公开(公告)号：CN1906527A

公开(公告)日：2007-01-31

申请号：CN200480040429.8

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 福地邦彦 ,  藤井岩 ,  中村理 ,  前川慎志

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L29/78678 ,  C25D5/022 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/288 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/56 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265

Abstract: 根据本发明的一个方面，通过液滴喷射方法形成制造显示装置所需的至少一个或多个图案，例如形成布线或电极的导电层以及掩模。那时，其中不在半导体层下的一部分栅极绝缘薄膜在本发明的制造步骤过程中被除去。

公开(公告)号：CN1879055A

公开(公告)日：2006-12-13

申请号：CN200480033485.9

申请日：2004-11-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平 ,  桑原秀明 ,  守屋芳隆

IPC: G02F1/1368 ,  H01L21/288

CPC classification number: G02F1/1368 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 在液晶显示器件的制造步骤中通过使用一个光掩模，需要许多步骤，例如抗蚀剂涂覆、预烘焙、曝光、显影和后烘焙，以及在上述步骤之前和之后的覆盖膜的形成、刻蚀、抗蚀剂剥离、冲洗、干燥等，这使得工艺变得复杂。为了解决该问题，采用沟道刻蚀型底部栅极TFT结构(反向交错TFT)以便通过相同的掩模图形化源极区域和漏极区域以及像素电极。而且，按照本发明，在制造液晶显示器件所需的图形中，例如用于形成布线层或电极的导电层、用于形成预定图形的掩模等，通过能够选择地形成图形的方法来形成它们中的至少一个或多个，由此制造液晶显示器件。

公开(公告)号：CN1875488A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200480031814.6

申请日：2004-10-25

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  今井馨太郎

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L33/08 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66765 ,  H01L2924/0002 ,  Y10T428/24421 ,  H01L2924/00

Abstract: 采用能够选择性地形成图案的方法，形成构成引线或电极的导电层、以及诸如用于形成预定图案的掩膜等制造显示面板所需的图案中的至少一个或多个，以制造液晶显示设备。能够通过依照具体的对象选择性地排放合成物的微滴来形成预定图案的微滴排放法在形成导电层、绝缘层等时用作能够选择性地形成图案的方法。

公开(公告)号：CN1767159A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510106745.7

申请日：2005-08-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小路博信 ,  前川慎志 ,  吉住健辅 ,  本田达也 ,  铃木幸惠 ,  川俣郁子 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/322 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3276 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/0005 ,  H01L51/524 ,  H01L51/5253 ,  H01L51/5281 ,  H01L51/529 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2251/5323 ,  Y02P80/30

Abstract: 本发明提供了一种用于制造显示装置的方法，该显示装置具有高速工作的TFT，同时利用少量光掩模并提高了材料的应用效率，其中阈值很难发生改变。在本发明中，将催化成分用于非晶形半导体膜中，对该非晶形半导体膜进行加热而形成结晶半导体膜。从该结晶半导体膜中清除掉膜该催化成分之后，制成具有平面结构的顶栅型薄膜晶体管。此外，通过使用选择性地形成显示装置元件的微滴释放法，可简化该过程并降低材料的损耗。

公开(公告)号：CN1677645A

公开(公告)日：2005-10-05

申请号：CN200510051846.9

申请日：2005-01-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  山崎舜平 ,  小路博信

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L27/12 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292

Abstract: 本发明公开了在一种用于制造显示装置的方法，包括以下步骤，利用感光材料在基底上形成第一薄膜图案，利用激光束对其进行照射使第一薄膜图案曝光，以此方式形成第二薄膜图案，将第二薄膜图案的表面变成微滴脱落表面，利用微滴排出方法，通过将导电材料排放到微滴脱落表面的外缘，而形成源极和漏极，并在源极和漏极上，形成半导体层，栅绝缘层，和栅极。

公开(公告)号：CN1607639A

公开(公告)日：2005-04-20

申请号：CN200410083142.5

申请日：2004-09-30

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井厳 ,  前川慎志

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  G02F1/136 ,  G03F7/004

CPC classification number: H01L21/0212 ,  G02F1/1368 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3121 ,  H01L21/76802 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1292 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L51/0016

Abstract: 在通过半导体装置制造的传统过程形成接触孔的情况下，为了在没有形成接触孔的薄膜上形成抗蚀剂，要求形成几乎整个覆盖基片的抗蚀剂。因此，生产能力相当地低。此外，当所应用的抗蚀剂的数量和底基的表面状态没有被完全控制的时候，抗蚀剂扩展到接触孔的区域时，接触缺陷发生。因此要求改善。根据本发明，在形成半导体装置中，是半导体装置的接触孔的部分可能覆盖着液体防护的第一有机薄膜。随后，在没有形成第一有机薄膜的区域上，形成作为绝缘薄膜的第二有机薄膜，且随后移除第一有机薄膜来形成接触孔。

公开(公告)号：CN1577024A

公开(公告)日：2005-02-09

申请号：CN200410069693.6

申请日：2004-07-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 小山润 ,  今井馨太郎 ,  前川慎志 ,  古野诚 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G02F1/136 ,  H01L29/786 ,  H05B33/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: G09G3/3266 ,  G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G3/3677 ,  G09G2300/0408 ,  G09G2300/0417 ,  G09G2300/0426 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0861 ,  G09G2310/04 ,  G09G2320/0223 ,  G09G2320/043 ,  G09G2330/021

Abstract: 当象素和信号线驱动器电路由半－非晶TFT组成时，驱动象素的幅度需要变得更大，并且需要高的电源电压。高的电源电压增加了局部驱动时的功耗。根据本发明，为了减少功耗，栅信号线驱动器电路存储每个栅信号线是否用于显示图象的数据，因此停止驱动不需要被驱动的栅信号线。

公开(公告)号：CN103730513B

公开(公告)日：2017-06-09

申请号：CN201410008748.6

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/417 ,  H01L29/45

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 一种电子器件、半导体器件及其制造方法。本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN101442059B

公开(公告)日：2014-02-19

申请号：CN200810187081.5

申请日：2006-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 前川慎志 ,  桑原秀明

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/24 ,  H01L29/417 ,  H01L27/32 ,  H01L27/15 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L29/78678 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明提供了一种利用适合于批量生产制造大衬底的液滴喷射法的制造工艺。通过液滴喷射法选择性地喷射导电膜的光敏材料溶液，选择性地暴露于激光光线，并且显影或蚀刻，由此只允许暴露于激光光线的区域留下，以及实现具有比由喷射形成的图案本身更微小图案的源极布线和漏极布线。源极布线和漏极布线的一个特征是，源极布线和漏极布线穿过岛状半导体层并且与它交叠。

公开(公告)号：CN102496346A

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201110375144.1

申请日：2005-12-02

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 吉田泰则 ,  木村肇 ,  前川慎志 ,  中村理 ,  山崎舜平

IPC: G09G3/32 ,  H01L21/77 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/156 ,  H01L21/288 ,  H01L21/76838 ,  H01L27/1285 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3276

Abstract: 本发明提供一种可执行多灰度彩色显示的有源矩阵EL显示装置。特别地，本发明通过可选择性地形成图案的制造方法低成本地提供大的有源矩阵EL显示装置。像素部分中的电源线通过可选择性地形成图案的制造方法排列成矩阵。此外，通过可选择性地形成图案的制作方法在相邻布线之间设置更长距离，可减小布线间的电容。