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公开(公告)号：CN102945798B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201210426177.9
申请日：2012-10-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268
Abstract: 本发明公开一种超薄氧化层的激光处理生长方法，为解决现有超薄氧化层生长厚度难以精确控制等问题而发明。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法为在硅片的浅表面引入氧化剂后对该硅片进行激光照射，通过激光给能促使化学反应发生而形成超薄氧化层。氧化剂的引入方法为：将硅片放置在氧化性气氛中；或，对硅片浅表面进行低能离子注入氧元素；亦或，在硅片浅表面内低能离子注入氧元素后将该硅片放置在氧化性气氛中。本发明超薄氧化层的激光处理生长装置包括进气孔、出气孔、密封工艺腔室、载片台、激光器和透明窗口。本发明超薄氧化层的激光处理生长方法及装置结构合理，使用方便，可生成质量好的薄氧化层，适用于多种半导体器件中薄氧化层的制备。
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公开(公告)号：CN102956638B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210452249.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/082 , H01L29/739 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L27/0823 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/7395
Abstract: 本发明公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低，简单易行，利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。
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公开(公告)号：CN102290342B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201110259211.3
申请日：2011-09-05
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种采用六边形束斑进行激光扫退火的方法。所述六边形的激光束斑，通过在光路中两两相对放置的四块可以独立活动的挡板机构来实现，即上挡板和下挡板为独立或同步地移动；左挡板和右挡板为独立或同步地移动，四块均为矩形挡板，其中上挡板和下挡板或者左挡板和右挡板相对的一边，各自开一V形开口，形成六边形的顶角A，顶A角顶点在中心线上。当六边形束斑的激光光束对晶圆片进行扫描退火时，令相邻的两扫描行相互重叠补偿，可避免传统逐行扫描过程中，行与行之间的过扫描和欠扫描现象，同时并不增加整机系统的实现难度和实现成本。
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公开(公告)号：CN102169810B
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201010621834.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法。所述真空激光处理装置包括真空工艺腔体，顶杆片托机构，真空系统及晶圆片的送取机构，激光辐照处理及冷却处理装置，本发明既能够灵活应对不同工艺加工需求，又充分照顾到了激光处理的光作用特点。采用本发明真空激光处理腔，本身可执行激光退火或者激光再结晶处理；可执行薄膜的激光辅助沉积处理；当外部提供可移动式的灯光或者红外加热源的功率足够时，也可执行薄外延的工艺处理。极大地提高了反应腔的实际应用价值。所述工艺腔除内部提供一定真空度的反应环境之外，侧壁由于通冷却液，成为“冷壁式”的反应腔，该特点尤其有利于薄膜沉积或者外延类的应用。
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公开(公告)号：CN102956638A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210452249.7
申请日：2012-11-13
Applicant: 清华大学
IPC: H01L27/082 , H01L29/739 , H01L21/8222
CPC classification number: H01L27/0823 , H01L29/0696 , H01L29/404 , H01L29/7395
Abstract: 本发明公开一种连体IGBT器件，为解决现有器件开关速度不够高的问题而发明。本发明连体IGBT器件包括至少漂移区互相连通的两个IGBT器件，各IGBT器件独立引出电极。连体IGBT器件也可由四个漂移区互相连通的IGBT器件组成。连体IGBT器件也可以具体实现为一承担较大电流主开关器件的IGBT器件和一起到加速主器件开关切换作用的辅助IGBT器件的两个IGBT器件相连。本发明连体IGBT器件的加工方法通过增加开槽工艺得到了本发明连体IGBT器件。本发明连体IGBT器件及其加工方法加工成本低，简单易行，利用两个IGBT器件开关速度相互促进获得工作速度进一步提高的有益效果。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163540B
公开(公告)日：2013-01-30
申请号：CN201010621831.2
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的涉及半导体超浅结制造中的一种用于深紫外激光退火的三片式加热片台扫描装置。该加热加热片台扫描装置采用A加热片台、B加热片台和C加热片台连接成品字型加热片台，旋转托盘放置在该品字型加热片台上，该加热片台扫描装置可以沿X和Y方向做匀速或步进式移动，当对C加热片台上的圆片实现激光退火扫描时，A、B加热片台上的圆片被预加热。从而减少了圆片达到热平衡状态的等待时间。圆片是通过一个可旋转的托盘依次在A、B、C三个加热片台上逆时针切换，减少了圆片转移过程中的温度分布变化，提高了设备利用率。
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公开(公告)号：CN102184876B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201110056309.9
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法。所述的方法，首先是设计半导体制造的版图，在版图设计完成，并制版之后，进入制造流程，制造这些微测试结构。除低浓度掺杂区外其他部分的工艺均同常规工艺然后采用相应制造工艺，其中含激光处理步骤，来制作出按不同位置分布的微测试结构，最后对微测试结构的电学特性进行测试。根据各测试结构不同的测量结果和已知的位置分布情况，即可判断得到激光加工中晶圆片定位的误差，从而为误差校正提供测试依据。本发明方法简便实用，无需借助于大型复杂仪器设备和额外的精确操作即可进行，可以与激光加工设备相结合，成为后者设备性能定期检测校准的标准化的方法。
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公开(公告)号：CN102324385A
公开(公告)日：2012-01-18
申请号：CN201110273235.4
申请日：2011-09-15
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/268 , B23K26/00
Abstract: 本发明公开了一种用于半导体激光加工中的高行重叠率的光束扫描方式。经过扩束、匀束、光束整形处理后的一定形状的激光束斑，相对于晶圆片做扫描动作，包括采用晶圆片平移而激光束不动的方式进行，或采用激光束平移而晶圆片不动的方式来进行取一定长度的特定形状的激光束斑，从左到右或从右到左一遍遍地扫描和加工处理晶圆片。连续两行之间的间距取为远小于束斑长度，就形成了高重叠率的扫描运行。采用这样的扫描方式，可以在不变更激光加工处理设备其他部件，不对其他部件提更高技术指标要求的情况下，极大地提高激光加工处理的片内均匀性。此外，由于允许扫描机构中的重载部件以匀速度运行，可提高位置控制精度，改善扫描运动控制的效果。
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公开(公告)号：CN102184876A
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN201110056309.9
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造技术范围的一种激光加工中晶圆片定位误差的量测方法。所述的方法，首先是设计半导体制造的版图，在版图设计完成，并制版之后，进入制造流程，制造这些微测试结构。除低浓度掺杂区外其他部分的工艺均同常规工艺然后采用相应制造工艺，其中含激光处理步骤，来制作出按不同位置分布的微测试结构，最后对微测试结构的电学特性进行测试。根据各测试结构不同的测量结果和已知的位置分布情况，即可判断得到激光加工中晶圆片定位的误差，从而为误差校正提供测试依据。本发明方法简便实用，无需借助于大型复杂仪器设备和额外的精确操作即可进行，可以与激光加工设备相结合，成为后者设备性能定期检测校准的标准化的方法。
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公开(公告)号：CN102169810A
公开(公告)日：2011-08-31
申请号：CN201010621834.6
申请日：2010-12-27
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/00 , H01L21/268
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备和技术范围的一种使用真空腔的激光处理装置和处理方法。所述真空激光处理装置包括真空工艺腔体，顶杆片托机构，真空系统及晶圆片的送取机构，激光辐照处理及冷却处理装置，本发明既能够灵活应对不同工艺加工需求，又充分照顾到了激光处理的光作用特点。采用本发明真空激光处理腔，本身可执行激光退火或者激光再结晶处理；可执行薄膜的激光辅助沉积处理；当外部提供可移动式的灯光或者红外加热源的功率足够时，也可执行薄外延的工艺处理。极大地提高了反应腔的实际应用价值。所述工艺腔除内部提供一定真空度的反应环境之外，侧壁由于通冷却液，成为“冷壁式”的反应腔，该特点尤其有利于薄膜沉积或者外延类的应用。
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