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公开(公告)号：CN112099286A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202011048058.5
申请日：2020-09-29
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光学谐波产生器及其制备方法，该光学谐波产生器主要包括：第一材料层；第二材料层，叠设于第一材料层，并且第二材料层的二阶非线性系数的符号与第一材料层的二阶非线性系数的符号相反。本发明利用二阶非线性系数的符号彼此相反的，并且堆叠于一起的第一材料层和第二材料层构成波导芯层，匹配所产生的二次谐波在波导芯层中的电场方向分布，在简单波导芯层结构中实现了较高的二次谐波的转换效率，并且降低了光学谐波产生器的制备难度，实现利用简单的器件结构有效提高二次谐波的产生效率的目的。
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公开(公告)号：CN111897054A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201910366808.4
申请日：2019-05-05
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请公开了一种光频梳的产生装置、产生装置制备方法及产生方法，涉及光学频率梳。其中，该装置包括衬底，以及衬底上生长的泵浦波导、抑制波导和光学微腔；光学微腔用于产生光频梳；泵浦波导位于光学微腔的外侧，泵浦波导用于向光学微腔中入射光信号；抑制波导为位于光学微腔外侧的弧形波导，抑制波导与光学微腔在拉曼频率处具有耦合效应。本申请通过在光频梳的产生装置中增加抑制波导，并且抑制波导与光学微腔在拉曼频率处具有耦合效应，提升光学微腔中拉曼散射效应产生的光功率阈值，抑制光学微腔中的拉曼散射效应，防止拉曼激光的产生，从而产生高质量的光频梳。
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公开(公告)号：CN111812867A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010709508.4
申请日：2020-07-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种光子晶体电光调制器及其制作方法，包括衬底、在衬底上通过溅射抬离或者电镀形成的电极、在电极与衬底上沉积形成的键合层、对键合层抛光处理后键合形成的电光材料薄膜、在电光材料薄膜上刻蚀形成的光子晶体线缺陷波导、以及填充于光子晶体线缺陷波导中除线缺陷两侧第一排空气孔以外的其余空气孔内的金属柱；位于线缺陷两侧的金属柱之间分别通过相应的电极实现电连接，且位于线缺陷两侧第一排空气孔的下方未设置电极和键合层。本发明可实现光波导区域调制电场的紧束缚，利用光子晶体的慢光效应增强电光相互作用以降低半波电压长度积，实现器件的小型化。采用周期容性负载电极来实现微波与光波的速度匹配，兼顾高频调制特性。
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公开(公告)号：CN106410607B
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201611027155.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/125 , H01S5/06 , H01S5/062 , H01S5/0625 , H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种有源光相控阵光子集成芯片及其制备方法，其中，芯片包括：相干激光器阵列，以通过同一材料和工艺实现的主‑从激光器，通过单向注入锁定方式使多个从激光器中各个从激光器之间具有相同频率和固定相位的良好相干性；光相位调制器阵列，以通过电信号调制方式控制多个光相位调制器中各个光相位调制器对光的相位延迟；过渡波导阵列和光场辐射阵列，用于调整不同从激光器发出的、经过不同光相位调制器而具有不同光相位延迟的相干光束进行波束和发射位置，以根据相位延迟之区别决定相干叠加光束出射方向。该集成芯片可以集成在同一个基底上，输出光的总功率由各个从激光器相干叠加而成，兼有芯片集成化和出射功率高的优点。
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公开(公告)号：CN108808442A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810714759.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 清华大学
CPC classification number: H01S5/1237 , H01S5/1082 , H01S5/4031
Abstract: 本发明公开了一种多波长分布反馈半导体激光器阵列及制备方法，其中，多波长分布反馈半导体激光器阵列包括：光栅、波导和输出光腔面，其中，光栅为侧向耦合表面光栅，波导为脊波导，腔面为刻蚀形成的腔面。该多波长分布反馈半导体激光器阵列可以有效地抑制FP纵模的干扰，具有制备方式简单、成本低、适用性广以及波长精确控制的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106410607A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201611027155.X
申请日：2016-11-17
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/125 , H01S5/06 , H01S5/062 , H01S5/0625 , H01S5/40
CPC classification number: H01S5/06246 , H01S5/06256 , H01S5/125 , H01S5/40
Abstract: 本发明公开了一种有源光相控阵光子集成芯片及其制备方法，其中，芯片包括：相干激光器阵列，以通过同一材料和工艺实现的主-从激光器，通过单向注入锁定方式使多个从激光器中各个从激光器之间具有相同频率和固定相位的良好相干性；光相位调制器阵列，以通过电信号调制方式控制多个光相位调制器中各个光相位调制器对光的相位延迟；过渡波导阵列和光场辐射阵列，用于调整不同从激光器发出的、经过不同光相位调制器而具有不同光相位延迟的相干光束进行波束和发射位置，以根据相位延迟之区别决定相干叠加光束出射方向。该集成芯片可以集成在同一个基底上，输出光的总功率由各个从激光器相干叠加而成，兼有芯片集成化和出射功率高的优点。
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公开(公告)号：CN102520531B
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201110424539.6
申请日：2011-12-16
Applicant: 清华大学
IPC: G02F1/017
Abstract: 本发明涉及光通信中的光电子器件领域，公开了一种n-i-n型电光调制器，从下至上依次包括：衬底、下欧姆接触层、下限制层、下导波层、有源层、上导波层、上限制层和上欧姆接触层，上、下限制层为N型掺杂结构；所述有源层的禁带宽度为Eg1、折射率为n1，上、下导波层的禁带宽度为Eg2、折射率为n2，上、下限制层的禁带宽度为Eg3、折射率为n3，禁带宽度满足Eg1＞Eg3＞Eg2的关系，折射率满足n2＞n1＞n3的关系。本发明能够改善电光调制器的调制特性。
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公开(公告)号：CN102427166A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110243841.1
申请日：2011-08-24
Applicant: 清华大学
IPC: H01Q3/34
Abstract: 本发明公开了一种光控微波波束接收系统，涉及微波光子学技术。所述系统包括：N个天线单元，所述天线单元连接光调制器的第一输入端；所述光调制器的第二输入端连接激光源；所述光调制器的输出端连接光信号处理单元的输入端；所述光信号处理单元包括N个输入端和M个输出端，用于实现光信号的合并和重新分配；所述光信号处理单元的M个输出端分别连接一个长度不同的光延时单元，所述光延时单元对相邻的所述激光源的输出激光的波长间隔所产生的延时量，刚好补偿微波信号由于来源方向而在相邻的所述天线单元上所产生的延时量。所述系统，通过简单的系统结构，满足了高数据率、多用户的需求，提高了移动通信性能。
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公开(公告)号：CN100570969C
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200810056429.7
申请日：2008-01-18
Applicant: 清华大学
IPC: H01S5/026 , H01S5/40 , H01S5/50 , H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/065 , H01S5/00 , H01S1/00 , H01L27/15
Abstract: 本发明公开了属于光电子器件技术领域的一种基于FP激光器注入锁定的光生微波单片光子集成器件，具体的说是一种利用FP激光器双纵模注入锁定产生高频微波的单片光子集成器件，在同一芯片上集成一个DFB激光器和一个FP激光器，对DFB激光器进行直接调制或者外调制，它的两个调制边带去锁定FP激光器的两个相邻纵模，被锁定的两个相邻纵模进行拍差，通过光探测器进行接收，就可以获得高频微波。本发明将相关半导体光电子器件实现了单片集成，集成度高、结构新颖，既能提高性能又能大大减少器件的体积，有利于提高系统的稳定性；并且制作工艺简单、成本低、成品率高，适于大规模生产和应用，在未来的高速通讯领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN101527379A
公开(公告)日：2009-09-09
申请号：CN200910081206.0
申请日：2009-03-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01P3/20
Abstract: 一种半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元，属于光电子器件中半导体电吸收调制器封装技术领域，其特征在于，在共面波导传输线结构中，在共面波导金属地电极纵轴线两侧，沿纵向开有导通热沉上表面该共面波导金属地电极和下表面金属地电极之间的导通孔，利用导通孔的数量和位置来改变热沉传输的最小谐振峰与传输特性，同时把微波馈线单元沿垂直于该纵轴线方向切割为两部分便于半导体电吸收调制器的封装测试。该半导体电吸收调制器封装用微波馈线单元在60GHz范围内传输特性良好，传输损耗小于0.5dB，没有出现谐振峰现象。
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