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公开(公告)号：CN116404007A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310306336.X
申请日：2023-03-27
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/762 , H01L29/78 , H01L29/66
Abstract: 本发明涉及半导体器件技术领域，公开了一种基于SOI和GaN晶圆键合技术的单片异质集成反相器，包括：隔离设置的p沟道Si MOSFET和n沟道增强型GaN HEMT；其中，p沟道Si MOSFET包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p‑GaN层、SiO2层和Si有源层，设置于Si有源层上的第一源电极、第一漏电极和第一栅电极；其中，n沟道增强型GaN HEMT包括衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和p‑GaN层，以及p‑GaN层表面的第二源电极、第二漏电极和第二栅电极；本发明可以显著提升反相器的工作频率、降低功耗、提高反相器噪声容限，可广泛应用于高频功率器件驱动电路。
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公开(公告)号：CN116387344A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310414231.6
申请日：2023-04-18
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种抗单粒子烧毁的氮化镓基准垂直沟槽MOSFET器件结构及其制造方法，属于半导体功率器件领域。该结构包括：衬底层、缓冲层、漏极重掺杂N+型氮化镓层、低掺杂N‑型氮化镓漂移层、栅下P型氮化镓区、栅下金属、P型基区层、源极重掺杂N+型氮化镓层、P型基区接触金属、栅介质、钝化层、栅电极、源漏电极以及互联金属层。本发明以氮化镓基准垂直结构MOSFET器件为基础，在栅极沟槽底部添加P型氮化镓区域，制备欧姆接触电极将其与源电极连接，在为单粒子入射产生的空穴提供额外的泄露路径，从而降低寄生BJT开启的可能性，提升器件的抗辐射性能，从而使器件更好的适应宇航环境。
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公开(公告)号：CN112951622A
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN202110123881.6
申请日：2021-01-29
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于kHZ交流线性滤波的微型超级电容器的制备方法，主要解决传统铝电解电容体积大和特征频率小的问题。其实现方案是：1)通过光刻在目标衬底上做出图案化光刻胶‑目标衬底；2)利用电子束蒸发设备在该图案化衬底上沉积金属集流体，形成金属集流体/光刻胶‑目标衬底结构，并利用等离子氧设备对其进行清洁；3)在清洁后金属集流体表面制作电极材料涂层并去除光刻胶，形成电极材料‑金属集流体‑目标衬底结构；4)在电极材料表面滴涂电解质，引出正负电极引线并用PDMS封装，完成微型超级电容器器件的制作。本发明制作的器件体积及电极尺寸小，特征频率可达到kHz以上，可用于微型整流电路的制作。
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公开(公告)号：CN105845452B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201610176835.1
申请日：2016-03-25
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/13
Abstract: 本发明公开了一种基于3DSG/Mn3O4/3DMG非对称超级电容器及制备方法。本发明的基于3DSG/Mn3O4/3DMG非对称超级电容器包括正极，负极，电解质溶液和隔膜，正极采用3DSG/Mn3O4复合材料，负极采用3DMG/Mn3O4复合材料，电解质溶液采用硫酸钠。本发明的制备方法包括正极3DSG/Mn3O4复合材料的制备，负极3DMG/Mn3O4复合材料的制备，电解质溶液硫酸钠的配制和电容器的组装。本发明无需粘结剂和导电剂，金属氧化物利用率高，导电性高，存储能力高。可用于储能元件的制备。
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公开(公告)号：CN116759797A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310528829.8
申请日：2023-05-09
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本申请公开了一种透射阵单元，包括依次层叠设置的第一金属层、第一间隔空气波导层、第二金属层、第二间隔空气波导层以及第三金属层；金属层上形成有椭圆通孔，间隔空气波导层上形成有正多边形通孔，当电磁波由上方入射，线极化平面波进入传输透射阵单元时，线极化波发生极化变换。还提供一种紧凑型任意极化旋转的传输阵列透镜，包括安装座、圆极化器以及变极化器；圆极化器以及变极化器均为圆盘结构，并中轴线重合的设置在安装座上，圆极化器可相对变极化器绕轴线转动，变极化器可相对圆极化器绕轴线转动；圆极化器包括透射阵单元，变极化器包括透射阵单元，当平面波垂直变极化器入射时，通过旋转变极化器和圆极化器来实现任意极化控制的效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116404046A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310151871.2
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了一种二次外延结构的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中难以制备高质量p型GaN导致的低耐压、高导通电阻等问题。其包括衬底，缓冲层，n+‑GaN层，n‑‑GaN漂移层，p‑InGaN/i‑InGaN/i‑GaN二次外延区域，阴极，钝化层，阳极。通过二次外延p‑InGaN/i‑InGaN/i‑GaN材料，极化产生高浓度的二维空穴气，获得高质量的p型三族氮化物材料，实现高性能的GaN基JBS二极管。本发明可显著提升GaN基JBS二极管的反向击穿电压，同时降低器件的正向导通电阻，可广泛应用于功率开关和整流。
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公开(公告)号：CN116207162A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310151872.7
申请日：2023-02-22
Applicant: 西安电子科技大学广州研究院
IPC: H01L29/872 , H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L29/201 , H01L29/207 , H01L29/417 , H01L21/265
Abstract: 本发明提供了一种基于离子注入的GaN基JBS二极管及其制备方法，主要解决GaN基JBS二极管中Mg离子注入激活效率低导致的耐压和导通损耗问题。其包括：衬底、缓冲层、n+‑GaN层、n‑‑GaN漂移层、n‑‑InGaN漂移层、Mg离子注入区域、阴极、钝化层和阳极。其中在n‑‑GaN漂移层上外延n‑‑InGaN漂移层；在Mg离子高温激活工艺中，靠近表面的In从InGaN材料中析出，使得Mg进入In的晶格格点，降低Mg的激活能，在远离表面的InGaN材料中，Mg在InGaN中的激活能低于GaN材料，故Mg在InGaN中具有更高的激活效率，催化n‑‑InGaN转为p‑(In)GaN。本发明可以显著提高GaN基JBS二极管中Mg离子注入p型掺杂的激活效率，提升GaN基JBS二极管的反向耐压，降低导通损耗，可广泛应用于高频开关和整流系统中。
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公开(公告)号：CN112697129B
公开(公告)日：2023-05-05
申请号：CN202011470645.3
申请日：2020-12-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于电子信息技术领域，具体涉及一种利用一维测角确定天线线阵二维姿态的快速方法。本发明的方法利用位置已知的参考站辐射的电磁波信号，通过天线线阵测量来波方向与天线线阵的一维夹角、仰角一维搜索和方位角闭式计算，即可实现快速测定天线线阵的二维姿态，在降低计算量的同时，还能提高天线线阵的二维姿态的测定精度。
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公开(公告)号：CN106757234A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201610987649.6
申请日：2016-11-10
Applicant: 西安电子科技大学
CPC classification number: C25D5/40 , C22C1/08 , C25D3/22 , C25D3/38 , C25D5/34 , C25D5/505 , C25F3/02
Abstract: 本发明公开了一种3D纳米多孔金属材料的制备方法，主要解决现有技术制备的金属或合金孔径尺寸大、比表面积低、孔隙率低和难以块体化的问题，其实现方案是：1)对泡沫型金属/合金基底进行清洗活化预处理；2)在预处理后的泡沫型金属/合金基底上电镀过渡族金属薄膜；3)对基底和过渡族金属薄膜进行合金熔融化；4)对熔融化的合金采用电化学选择性腐蚀方法，腐蚀掉合金中已镀的过渡族金属，进行脱合金化，完成多孔金属材料的制备。本发明提高了纳米多孔金属材料的比表面积和孔隙率，且孔径尺寸可控，可作为生长其他多孔型纳米级结构材料的基底。
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