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公开(公告)号：CN110951118A
公开(公告)日：2020-04-03
申请号：CN201911278772.0
申请日：2019-12-13
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种铜纳米线/细菌纤维素的复合材料及其制备方法，此复合材料包括细菌纤维素水凝胶和填充于所述细菌纤维素基体内部的铜纳米线。本发明采用水热法将铜纳米线填充到细菌纤维素水凝胶里面，包括以下步骤：将铜的前驱体、还原剂以及封端剂按照一定的比例配置成溶液并加热搅拌均匀；将细菌纤维素水凝胶放进搅拌好的溶液中，并搅拌至溶液将细菌纤维素充分填充；将细菌纤维素水凝胶和适量的溶液转移到水热釜中，并以在一定的温度下加热一定的时间进行反应；待反应完全且水热釜温度冷却至室温后，取出细菌纤维素水凝胶放在去离子水中浸泡一定的时间，然后在真空干燥箱中进行干燥即可得到铜纳米线/细菌纤维素的复合结构。本发明制得的复合结构其机械柔韧性以及抗氧化性良好，复合结构中铜纳米线的直径均一，且制备方法工艺简单，成本低。
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公开(公告)号：CN110473711A
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201910629340.3
申请日：2019-07-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种超级电容器电极材料的制备方法，包括以下步骤：步骤S1，制备钼酸钠/硫脲/细菌纤维素水凝胶复合材料；步骤S2，将钼酸钠/硫脲/细菌纤维素水凝胶复合材料中的钼酸钠/硫脲转化成二硫化钼，细菌纤维素转化为碳纳米纤维以作为超级电容器电极材料。采用本发明的技术方案，能够构造出碳纳米纤维网状结构，并且结构中的二硫化钼被碳纳米纤维有效包覆，能够增加电极中的电子导电性，提高电极中电子的传输效率。该技术方案可以提供一种新型的制造电极材料的制备方法。
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公开(公告)号：CN106411265B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610888690.8
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种拓展带宽的非对称Doherty功率放大器及其实现方法，采用非对称功分器用于将输入功率进行不等分，并将功率较小的第一信号输出给所述主功率放大电路以及将功率较大的第二信号输出给所述辅助功率放大电路；主功率放大电路的输出端与阻抗变换器T1的一端相连接，辅助功率放大电路的输出端与第二阻抗变换器T2的一端相连接，第二阻抗变换器T2的另一端与第三阻抗变换器T3的一端相连接，阻抗变换器T1的另一端与第三阻抗变换器T3的另一端相连接，并共同与负载的一端相连接。采用本发明的技术方案，使Doherty功放在功率回退9dB时仍然能够保持高效率的同时增大了非对称Doherty功放的工作带宽。
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公开(公告)号：CN109037062A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201810688668.8
申请日：2018-06-28
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/32
CPC classification number: H01L29/66462 , H01L29/778 , H01L35/28 , H01L35/325
Abstract: 本发明公开了一种具有温差发电机构的III‑V HEMT器件，包括源极、栅极、漏极、第一半导层、第二半导体层、第一金属层、N型热电材料、P型热电材料、第二金属层、第三金属层、电绝缘的热良导体散热层、电阻和二极管；而本发明在器件中引入了温差发电机构，回收了现有器件沟道中被浪费的能量，提高了器件的效率，减小了能量的损失，具有节约能源的优势。
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公开(公告)号：CN107425814A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201710665486.4
申请日：2017-08-07
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于补偿寄生电容的宽带Doherty功率放大器，包括等分威尔金森功分器、载波功率放大器支路、峰值功率放大器支路以及负载调制网络，其中，载波功率放大器支路包括依次串接的载波功率放大器输入匹配电路、载波功率放大器、载波功率放大器输出匹配电路，并在载波功率放大器输出端并联第一微带线Z1；峰值功率放大器支路包括相位延迟线、峰值功率放大器输入匹配电路、峰值功率放大器以及峰值功率放大器输出匹配电路，并在峰值功率放大器输出端并联第二微带线Z2。相对于现有技术，本发明通过在主辅支路晶体管的输出端分别加上一段短路微带线，从而抑制了寄生电容对于放大器的饱和效率和带宽所造成的影响，提高了Doherty功放的带宽性能和效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107332519A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201710550390.3
申请日：2017-07-07
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: H03F1/0288 , H03F1/48 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F2200/36 , H03F2200/451
Abstract: 本发明提供一种基于改进型输出合路器的宽带Doherty功率放大器及其实现方法，采用新型负载调制网络，包括第一阻抗变线T1、第二阻抗变线T2和第三阻抗变线T3，第一阻抗变线T1为50欧四分之一波长阻抗变线，第二阻抗变线T2为35欧四分之一波长阻抗变线，第三阻抗变线T3为50欧二分之一波长阻抗变线；载波功率放大电路的输出端接第一阻抗变线T1的一端，第一阻抗变线T1的另一端与峰值功率放大电路的输出端相连接并将功率合路再经过第二阻抗变线T2输出给负载，在合路点处并联第三阻抗变线T3。相对于现有技术，本发明通过在合路处并联50欧二分之一波长传输线T3，减小了负载阻抗随频率偏移而漂移的现象，有效的提高了Doherty功率放大器的带宽。
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公开(公告)号：CN106411275A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610889028.4
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于新型负载调制网络改善带宽的三路Doherty功率放大器及其实现方法，载波功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长的第一阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接，经40.82欧四分之一波长的第二阻抗变换器T2合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN106411267A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610889946.7
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种新型宽带三路Doherty功率放大器及其实现方法，其中，三路等分功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给载波功率放大电路、第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路，载波功率放大电路的输出端接86.6欧四分之一波长阻抗变换器T1，并与第一峰值功率放大电路和第二峰值功率放大电路的输出端相连接合路将功率输出给负载。相对于现有技术，本发明通过改进传统三路Doherty功率放大器的负载调制网络，减小了负载调制网络的阻抗变换比且缩小了Doherty功率放大器的尺寸，同时将峰值支路的补偿线加入到峰值输出匹配电路中，减小整体峰值输出匹配电路的品质因数，极大地拓宽了三路Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN106411266A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610888848.1
申请日：2016-10-12
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种基于改进负载调制网络拓展带宽的Doherty功率放大器及其实现方法，等分威尔金森功分器用于将输入功率进行等分后分别输出给主功率放大电路和辅助功率放大电路，主功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T1，辅助功率放大电路的输出端接70.7欧四分之一波长阻抗变换器T3，合路后将功率输出给负载，合路输出端并接四分之一波长短接线T2。相对于现有技术，本发明通过改进传统Doherty功率放大器的负载调制网络同时在输出端并联四分之一波长短接线方案，减小了负载调制网络的阻抗变换比，有效地抑制负载阻抗随频率的漂移，极大地拓宽了Doherty功率放大器的工作带宽。
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公开(公告)号：CN103730360B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：CN201410007469.8
申请日：2014-01-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/423
Abstract: 本发明公开了一种具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，而在异质结构内与栅极相应的区域内还分布有二维电子气耗尽区，该栅极与第一半导体层之间形成肖特基接触，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。
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