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公开(公告)号：CN111111695A
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201911274094.0
申请日：2019-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种三维花状体锌硫镉光催化材料及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述锌硫镉光催化材料为CdxZn1-xS，x＝0.2～0.8，形貌为三维分等级花状结构，单个花体大小为2～3μm，花瓣厚度为2.5～3.5nm。本发明锌硫镉光催化材料从三方面提高光催化活性：首先，三维分等级花状结构的锌硫镉具有较大的比表面积，能提供大量的光催化还原反应活性位点；其次，花瓣较薄的锌硫镉具有较高的捕光效率，能吸收和利用更多的可见光；最后，三维分等级花状结构的锌硫镉禁带宽度在2.4eV左右，导带位置较二氧化碳还原电位更负，有利于促进光生电子在体系中的迁移，延长光生载流子的寿命，提高体系的光催化活性。
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公开(公告)号：CN111085231A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201911265072.8
申请日：2019-12-11
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种纳米片组装的分级多孔花状氮化碳及其制备方法和应用，属于半导体光催化材料技术领域。所述氮化碳为分级多孔的花状结构，由多孔纳米片分层、有序组装得到，其中，所述花状氮化碳的花体大小为4～10μm，纳米片的厚度为20～60nm，比表面积为90～140m2g-1，孔体积为0.4～1m3g-1，孔径为1～6nm。本发明分级多孔花状氮化碳从三个方面增强光催化活性：首先分级多孔结构增强了光收集效率，并且解决了纳米片的堆积问题；其次，分级多孔结构增大了材料的比表面积，为表面的氧化还原反应提供更多的活性位点；最后，由于独特分级结构配合多孔网络形成了独特的传输通道，促进了反应物分子和载流子的扩散。
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公开(公告)号：CN106329036B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201610752797.X
申请日：2016-08-29
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种基于LTCC的微带线铁氧体移相器，属于微波通信技术领域。包括微波输入端、输入端匹配微带线、铁氧体基板、位于铁氧体基板之上的蛇形微带线结构、磁化电流线圈、输出端、输出端匹配微带线，所述蛇形微带线结构包括输入蛇形微带线、过渡蛇形微带线和输出蛇形微带线，输入蛇形微带线与过渡蛇形微带线垂直，过渡蛇形微带线与输出蛇形微带线垂直，磁化电流线圈包括第一线圈、第二线圈、第三线圈，分别向输入蛇形微带线、过渡蛇形微带线、输出蛇形微带线施加直流偏置场。本发明微带线铁氧体移相器的蛇形微带线结构由三部分蛇形微带线组成，可实现在不改变直流偏置磁场大小的情况，通过改变各部分蛇形微带线上偏置场的方向实现不同大小的相移量。
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公开(公告)号：CN107134614B
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201710312999.7
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种多层陶瓷微波带通滤波器，属于微波功能器件技术领域。本发明包括端电极及位于介质层中的两接地金属层，两接地金属层之间设有间隔排列于同一平面的四个UIR结构，四个UIR结构均为宽边耦合的多层带状线结构，通过设置第一加强耦合金属层增强第一级UIR结构与第四级UIR结构之间耦合，设置第二加强耦合金属层增强四个UIR结构之间耦合，第一级UIR结构和第四级UIR结构分别设有输入输出端以外接电路。本发明通过设计新型耦合结构，能够降低能量的损耗，进而降低通带内插入损耗，能够实现频率低，带内波动小，无寄生通带且带外抑制好的微型化微波滤波器。
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公开(公告)号：CN109489815A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201810206405.9
申请日：2018-03-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 光控柔性半导体太赫兹波空间调制器，涉及光电技术、太赫兹调制技术和成像技术。本发明包括柔性衬底和以阵列方式设置于柔性衬底表面的半导体片，所述半导体片的底面的最小外接圆直径为0.1mm～6mm。本发明的有益效果是，能够明显提高太赫兹时域成像的清晰度，这是由于每个半导体片之间载流子扩散减弱，使太赫兹波透射率减小。在频域成像中，能够使吸收峰外的部分成像更加清晰。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107119261B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201710321593.5
申请日：2017-05-09
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种巨自旋霍尔效应合金薄膜材料，包括铁磁性基片，所述铁磁性基片采用钇铁石榴石材质基片或镍铁材质基片；以及铋铂合金薄膜，所述铋铂合金薄膜使用铂金靶材上贴高纯铋金属薄片或者铋铂BixPt100‑x靶材的方式控制铋的含量在2％‑20％之间、采用真空磁控溅射生长于所述铁磁性基片表面而得到的纳米级厚度的铋铂合金薄膜。本发明同时涉及该合金薄膜材料的制备方法和用途。本发明自旋流的产生效率增加了，同时降低了材料成本。
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公开(公告)号：CN106809882B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710211994.5
申请日：2017-04-01
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于金属氧化物纳米材料技术领域，具体为一种四氧化三铁纳米材料及其制备方法。本发明先采用阳极氧化的方法制备无定型态氧化铁先驱物，再通过水合联氨与纯水的混合溶液在低温下催化反应，使无定型态氧化铁转化为四氧化三铁，制得表面沟壑状的片状六边形四氧化三铁纳米材料。本发明制得的四氧化三铁纳米材料具备表面沟壑状片状六边形形貌，同时具备良好晶体学特性和粗糙的表面形貌。将会使其在光催化和太阳能光伏器件等领域具有广泛的应用前景。本发明采用纯水低温浸泡，具有生产效率高、合成成本低、工艺要求简单等优点。
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公开(公告)号：CN107146947A
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201710313529.2
申请日：2017-05-05
Applicant: 电子科技大学 , 赣州市德普特科技有限公司
Abstract: 本发明提供了一种瞬态微带天线，属于微带天线技术领域。本发明包括：底面设有接地金属层的水溶性基底，水溶性基底顶面设有辐射贴片，其中水溶性基底是由聚乙烯醇与纳米二氧化碳形成的复合薄膜，辐射贴片材料为镁，接地金属层材料为铜。本发明瞬态天线的水溶性基底材料具有介电性能优异、质量轻、体积小且易于集成的优势；此外，基底的介电性能和降解速率可以通过调节纳米二氧化钛的填充量进行控制。本发明具有环境友好、成本低廉的优势，运用于安全电子器件、植入式可降解远程医疗器件、零废物消费电子器件等领域具有广阔前景。
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公开(公告)号：CN106887484A
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201710237269.5
申请日：2017-04-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/101 , H01L31/032 , H01L31/035227 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供了一种铋金属纳米柱/石墨烯异质结高灵敏度光电探测器，采用分子束外延技术，运用固液气过程，在硅基片上以锡诱导生长铋纳米柱，然后转移单层石墨烯并且经过光刻，镀电极得到所述光电探测器。经测试知暗电流很小，在模拟太阳光光照下光电流强度高；且具有制备工艺简单、超薄、易于大面积集成等优点，在射线测量和探测、工业自动控制、光度量计等领域有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN106809882A
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：CN201710211994.5
申请日：2017-04-01
Applicant: 电子科技大学
CPC classification number: C01G49/08 , B82Y40/00 , C01P2002/72 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C30B7/12 , C30B29/16 , C30B29/60
Abstract: 本发明属于金属氧化物纳米材料技术领域，具体为一种四氧化三铁纳米材料及其制备方法。本发明先采用阳极氧化的方法制备无定型态氧化铁先驱物，再通过水合联氨与纯水的混合溶液在低温下催化反应，使无定型态氧化铁转化为四氧化三铁，制得表面沟壑状的片状六边形四氧化三铁纳米材料。本发明制得的四氧化三铁纳米材料具备表面沟壑状片状六边形形貌，同时具备良好晶体学特性和粗糙的表面形貌。将会使其在光催化和太阳能光伏器件等领域具有广泛的应用前景。本发明采用纯水低温浸泡，具有生产效率高、合成成本低、工艺要求简单等优点。
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