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公开(公告)号：CN1264220C
公开(公告)日：2006-07-12
申请号：CN02143288.0
申请日：2002-09-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/8239
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L28/55
Abstract: 一种强电介质存储装置。在多个强电介质电容器中的在字线方向及位线方向的一方向上排列的多个强电介质电容器的相邻下部电极之间埋入第一绝缘性氢气阻挡膜。在一方向上排列的多个强电介质电容器的下部电极及第一绝缘性氢气阻挡膜上，形成由在一方向上排列的多个强电介质电容器共用的电容绝缘膜。在共用电容绝缘膜上，形成由在一方向上排列的多个强电介质电容器所共用的上部电极。共用上部电极上由形成的第二绝缘性氢气阻挡膜所覆盖。
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公开(公告)号：CN1738026A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510092628.X
申请日：2005-08-19
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/82 , H01L21/8242 , H01L27/02 , H01L27/108
Abstract: 一种电介质存储器，包括：第1下部电极(12)、具有到达第2下部电极(14b)的上面的开口部(13h)的第1绝缘膜(13)、在开口部(13h)的壁部形成的第2下部电极(14b)、在第1下部电极(12)之上及第2下部电极(14b)之上不埋入孔地形成的电容绝缘膜(15)、以及在电容绝缘膜(15)之上形的上部电极(16)。对于开口部(13h)的壁部而言，第2下部电极(14)的壁厚，其下方比开口部的壁部的上方厚。从而提供包括阶差被覆性优异的电容绝缘膜，而且具有能够实现细小化的结构的介质存储器。
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公开(公告)号：CN103119716B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201180036399.3
申请日：2011-09-26
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/1253 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/72 , G11C2213/78 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , H01L45/1683
Abstract: 提供一种即使微细化也能够防止二极管的特性劣化及破坏的存储元件。有关本发明的存储元件（100）具备基板（10）、形成在基板之上的多个第1电极（11a、11b）、第2电极（12）及第3电极（13）、形成在多个第1电极与第2电极之间的电阻变化层（20）、以及形成在第2电极与第3电极之间的非导体层（30）。电阻变化层（20）包括形成在多个第1电极侧的高浓度电阻变化层（21）、以及形成在第2电极侧且氧浓度比高浓度电阻变化层（21）低的低浓度电阻变化层（22）。在存储元件（100）中，由第2电极、非导体层及第3电极构成二极管（100D），由多个第1电极、电阻变化层及第2电极构成与多个第1电极相同数量的多个电阻变化元件（100Ra、100Rb）。
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公开(公告)号：CN102742011B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201180007789.8
申请日：2011-12-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明的非易失性存储元件具有：电阻变化元件（104a），其具有第1电极（103）、第2电极（105）和电阻变化层（104），该电阻变化层（104）介于第1电极（103）和第2电极（105）之间，并且电阻值根据提供到第1电极（103）和第2电极（105）之间的电信号而可逆地变化；以及固定电阻层（108），其具有规定的电阻值，被层叠于电阻变化层（104），电阻变化层（104）具有缺氧型的第1过渡金属氧化物层（106）、和具有比第1过渡金属氧化物层（106）高的含氧率的第2过渡金属氧化物绝缘层（107），规定的电阻值为70Ω以上且1000Ω以下。
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公开(公告)号：CN102918647B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201180019726.4
申请日：2011-04-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L21/3205 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/51 , H01L21/76807 , H01L21/76849 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 一种电阻变化稳定且适合于细微化的电阻变化型的非易失性存储装置，具有：第1布线（101），由势垒金属层（101b）和主层（101a）构成，势垒金属层（101b）覆盖形成于第1层间绝缘层（103a）的布线槽的底面和侧面，主层（101a）填充所述布线槽的内部；第1电极（102），由贵金属构成，并覆盖第1布线（101）的上表面；多个存储单元孔（104），形成于第2层间绝缘层（103b）；电阻变化层（105），形成于存储单元孔（104）内，并与第1电极（102）相接；以及覆盖电阻变化层（105）和存储单元孔（104）的第2布线（106），在存储单元孔（104）附近的区域（101A）中，在第1布线（101）的宽度方向的任意截面中，主层（101a）被势垒金属层（101b）及第1电极（102）覆盖。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102656689B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201080056694.0
申请日：2010-11-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1675
Abstract: 具备多个存储器单元和引出布线（12），该引出布线（12）对多个存储器单元共通地设置，多个存储器单元中的各个存储器单元具备形成在基板（1）上的晶体管（6）、以及电阻变化元件（10），该电阻变化元件（10）具有：下部电极（7）；上部电极（9），含有贵金属；以及电阻变化层（8），夹持在下部电极（7）和上部电极（9）之间；电阻变化层（8）的电阻值根据经由晶体管（6）施加在下部电极（7）和上部电极（9）之间的电脉冲而可逆地变化；引出布线（12）与多个存储器单元的上部电极（9）直接相接。
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公开(公告)号：CN102239557B
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN200980148572.1
申请日：2009-06-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供一种在低电压下稳定地发生电阻变化，适合微细化的电阻变化型非易失性存储装置及其制造方法。非易失性存储装置包括：基板(100)；第一电极(101)；层间绝缘层(102)；形成于层间绝缘层的存储器单元孔(103)；第一电阻变化层(104a)，其形成于存储器单元孔的至少底部，与第一电极连接；第二电阻变化层(104b)，其形成于存储器单元孔(103)内的第一电阻变化层(104a)上；和第二电极(105)，第一电阻变化层(104a)和第二电阻变化层(104b)由同种金属氧化物构成，第一电阻变化层(104a)的氧含有率比第二电阻变化层(104b)的氧含有率高。
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公开(公告)号：CN103210491A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201280003672.7
申请日：2012-03-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
Abstract: 本发明提供一种非易失性存储装置的制造方法，是电阻变化型的非易失性存储装置的制造方法，与适合于微小铜布线形成的双金属镶嵌工艺之间的匹配性、且能够实现大容量及高集成化，其包括：形成电阻变化元件、接触孔（106）以及布线槽（108a）的工序；以及，以覆盖布线槽（108a）且不覆盖接触孔（106）的底面的方式，在层间绝缘层（102）以及（112）以及电阻变化层（104）上形成双向二极管元件的电流控制层（111）的工序。
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公开(公告)号：CN102239558B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN200980148805.8
申请日：2009-12-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/0688 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1608
Abstract: 本发明的非易失性存储元件(10)包括：基板(11)；在基板(11)上按顺序形成的下部电极层(15)和电阻层(16)；在电阻层(16)上形成的电阻变化层(31)；在下部电极层(15)的上方形成的配线层(20)；介于基板(11)与配线层(20)之间，以从配线层(20)到达电阻变化层(31)的方式形成的接触孔(26)且至少覆盖下部电极层(15)和电阻层(16)的层间绝缘层(17)；在接触孔(26)中以与电阻变化层(31)和配线层(20)连接的方式形成的上部电极层(19)，电阻变化层(31)的电阻值通过在下部电极层(15)与上部电极层(19)之间施加电脉冲而可逆地变化。
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公开(公告)号：CN102077347B
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201080001928.1
申请日：2010-05-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , H01L27/2418 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 存储单元阵列的制造方法，在所述存储单元阵列中，多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)相互立体交叉地被延设在半导体衬底(1)上，在多个第一导电体层(2)和多个第二导电体层(14)的各个立体交叉部配置有电流控制元件(10)和电阻变化元件(23)电连接且串联连接而构成的存储单元，所述制造方法包括：形成第一层间绝缘膜(3)的工序；在第一层间绝缘膜(3)形成接触孔的工序；在所述接触孔内以及第一层间绝缘膜(3)上推及第一柱塞材料(4)的工序；第一抛光工序，对第一柱塞材料(4)进行抛光直到第一层间绝缘膜(3)露出为止；在第一抛光工序之后，将成为电流控制元件(10)的第一电极(6)的导电体膜(6a)堆积在第一柱塞材料(4)以及第一层间绝缘膜(3)上的工序；以及第二抛光工序，对导电体膜(6a)的表面进行抛光。
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