偏置磁场进行磁化，或者具有自偏置特性，以调节天线的工作频率。本发明自旋电子天线阵列，结构简单，集成度高，易于在多种介质基板上加工制作，接收电磁波频率范围很宽，可通过改变磁性材料种类实现MHz，数GHz至数百GHz频段的电磁波接收，响应速度在ns至ps量级，可广泛应用于5G通信，无线传感网络等电子信息系统中。
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公开(公告)号：CN113838967A
公开(公告)日：2021-12-24
申请号：CN202111002857.3
申请日：2021-08-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种合金/磁绝缘体自旋异质结及其制备方法和应用，属于自旋电子器件技术领域。本发明使用 晶向的钆镓石榴石为衬底，采用液相外延(LPE)法在衬底表面生长具有高质量的Bi:TmIG薄膜，作为磁绝缘层，然后通过磁控溅射法生长锗铋铂合金薄膜，作为重金属层，进而形成GeBi:Pt/Bi:TmIG的合金/磁绝缘体自旋异质结结构，该结构提高了电荷电流到自旋电流的转化效率，降低磁化翻转所需的电流密度，节约功耗，能够实现更快的磁矩翻转操作。
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