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公开(公告)号：CN113176231A
公开(公告)日：2021-07-27
申请号：CN202110301303.7
申请日：2021-03-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种微区分析用光谱仪。现有光谱仪的空间分辨率一般大于10μm。本发明包括光谱仪本体、光源、Y型光纤和聚焦透镜。Y型光纤具有一段主干部分和两段分叉部分，主干部分包括一根内芯光纤以及多根环绕内芯光纤对称设置的外围光纤，内芯光纤延伸作为一个分叉部分，多根外围光纤延伸汇总为另一个分叉部分。Y型光纤的内芯光纤构成的分叉部分接入光源的光信号输出端口，外围光纤构成的分叉部分接入光谱仪本体的光信号输入端口；聚焦透镜置于Y型光纤主干部分端口的正下方。本发明结构简单、空间分辨率高、成本低、使用方便，可以分析1μm量级的微小样品。
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公开(公告)号：CN111913090B
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202010710186.5
申请日：2020-07-22
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了非接触式判断半导体材料导电类型的方法。现有方法在测试后会造成半导体材料表面损坏。本发明方法在待测半导体晶片表面上方布置测量电极和参考电极，电极为透明导电玻璃，导电面朝下；两个电极的导电面分别接接运算放大器的同向和反向输入端；测量电极上方设置加热用光源。首先关闭光源，调节运算放大器输出电压为0，然后开启光源加热晶片局部表面，当运算放大器有信号输出，关闭光源；3～5秒后，检测运算放大器的输出电压极性：如果极性为正，则半导体材料为P型；如果极性为负，则半导体材料为N型。本发明方法避免了样品损伤，操作简单，易实现自动化，同时避免半导体材料因受热而进入本征激发状态，导致判断失效或者错误判断。
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公开(公告)号：CN111172510A
公开(公告)日：2020-05-19
申请号：CN202010015406.2
申请日：2020-01-07
Applicant: 杭州电子科技大学 , 浙江酷锐特表面技术有限公司
IPC: C23C16/06 , C23C16/40 , C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/52 , H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开一种高镍三元正极材料Al2O3/Al复合改性层的化学气相沉积制备方法。本发明利用AlCl3和Al粉作为反应原料，基于反应原理，通过调控区间的温度差，定向将反应原料中的Al以气相形式运输至高镍三元正极材料表面，与材料表面的残余碱性成分发生反应，生成一层均匀地、具有保护作用、可提高材料电导率的Al2O3/Al复合改性层，进而提高高镍三元正极材料的循环寿命、循环稳定性和安全性。该方法具有成本低廉、操作简单、反应时间短、反应温度低、不引入杂相、有效降低碱度等的优点。
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公开(公告)号：CN106927421B
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201710046177.9
申请日：2017-01-22
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种制造可控走向的硅纳米线的方法，包括如下步骤：(一)对硅片进行清洗；(二)对硅片进行表面处理，在硅片表面镀一层贵金属涂层；(三)在电场方向可调的反应釜内采用刻蚀溶液对镀银后的硅片进行刻蚀；(四)去除硅片表面金属颗粒，干燥。本发明提出添加外电场来驱动贵金属离子，通过调整外加电场的的方向来制备不同硅纳米线走向的方法。
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公开(公告)号：CN105862061A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201610210586.3
申请日：2016-04-05
Applicant: 杭州电子科技大学
CPC classification number: Y02E60/366 , Y02E70/10 , Y02P20/135 , C25B1/003 , C25B1/04 , C25B9/04 , C25B11/0452
Abstract: 本发明公开一种全绿色光电化学电池水解制氢的反应装置。该装置包括水轮发电机、光电化学水解装置、外电路，其中水轮发电机的正极连接工作电极,负极连接到对电极上；水轮发电机是将水流动能转换为电能，产生外加电场,主要由水轮机和螺旋桨组成；光电化学水解装置中工作电极是采用磁控溅射法制备的ZnO薄膜封装后构成，或者是采用原子层沉积制备的TiO2薄膜，厚度60nm，300℃下ALD生长的多晶。本发明成功实现了完全依靠绿色可再生的清洁能源进行能量转化的光电化学电池。本发明采用的水轮发电机通过将机械能转化为电能，再连接到光阳极材料上去，在无需外加偏压的情况下即可高效地分解水产生氢气，从而节约了能耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105244362A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510687944.5
申请日：2015-10-21
Applicant: 杭州电子科技大学
Abstract: 本发明公开一种基于ZnO压电效应的低功耗柔性阻变存储器及其制备方法。本发明低功耗柔性ReRAM从上至下依次包括TE层、ZnO层、ITO/PET层，其中TE层为功函数大于ZnO功函数的Pt、Cu或Au。该方法是ITO/PET柔性衬底作为下电极，通过溅射法制备ZnO薄膜，得到ZnO/ITO/PET；将ZnO/ITO/PET基体放于沉积室内，用掩模法通过电子束蒸发金属上电极，使得ZnO薄膜上沉积金属薄膜电极，最终得到柔性TE/ZnO/ITO/PET器件。本发明通过ZnO薄膜本身的压电效应来调控其set和reset电压，以期减小器件的操作电压，降低器件的功耗，从而延长器件的寿命。
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公开(公告)号：CN103657621A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310632686.1
申请日：2013-11-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: B01J21/06
Abstract: 本发明涉及一种{111}面暴露高活性TiO2纳米光催化剂的制备方法。本发明方法首先将钛酸四丁酯和氢氟酸混合成前驱液，加入NH4F，置于水热反应釜中进行水热反应，反应后的固液混合物进行固液离心分离，取出固态产物，洗涤后烘干，将烘干后产物研磨成粉末，得到成品。本发明方法制备的{111}面暴露TiO2纳米颗粒为纯锐钛矿相，颗粒尺寸小，比表面积大，具有很高的光催化活性。本发明方法工艺简单、易于控制、生产效率高。
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公开(公告)号：CN103367083A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310288183.7
申请日：2013-07-10
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: H01J35/06
Abstract: 本发明公开了一种小束斑X射线设备。传统的灯丝电子枪阴极发射点源面积大，电子源尺寸也比较大。本发明在X射线密封套筒内装有场发射电子枪阴极装置，所场发射电子枪阴极装置包括连接闪光电源的场发射灯丝，场发射灯丝与场发射电源阳极之间连接场发射电源；场发射灯丝在场发射电源产生的强电场下发射出电子束，电子束通过加速电源向加速电源阳极运动，加速后获得高能量，使其成为高能电子束，高能电子束照射到利用环状靶材冷却水装置冷却的靶上，产生X射线；产生的X射线通过铍窗射出X射线密封套筒。本发明使用场发射阴极所产生的束斑尺寸很小的电子束来激发阳极靶材，使X射线的光斑效果能够达到近似点光源效果。
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公开(公告)号：CN103234943A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310122070.X
申请日：2013-04-09
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明涉及一种使用激光诱导击穿光谱技术快速检测金属热扩散的方法。本发明首先使激光聚焦在待测样品表面，样品表面被激光烧灼产生等离子体，并辐射携带元素成分信息的光子；然后利用光谱仪实时采集特征光子；同时选定金属与硅的特征谱线，实时检测其强度以计算出金属的含量；最后随着激光不停的烧灼，能得到不同深度的金属含量信息，最终记录下金属的深度分布数据；本发明利用激光诱导击穿光谱技术分析了铝在硅晶片中的热扩散，能分辨出不同温度下铝在硅中的深度分布的差异，得到了具有较高的精确度的结果。与其他检测技术相比，该技术能快速、几乎无损地检测金属的热扩散。
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公开(公告)号：CN102680435A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210170003.0
申请日：2012-05-29
Applicant: 杭州电子科技大学
IPC: G01N21/63
Abstract: 本发明公开了一种激光诱导击穿光谱无标样定量分析元素组成的方法。本发明方法利用控制脉冲激光器的能量使得每次测量时等离子体的温度相同，由此保证每次测量时各元素的基态和激发态强度的比值保持不变，通过对比不同元素基态峰强度来确定混合物中的各元素原子个数比，实现定量分析。本发明通过控制等离子体的温度，相当于确定了元素基态峰和激发态峰的比例。由此可保持每次测量结果的可比性，得到精确的可以重复的元素成分分析结果。
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