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公开(公告)号：CN115799301A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211362520.8
申请日：2022-11-02
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/06 , H01L23/544
Abstract: 本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种基于外延回填工艺的对准标记形成方法及外延回填工艺。基于外延回填工艺的对准标记形成方法包括形成位于第一外延层的标记区的至少一对对准标记刻蚀掩模，第一外延层包括位于功能区的第一沟槽；形成填充第一沟槽并覆盖第一外延层的第二外延层，其中，第二外延层的背离第一外延层的表面与对准标记刻蚀掩模的背离第一外延层的表面齐平；通过对准标记刻蚀掩模对第二外延层和第一外延层进行刻蚀，形成第二沟槽及形成第三沟槽，其中，第二沟槽位于一对对准标记刻蚀掩模之间，第三沟槽的槽底暴露出外延部。本申请能够避免外延回填及抛光工艺对对准标记的损坏，保证后续工艺的套刻精度。
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公开(公告)号：CN115799064A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211424049.0
申请日：2022-11-15
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/329 , H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 本公开涉及半导体技术领域，具体涉及超级结肖特基二极管及制造方法、电子元件。该用于制造超级结肖特基二极管的方法包括：形成预制超级结结构，其中，预制超级结结构包括密铺设置的多个预制超级结元胞；通过对预制超级结结构进行离子注入，形成终端结构和超级结结构，其中，终端结构具有环形形状，并围绕限定出超级结结构的有源区；以及形成金属层，其中，金属层位于有源区，金属层与超级结结构实现肖特基接触。本公开在有源区和终端区采用密铺的超级结元胞设计，能够解决在超级结器件制备过程中因对准标记损坏引发的对准问题。
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公开(公告)号：CN114284175A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111565493.X
申请日：2021-12-20
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种用于优化晶圆激光打标后表面颗粒控制的方法。激光打标其原理是通过高能量的激光束聚焦在材料表面上,使表面材料瞬间熔融，甚至气化,形成凹坑，由凹坑组成指定的标识性图案。打标的副产物则会堆积在凹坑的四周，现有激光打标即使配备了颗粒清理装置，能实时吸走大部分打标时溅起的颗粒，但是仍不能避免有部分颗粒掉落在打标处。颗料控制是晶片加工过程、器件制造过程中重要的一个环节,打标后清洗是去除打标颗粒必不可少的步骤。本发明涉及打标机与打标后清洗的配合作业，最大限度的避免打标不稳定和清洗不稳定引起的打标颗粒残留问题，以达到颗粒控制的目标。
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公开(公告)号：CN114284153A
公开(公告)日：2022-04-05
申请号：CN202111458413.0
申请日：2021-12-01
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/425 , H01L21/477 , H01L21/471
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域中的一种氧化物半导体的P型掺杂方法，包括离子注入、高温退火和退火掩膜保护，离子注入是向半导体衬底上生长的外延层注入N元素，N元素是为了提供空穴，形成受体掺杂的杂质，高温退火是通过将注入后的晶圆放入高温退火炉中以1300℃及以上的温度退火，相比于传统的后退火工艺，采用了更高的温度以修复注入产生的晶格损伤，并提高注入掺杂受体的激活率，以形成有效的掺杂。退火掩膜保护层是通过在注入后的表面形成一层AlN薄膜，从而阻止在高温退火时N的扩散，并且可以有效阻止高温下衬底材料在高温下的升华。
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公开(公告)号：CN114268122A
公开(公告)日：2022-04-01
申请号：CN202111295656.7
申请日：2021-11-03
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
Abstract: 本发明公开了一种光伏能驱动的电网发电、制氢和蓄电耦合系统，属于光伏发电制氢系统。本发明利用光伏板收集的太阳能转化为电能，经逆变器系统转化后的电能可接入电网向电网供电、电解水制备氢气或给蓄电池蓄电，进而达到综合高效利用光伏能的目的。上述系统可高效利用白天的光伏能用于向电网供电、制备氢气和给蓄电池蓄电，进而达到降低家庭用电量，减少碳排放。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114256207A
公开(公告)日：2022-03-29
申请号：CN202111519871.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L23/544 , H01L21/68 , G03F7/20
Abstract: 晶圆表面标记制作方法及扫描电镜内晶圆的定位方法，属于半导体技术领域，晶圆表面标记制作方法，包括涂胶工艺、曝光工艺和显影工艺，所述涂胶工艺为在晶圆表面涂布膜层，所述曝光工艺为通过光刻机对晶圆进行曝光，所述显影工艺为将晶圆浸入显影液中。扫描电镜内晶圆的定位方法，包括晶圆表面标记制作方法和扫描电镜内部定位方法。本发明在晶圆表面通过光刻机挡板制作标记，适用于4寸至8寸大尺寸晶圆在扫描电镜内部测量时快速定位，克服了仅使用掩膜版制作标记图形的技术偏见，解决了现有的大尺寸晶圆定位困难的问题，提高了量测效率。
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公开(公告)号：CN113908661A
公开(公告)日：2022-01-11
申请号：CN202111055375.4
申请日：2021-09-09
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: B01D53/04
Abstract: 本发明公开了一种立式径向流吸附器，包括筒体、下封头、上封头，下封头上设置有气体进气管，上封头上设置有气体出气管和吸附剂的装入口。在吸附床层和容器轴线间布有一两端开口的圆筒形隔板，该圆筒形隔板用来限制径向穿过床层轴向高度H以上区域内的空气，使其在流出吸附床层后沿圆筒形隔板形成一个Π形流动；其它区域空气保持原来的Z形流动。本发明实现了床层内部具有混合流动形式的立式径向流吸附器，且其所具有的可视化结构可外接粒子图像测速系统，以对其内的空气流速分布进行测量，实现气流径向均匀分布，空气在这种结构内部流动其流场会更加均匀，使得吸附剂利用率提高，相比于常规立式径向流吸附器具有更大的优越性。
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公开(公告)号：CN112201685A
公开(公告)日：2021-01-08
申请号：CN202010934164.7
申请日：2020-09-08
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/872
Abstract: 公开了一种超级结器件及电介质组合终端，该超级结器件包括形成于漂移区内的有源区和终端、位于有源区内的多个超级结、位于终端内的宽槽、位于宽槽内的多层电介质组合、位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区以及位于宽槽底部并与下注入区接触的终端底部注入区。该终端包括的宽槽和位于宽槽靠近有源区方向侧壁上的侧壁注入区，该侧壁注入区可以包括具有相同掺杂类型的下注入区和上注入区。该终端包括的多层电介质组合中，每层电介质按照电介质常数从高到低，而从左至右，从上至下地排布。本发明的结构优化了终端与有源区交界处的净负电荷量的空间分布，以及宽槽内部电介质中的电介质常数分布，实现了更好的电场分布，提高了器件终端的耐压。
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公开(公告)号：CN106952876A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710157509.0
申请日：2017-03-16
Applicant: 浙江大学
IPC: H01L23/13
CPC classification number: H01L23/13
Abstract: 本发明公开了一种金属叠层填沟槽阵列的碳化硅衬底结构。包括碳化硅衬底、设置在碳化硅衬底底面的沟槽阵列以及设置在碳化硅衬底底面并覆盖沟槽阵列的金属叠层；金属叠层包括覆盖在衬底底面和沟槽阵列底面的第一层金属、填满沟槽阵列并且下表面为平整平面的第二层金属以及上表面与第二层金属底面相连并且下表面是平整平面的第三层金属。本发明减少了衬底层电阻且能与普通工艺线相兼容，保持了完整衬底厚度，降低了发生碎片几率。
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