公开(公告)号：CN103715257B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201410008455.8

申请日：2014-01-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  蔡勇 ,  于国浩 ,  张宝顺

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/40 ,  H01L21/335

Abstract: 本发明公开了一种具有背面场板结构的HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，该栅极与第一半导体层之间形成肖特基接触，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。

公开(公告)号：CN103730360B

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201410007469.8

申请日：2014-01-09

Applicant: 杭州电子科技大学

Inventor： 董志华 ,  蔡勇 ,  于国浩 ,  张宝顺

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/778 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了一种具有背面场板结构的增强型HEMT器件及其制备方法。该器件可通过习见半导体器件加工工艺制成，其包括源极、漏极、异质结构和背场板电极，该源、漏极通过形成于异质结构中的二维电子气电连接，且源、漏极与异质结构形成欧姆接触，该异质结构包括沿设定方向依次设置的第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层设置于源、漏极之间，且第一半导体层表面还设有栅极，而在异质结构内与栅极相应的区域内还分布有二维电子气耗尽区，该栅极与第一半导体层之间形成肖特基接触，背场板电极设置于第二半导体层的远离第一半导体层的一侧表面。本发明能有效提高器件的击穿电压，并最大程度地抑制“电流崩塌”效应。