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公开(公告)号：CN118335793A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202311725407.6
申请日：2023-12-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/336 , H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件，包括元胞结构，元胞结构包括半导体基体；阱区设于半导体基体的上表层内；源区设于阱区的上表层内；半导体基体内设有贯穿源区和阱区的浅沟槽，以及与浅沟槽连通的深沟槽；浅沟槽具有第一底壁，深沟槽凹设于第一底壁，且深沟槽具有第二底壁。屏蔽区设于半导体基体内，屏蔽区的至少部分邻接于第二底壁；绝缘栅结构设于第一底壁上；源极设于半导体基体上，且覆盖于绝缘栅结构，并填充于浅沟槽未被绝缘栅结构填充的区域，且填充于深沟槽。该沟槽型MOSFET器件的元胞尺寸较小。
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公开(公告)号：CN115763235A
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211417255.9
申请日：2022-11-14
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L29/06 , H01L29/78
Abstract: 本公开涉及沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在复合衬底形成图案化的保护层，并得到第一通道及堆叠的第一介质层及第二介质层，第一介质层、第二介质层及第一通道具有第一掺杂类型，保护层具有第二掺杂类型，保护层贯穿第二介质层，第一通道贯穿保护层；形成沿第二介质层背离第一介质层的方向依次设置的第三介质层、沟道层及第一源接触区，第三介质层和第一源接触区具有第一掺杂类型，沟道层具有第二掺杂类型；及形成栅氧结构，栅氧结构贯穿第一源接触区和沟道层，并至少延伸入第三介质层，栅氧结构与保护层堆叠并与第一通道堆叠。该方法可简单容易地制造沟槽型绝缘栅场效应管，实现嵌套在第三介质层下侧的保护层。
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公开(公告)号：CN115714140A
公开(公告)日：2023-02-24
申请号：CN202211302566.0
申请日：2022-10-24
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/36 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开提供一种绝缘栅场效应管及其制造方法，该绝缘栅场效应管包括：复合衬底，具有第一掺杂特性；第一外延层，具有第二掺杂特性，位于复合衬底的一侧；掺杂层，位于第一外延层背离复合衬底的一侧，掺杂层包括第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区具有第一掺杂特性，第二掺杂区具有第二掺杂特性；栅极，贯穿第一外延层并延伸入复合衬底，栅极位于第一掺杂区背离第二掺杂区的一侧；绝缘层，位于栅极与第一外延层之间并位于栅极与复合衬底之间；以及介电层，位于栅极与复合衬底之间且位于栅极与绝缘层之间，以具有较高的可靠性。
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公开(公告)号：CN116110791A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211626681.3
申请日：2022-12-17
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及一种沟槽型绝缘栅场效应管及其制造方法、电子器件。该方法包括：形成沟槽，其中，沟槽贯穿第一预制半导体层和第二预制半导体层，并延伸入预制复合衬底，第一预制半导体层和预制复合衬底具有第一掺杂类型，第二预制半导体层具有第二掺杂类型；形成本征区，本征区位于沟槽的底侧并延伸入预制复合衬底；以及形成绝缘栅结构，绝缘栅结构填充于沟槽。该方法可以实现在沟槽底侧形成本征区，继而制得综合性能较好的器件。
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公开(公告)号：CN117438314A
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311387290.5
申请日：2023-10-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06
Abstract: 本发明涉及一种沟槽型MOSFET器件及其制造方法，一种沟槽型MOSFET器件的制造方法，包括：提供具有第一导电类型的半导体基体；在半导体基体的上表层内形成具有第二导电类型的阱区；在阱区的上表层内形成源区，源区包括具有第一导电类型的第一区域；在半导体基体内形成贯穿第一区域和阱区的沟槽；沟槽的槽壁包括底壁以及邻接于底壁的第一侧壁；沿第一方向向半导体基体内注入第二导电类型离子，以形成围绕于沟槽的屏蔽区；屏蔽区邻接于底壁和第一侧壁的至少一部分；在沟槽内形成绝缘栅结构；可避免采用超高能离子注入方式，进而降低沟槽型MOSFET器件的制造成本。
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公开(公告)号：CN117317027A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311620928.5
申请日：2023-11-30
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本公开涉及场效应管及其制造方法、集成电路器件。该用于形成场效应管的方法可包括：根据位于预制半导体结构的刻蚀掩模，形成栅极沟槽，其中，栅极沟槽延伸入预制半导体结构；形成预制掩膜层，预制掩膜层覆盖刻蚀掩模并沿栅极沟槽的内壁面延展；基于预制掩膜层形成自对准掩模，自对准掩模位于栅极沟槽的侧壁面，并遮挡栅极沟槽的底壁面的一部分；以及根据自对准掩模对栅极沟槽的底壁面进行离子注入。该方法可提供较宽的设计和工艺窗口，可以较容易地执行。
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公开(公告)号：CN115985964A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211472090.5
申请日：2022-11-23
Applicant: 浙江大学杭州国际科创中心
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及旁路超结绝缘栅场效应管及其制造方法、电子元件。该方法包括：在预制半导体结构形成沟槽并得到半导体结构，其中，沟槽自源极侧延伸入半导体结构；形成沿沟槽的内壁面延展的绝缘层；形成介电层，其中，绝缘层位于介电层与半导体结构之间；以及形成延伸电极，其中，介电层位于延伸电极与绝缘层之间。该方法可以形成具有较好阻断能力和长期可靠性的旁路超结绝缘栅场效应管。
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